【技术实现步骤摘要】
驱动电源电路和变流器
[0001]本技术涉及电子电力
,具体而言,涉及一种驱动电源电路和变流器。
技术介绍
[0002]目前,对于中高压变流器中的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)的驱动电源,通常通过高压直流母线进行DC/DC(Direct Current,直流)变换来输出IGBT驱动所需的电源。
[0003]在上述方案中,通常需要使用高压开关器件或者使用多个电压开关器件串联的方式,来实现通过高压直流母线进行DC/DC变换输出IGBT驱动所需的电源的目的。然而,高压开关器件的成本较高,高压DC转换电路的设计也较为复杂,增加了电路的设计成本以及设计难度,并且,高压开关容易引起较高的dv/dt即电压变化率,进一步增加了系统电路EMC(Electro Magnetic Compatibility,电磁兼容)设计的难度。
技术实现思路
[0004]本技术旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
[0005]为此,本技术的第一 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种驱动电源电路,其特征在于,包括:第一变压电路,可与外部电源连接,用于对所述外部电源的输出电压进行第一隔离变压处理;第二变压电路,与所述第一变压电路连接,用于对所述第一变压电路的输出电压进行变压处理;第三变压电路,与所述第二变压电路连接,并可与外部开关晶体管连接,用于对所述第二变压电路的输出电压进行第二隔离变压处理,并向所述开关晶体管提供驱动电压。2.根据权利要求1所述的驱动电源电路,其特征在于,所述第一变压电路包括:第一拓扑电路,可与所述外部电源连接;第一隔离变压器,与所述第一拓扑电路连接;第一整流电路,与所述第一隔离变压器和所述第二变压电路连接。3.根据权利要求1所述的驱动电源电路,其特征在于,所述第二变压电路包括:斩波电路,与所述第一变压电路和所述第三变压电路连接。4.根据权利要求3所述的驱动电源电路,其特征在于,所述第二变压电路还包括:反馈电路,与所述斩波电路的两端分别连接。5.根据权利要求1至4中任一项所述的驱动电源电路,其特征在于,所述第三变压电路包括:第二拓扑电路,与所述第二变压电路连接;至少一个变压整流电路,每个所述变压整流电路与所述第二拓扑电路连接,且每个所述变压整流电路可与所述开关晶体管连接。6.根据权利要求5所述的驱动电源电路,其特征在于,每个所述变压整流电路包括:第二隔离变压器,与所述第二拓扑电路连接;第二整流电路,与所述第二隔离变压器连接,并可与所述开关晶体管连接。7.根据权利要求2所述的驱动电源电路,其特征在于,所述第一拓扑电路包括:具有第一寄生二极管的第一场效应管;具有第二寄生二极管的第二场效应管,所述第二场效应管的源极和所述第一场效应管的漏极均可与所述外部电源连接,所述第二场效应管的漏极和所述第一场效应管的源极均与所述第一隔离变压器连接;第一电容,所述第一电容的第一端与所述第一隔离变压器连接,所述第一电容的第二端与所述第一场效应管的漏极连接;第二电容,所述第二电容的第一端与所述第一电容的第一端连接,所述第二电容的第二端与所述第二场效应管的源极连接;所述第一整流电路包括:第三电容,所述第三电容的两端可与所述开关晶体管连接;第一二极管,所述第一二极管的阳极与所述第一隔离变压器连接;第二二极管,所述第二二极管的阴极与所述第一隔离变压器...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱屹,江平,吴俊辰,胡敏,董文鹏,
申请(专利权)人:美的威灵电机技术上海有限公司,
类型:新型
国别省市:
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