IGBT元胞结构、芯片及车辆制造技术

本发明专利技术提出一种IGBT元胞结构、芯片和车辆，包括：多个元胞子结构；至少一个P+柱，相邻两个元胞子结构通过P+柱连接；N

【技术实现步骤摘要】
IGBT元胞结构、芯片及车辆


[0001]本专利技术涉及芯片
，尤其是涉及一种IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)元胞结构、芯片及车辆。

技术介绍

[0002]目前，IGBT器件内部存在寄生的晶闸管结构，在IGBT器件工作过程中，晶闸管一旦开启，IGBT器件的栅极就会失去对电流的控制，使器件处于闩锁状态。
[0003]IGBT器件发生闩锁是由于流过源极下方的空穴电流过大，导致源极区和基区的PN结正偏导致的，在源极区和基区的PN结正偏后，源极会向基区注入电子，基区会向源极区注入空穴，从而使得栅极失去对电流的控制，使得器件发生闩锁效应且常见的IGBT器件难以在提高IGBT的抗闩锁能力的同时，达到降低饱和压降、改善电流拖尾状况以减小关断损耗的目的。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
[0005]为此，本专利技术的一个目的在于提出一种IGBT元胞结构，该结构通过在N
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漂移区顶部设置载流子存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT元胞结构，其特征在于，包括：多个元胞子结构，每个所述元胞子结构包括多个P型阱区和至少一个栅槽，相邻两个所述P型阱区通过所述栅槽连接；至少一个P+柱，相邻两个所述元胞子结构通过所述P+柱连接；N
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漂移区和金属发射极，每个所述元胞子结构的每个所述P型阱区设置在所述N
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漂移区和所述金属发射极之间，所述P+柱的一端与所述金属发射极连通且另一端与所述N
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漂移区连通；N型缓冲层，所述N型缓冲层设置在所述N
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漂移区底部；P型集电区，所述P型集电区设置在所述N型缓冲层底部；多个载流子存储层，多个所述载流子存储层与多个所述P型阱区一一对应，每个所述载流子存储层位于对应的所述P型阱区与所述N
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漂移区之间。2.根据权利要求1所述的IGBT元胞结构，其特征在于，还包括：P埋层，所述P埋层设置在所述栅槽底部，且所述P埋层包裹所述栅槽底部以分隔所述栅槽和所述N
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漂移区。3.根据权利要求1所述的IGBT元胞结构，其特征在于，每个元胞子结构还包括：浮P型阱区，所述栅槽为多个，多个所述栅槽包括第一栅槽和第二栅槽、多个所述P型阱区包括第一P型阱区和第二P型阱区，所述浮P型阱区设置在所述第一栅槽和所述第二栅槽之间，所述第一栅槽位于所述第一P型阱区和所述浮P型阱区之间，所述第二栅槽位于所述第二P型阱区和所述浮P型阱区之间，且所述第一P型阱区与所述P+...

【专利技术属性】
技术研发人员：王慧慧，黄宝伟，
申请(专利权)人：比亚迪半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：