发光元件、包括其的显示装置以及发光元件的制造方法制造方法及图纸

本公开涉及发光元件、包括该发光元件的显示装置以及该发光元件的制造方法。发光元件包括：第一半导体层；发射层，设置在第一半导体层上；第二半导体层，设置在发射层上；电极层，设置在第二半导体层上；以及绝缘膜，围绕第一半导体层、发射层和第二半导体层的侧表面，并且在发光元件的其上设置有电极层的端部处围绕电极层的一部分。电极层包括：第一表面，与第二半导体层相邻；第二表面，面对第一表面并且具有比第一表面的宽度小的宽度；以及侧表面，连接第一表面和第二表面，并且具有与相对于电极层的第一表面在约75

【技术实现步骤摘要】
发光元件、包括其的显示装置以及发光元件的制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年8月30日提交于韩国知识产权局的第10
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2021
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0115118号韩国专利申请的优先权和利益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。


[0003]实施方式涉及发光元件、包括该发光元件的显示装置以及该发光元件的制造方法。

技术介绍

[0004]近来，对信息显示的兴趣正在增加。因此，对显示装置的研究和开发持续进行。
[0005]将理解的是，该技术部分的背景部分地旨在为理解该技术提供有用的背景。然而，该技术部分的背景也可以包括在本文中所公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域中的技术人员已知或理解的部分的思想、概念或认知。

技术实现思路

[0006]本公开提供可以防止短路缺陷的发光元件、包括该发光元件的显示装置以及该发光元件的制造方法。
[0007]本公开的目的不限于上述目的，并且本领域中普通技术人员可以通过以下描述清楚地理解未提及的其它技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，包括：第一半导体层；发射层，设置在所述第一半导体层上；第二半导体层，设置在所述发射层上；电极层，设置在所述第二半导体层上；以及绝缘膜，围绕所述第一半导体层、所述发射层和所述第二半导体层的侧表面，并且在所述发光元件的其上设置有所述电极层的端部处围绕所述电极层的一部分，所述电极层包括：第一表面，与所述第二半导体层相邻；第二表面，面对所述第一表面并且具有比所述第一表面的宽度小的宽度；以及侧表面，连接所述第一表面和所述第二表面，并且具有与相对于所述电极层的所述第一表面在75
°
至90
°
的范围内的角度对应的斜率。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述绝缘膜完全围绕所述发射层和所述第二半导体层的所述侧表面。3.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述电极层在所述电极层的所述第一表面上直接电接触所述第二半导体层。4.根据权利要求3所述的发光元件，其中，所述绝缘膜围绕所述电极层的所述侧表面的设置在所述电极层的所述第一表面周围的一部分，并且暴露所述电极层的所述第二表面和所述电极层的所述侧表面的剩余部分。5.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述绝缘膜暴露所述第一半导体层的下表面。6.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述绝缘膜在所述发光元件的所述端部处具有均匀的厚度。7.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述绝缘膜在围绕所述第一半导体层、所述发射层和所述第二半导体层的部分中具有与所述第一半导体层、所述发射层和所述第二半导体层中的每个的所述侧表面的形状对应的表面轮廓。8.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述绝缘膜在所述发光元件的所述端部处具有与所述电极层的所述侧表面的形状对应的表面轮廓。9.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述绝缘膜在所述发光元件的所述端部处具有逐渐变化的厚度。10.根据权利要求9所述的发光元件，其中，所述绝缘膜在所述发光元件的所述端部处具有随着接近所述发射层而增加的所述厚度。11.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一半导体层包括与所述发射层相邻的第一部分和除所述第一部分之外的第二部分，以及所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度。12.根据权利要求11所述的发光元件，其中，在所述绝缘膜中，围绕所述第一半导体层的所述第二部分的部分的厚度大于围绕所述第一半导体层的所述第一部分的部分的厚度。13.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述绝缘膜在与所述电极层的所述第一表
面对应的部分处具有10nm或更大...

【专利技术属性】
技术研发人员：金炯硕，金诗圣，李种琎，李东彦，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：