半导体的清洁方法技术

本发明专利技术涉及半导体表面处理技术领域，公开了一种半导体的清洁方法，包括：将半导体放置在真空室内的预设位置；对所述真空室进行抽真空处理；在真空状态下，根据预设的第一工艺参数，控制脉冲激光器对所述半导体的表面进行激光扫描处理，得到一次处理后的半导体；在真空状态下，根据预设的第二工艺参数，控制所述脉冲激光器对所述一次处理后的半导体的表面进行激光扫描处理，得到清洁后的半导体；其中，所述第二工艺参数中的至少一项参数与所述第一工艺参数不同。采用本发明专利技术实施例，能够有效清洁半导体表面的杂质，从而有效提高半导体的良率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
半导体的清洁方法


[0001]本专利技术涉及半导体表面处理
，特别是涉及一种半导体的清洁方法。

技术介绍

[0002]在半导体的制造过程中，在对半导体刻蚀后会形成多余的物质，这类物质通常作为杂质存在，主要成分是氮化物，其附着在半导体表面无法去除，破坏了半导体光滑的表面，影响半导体散热等多方面性能，造成不良率上升。目前，去除这些残余物的方式通常是利用酸、碱和强氧化剂的液态混和液对半导体进行溶液清洗，然而现有方法并不能有效的完全去除这些氮化物等杂质，同时对半导体的材质造成伤害。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的目的是提供一种半导体的清洁方法，能够有效清洁半导体表面的杂质，从而有效提高半导体的良率。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种半导体的清洁方法，包括：
[0005]将半导体放置在真空室内的预设位置；
[0006]对所述真空室进行抽真空处理；
[0007]在真空状态下，根据预设的第一工艺参数，控制脉冲激光器对所述半导体的表面进行激光扫描处理，得到一次处理后的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体的清洁方法，其特征在于，包括：将半导体放置在真空室内的预设位置；对所述真空室进行抽真空处理；在真空状态下，根据预设的第一工艺参数，控制脉冲激光器对所述半导体的表面进行激光扫描处理，得到一次处理后的半导体；在真空状态下，根据预设的第二工艺参数，控制所述脉冲激光器对所述一次处理后的半导体的表面进行激光扫描处理，得到清洁后的半导体；其中，所述第二工艺参数中的至少一项参数与所述第一工艺参数不同。2.如权利要求1所述的半导体的清洁方法，其特征在于，所述预设位置为所述脉冲激光器的激光焦平面位置。3.如权利要求1所述的半导体的清洁方法，其特征在于，所述第一工艺参数和所述第二工艺参数包括以下参数中的至少一种：脉冲波长、脉冲频率、脉冲平均功率、扫描速度和持续时间。4.如权利要求3所述的半导体的清洁方法，其特征在于，所述第一工艺参数包括：脉冲波长为1000
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1150nm，脉冲频率为200
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220KHz，脉冲平均功...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯明章，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：