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本发明公开了一种用于化学机械研磨后的清洗方法及清洗设备，所述清洗方法包括以下步骤：提供经化学机械研磨后的半导体基片；将半导体基片置于超临界状态下的气体氛围中，半导体基片上的污染物溶解于超临界状态下的气体中，对超临界状态下的气体进行减压，使气...
该专利属于芯恩（青岛）集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩（青岛）集成电路有限公司授权不得商用。

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