一种用于化学机械研磨后的清洗方法及清洗设备技术

本发明专利技术公开了一种用于化学机械研磨后的清洗方法及清洗设备，所述清洗方法包括以下步骤：提供经化学机械研磨后的半导体基片；将半导体基片置于超临界状态下的气体氛围中，半导体基片上的污染物溶解于超临界状态下的气体中，对超临界状态下的气体进行减压，使气体与污染物分离。本发明专利技术通过采用超临界状态下的气体对半导体基片进行清洗，能够有效清除半导体基片上的污染物，改善清洗效果，尤其对于去除半导体基片的凹陷中的颗粒和污染物具有优异的清洗效果。的清洗效果。的清洗效果。

【技术实现步骤摘要】
一种用于化学机械研磨后的清洗方法及清洗设备


[0001]本专利技术涉及化学机械研磨
，具体涉及一种用于化学机械研磨后的清洗方法及清洗设备。

技术介绍

[0002]化学机械研磨(chemical mechanical polishing或CMP)也称为化学机械平坦化，是一种表面全局平坦化技术，它是通过在研磨垫上添加研磨液(slurry)来对研磨件(例如硅晶圆等半导体基片)进行化学机械研磨，在抛光过程中，研磨液中的磨料颗粒和各种化学成分在晶圆表面，通过化学反应和机械作用达到平坦化的效果。但是，抛光后的晶圆表面不可避免会存留大量污染，如颗粒、有机残留、金属污染物和不可清除的缺陷(如划痕和腐蚀)等。因此，需要对研磨后的半导体基片进行化学机械研磨后(Post CMP)的清洗，以去除抛光工艺中带来的所有污染物，并保证不产生其他额外的缺陷。
[0003]随着半导体制程的发展，对于化学机械研磨后(Post CMP)的清洗要求也不断提高。在现有技术中，化学机械研磨后(Post CMP)的清洗方法一般采用水基清洗方法，但是现有的水基清洗方法存在以下局本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于化学机械研磨后的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：提供经化学机械研磨后的半导体基片；将所述半导体基片置于超临界状态下的气体氛围中，所述半导体基片上的污染物溶解于超临界状态下的气体；对超临界状态下的气体进行减压，使气体与污染物分离。2.根据权利要求1所述用于化学机械研磨后的清洗方法，其特征在于，将所述半导体基片置于超临界状态下的气体氛围之前，还包括：对所述半导体基片进行机械清洗；将清洗后的所述半导体基片进行干燥。3.根据权利要求1所述用于化学机械研磨后的清洗方法，其特征在于，将所述半导体基片置于超临界状态下的气体氛围时，还包括：在所述超临界状态下的气体中通入辅助气体，所述辅助气体的压力大于所述超临界状态下的气体的压力。4.根据权利要求3所述用于化学机械研磨后的清洗方法，其特征在于，所述辅助气体不溶于所述超临界状态中。5.根据权利要求3所述用于化学机械研磨后的清洗方法，其特征在于，所述辅助气体为N2。6.根据权利要求1所述用于化学机械研磨后的清洗方法，其特征在于，所述超临界状态下的气体选自CO2、N2或O2中的一种。7.根据权利要求2所述用于化学机械研磨后的清洗方法，其特征在于，所述机械清洗包括超声波清洗、滚刷清洗、喷流清洗或铅笔刷清洗中的一种或多种。8.根据权利要求2所述用于化学机械研磨后的清洗方法，其特征在于，将机械清洗后的所述半导体基片进行干燥，包括：对机械清洗后的半导体基片进...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑雯，徐传鑫，胡朋月，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：