双重移相控制方法、存储介质、双向DCDC控制器及变换器技术

本发明专利技术公开了一种双重移相控制方法、存储介质、双向DCDC控制器及变换器。其中，方法包括：获取双向DCDC变换电路的实际输出电压和目标输出电压；根据实际输出电压和目标输出电压获取内移相占空比，内移相占空比用于指示高压超前侧的桥间移相占空比；获取预先确定的外移相占空比，外移相占空比用于指示高压超前侧与低压滞后侧之间的桥间移相占空比；根据内移相占空比和外移相占空比对双向DCDC变换电路进行控制。该方法可以使得变换电路具有较小的电流应力，可以实现软开关特性，降低开关损耗，同时需要采集的信号少，运算量小，可以满足实时性要求，且具有较高的控制精度，同时无需涉及移相电感、开关频率等参数，对参数的依赖性小，鲁棒性高。鲁棒性高。鲁棒性高。

【技术实现步骤摘要】
双重移相控制方法、存储介质、双向DCDC控制器及变换器


[0001]本专利技术涉及电池储能
，尤其涉及一种双向DCDC变换电路的双重移相控制方法、一种计算机可读存储介质、一种双向DCDC控制器和一种双向DCDC变换器。

技术介绍

[0002]储能装置一般由蓄电池组成，与储能装置相连的双向DCDC变换器则起到电压变换和对电池进行管理和保护的功能，同时可实现能量双向流动。双向DCDC变换器具有功率密度高、动态响应快、容易实现软开关、功率能双向流动、体积小、效率高、成本低、结构简洁等特点，可以通过对双向DCDC变换器中开关管的开通和关断进行合理有效控制，进而对其输出电压、电流、功率的传输进行控制。而不同的储能装置具有不同的电压等级，且电池电压随着电量的变化而发生变化，这需要双向DCDC变换器具备较宽的电压范围和电气隔离，因此，移相控制策略被越来越广泛的应用于双向DCDC变换器的控制。
[0003]但是，传统的移相控制由于采用的是理想状态下的数学模型，对参数依赖性比较大，且求解过程存在误差，最优解表达式也比较复杂，实时性和鲁棒性比较差，无本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双向DCDC变换电路的双重移相控制方法，其特征在于，所述双向DCDC变换电路包括高压超前侧和低压滞后侧，所述方法包括：获取所述双向DCDC变换电路的实际输出电压和目标输出电压；根据所述实际输出电压和所述目标输出电压获取内移相占空比，所述内移相占空比用于指示所述高压超前侧的桥间移相占空比；获取预先确定的外移相占空比，所述外移相占空比用于指示所述高压超前侧与所述低压滞后侧之间的桥间移相占空比；根据所述内移相占空比和所述外移相占空比对所述双向DCDC变换电路进行控制。2.根据权利要求1所述的双向DCDC变换电路的双重移相控制方法，其特征在于，所述根据所述实际输出电压和所述目标输出电压获取内移相占空比，包括：获取所述目标输出电压与所述实际输出电压之间的电压差值；对所述电压差值进行PI调节得到所述内移相占空比。3.根据权利要求2所述的双向DCDC变换电路的双重移相控制方法，其特征在于，所述对所述电压差值进行PI调节得到所述内移相占空比，包括：获取上一控制时刻的内移相占空比；若所述上一控制时刻的内移相占空比大于上限值，则对负的电压差值进行PI调节得到当前控制时刻的内移相占空比；若所述上一控制时刻的内移相占空比小于下限值，则对正的电压差值进行PI调节得到当前控制时刻的内移相占空比。4.根据权利要求1所述的双向DCDC变换电路的双重移相控制方法，其特征在于，所述预先确定的外移相占空比为所述双向DCDC变换电路的传输功率达到最大时的外移相占空比。5.根据权利要求1所述的双向DCDC变换电路的双重移相控制方法，其特征在于，所述预先确定的外移相占空比的取值范围为0.3～0.5。6.根据权利要求1
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5中任一项所述的双向DCDC变换电路的双重移相控制方法，其特征在于，所述方法还包括：根据所述内移相占空比对所述预先确定的外移相占空比进行修正。7.根据权利要求6所述的双向DCDC变换电路的双重移相控制方法，其特征在于，所述根据所述内移相占空比对所述预先确定的外移相占空比进行修正，包括：获取所述内移相占空比与所述预先确定的外移相占空比之间的占空比差值；对所述占空比差值...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹韶文，尹雪芹，尹继波，罗峰，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：