半导体装置的制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置的制造方法包括：利用磊晶制程在基板上依序形成通道层以及阻障层以构成半导体装置，其中通道层包括第一III

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术是关于一种半导体装置的制造方法，且特别是关于一种半导体装置的低温钝化方法。

技术介绍

[0002]氮化镓因为具有宽能隙，高电子迁移率等优势，故为功率元件的理想材料。传统在硅基板上做氮化镓磊晶时，由于晶格不匹配，容易形成高差排缺陷的氮化镓，也由于磊晶过程中需要缓冲层、通道层、阻障层用以形成二维电子气，层与层之间的界面也会有缺陷的产生，这些缺陷会导致元件的漏电流上升，导通电流下降，以及信赖性不佳等问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提出一种半导体装置的制造方法，包括：利用磊晶制程在基板上依序形成通道层以及阻障层以构成半导体装置，其中通道层包括第一III
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V族化合物，其中阻障层包括第二III
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V族化合物；将半导体装置置于腔体中；及在腔体内通入高压流体以对半导体装置内的缺陷执行钝化处理，其中高压流体掺杂由氮、氧、氟中的至少一者构成的化合物。
[0004]在一些实施例中，上述半导体装置的制造方法更包括：在阻障层上形成P型III...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：利用磊晶制程在基板上依序形成通道层以及阻障层以构成半导体装置，其中该通道层包括第一III
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V族化合物，其中该阻障层包括第二III
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V族化合物；将该半导体装置置于腔体中；及在该腔体内通入高压流体以对该半导体装置内的缺陷执行钝化处理，其中该高压流体掺杂由氮、氧、氟中的至少一者构成的化合物。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，更包括：在该阻障层上形成P型III
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V族化合物层；其中该钝化处理执行于该P型III
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V族化合物层形成之前、该P型III
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V族化合物层形成之后、或该P型III
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V族化合物层形成之前与之后。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，更包括：在该P型III
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V族化合物层上形成介电层；其中该钝化处理执行于该介电层形成之前、该介电层形成之后、或该介电层形成之前与之后。4.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，更包括：在该P型III
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V族化合物层上形成栅极；其中该钝化处理执行于该栅极形成之前、该栅极形成之后、或该栅极形成之前与之后。5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，更包括：在该阻障层上形成栅极；其中该钝化处理执行于该栅极形成之前、该栅极形成之后、或该栅极形成之前与之后。6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，更包括：在该阻障层上形成介电层；其中该钝化处理执行于该介电层形成之前、该介电层形成之后、或该介电层形成之前与之后。7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，更包括：在该介电层上形成栅极；其中该钝化处理执行于该栅极形成之前、该栅极形成之后、或该栅极形成之前与之后。8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，更包括：在该阻障层上形成第一绝缘层；在该通道层、该阻障层与该第一绝缘层上形成源极/漏极金属；在该第一绝缘层与该源极/漏极金属上形成第二绝缘层；在该阻障层与该第二绝缘层上形成P型III
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V族化合物层；及在该P型III
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V族化合物层上形成栅极金属；其中该钝化处理执行于该源极/漏极金属形成之前、该源极/漏极金属形成之后、或该源极/漏极金属形成之前与之后；其中该钝化处理执行于该第二绝缘层形成之前、该第二绝缘层形成之后、或该第二绝缘层形成之前与之后。9.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，更包括：在该阻障层与该栅极上形成绝缘层；及
在该通道层上形成源极/漏极金属；其中该钝化处理执行于该源极/漏极金属形成之前、该源极/漏极金属形成之后、或该源极/漏极金属形成之前与之后；其中该钝化处理执行于该绝缘层形成之前、该绝缘层形成之后、或...

【专利技术属性】
技术研发人员：李纯怀，陈纪文，
申请(专利权)人：奈盾科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：