一种NVDIMM升级方法、装置、电子设备以及计算机存储介质制造方法及图纸

技术编号:36730090 阅读:24 留言:0更新日期:2023-03-04 09:56
本发明专利技术提供一种NVDIMM升级方法、装置、电子设备以及存储介质,该方法接收升级指令,所述升级指令至少携带指示信息和地址信息,所述指示信息包括指示对非易失性双列直插式内存模块NVDIMM进行升级的信息,所述地址信息包括存储数据包的地址的信息;基于所述升级指令从第一存储器中获取数据包,所述第一存储器为所述NVDIMM中的易失性存储器;利用所述数据包进行升级。本申请的方法,预先将用于升级的数据包存储在第一存储器中,在进行升级时,直接获取,能够提高升级速度。能够提高升级速度。能够提高升级速度。

【技术实现步骤摘要】
一种NVDIMM升级方法、装置、电子设备以及计算机存储介质


[0001]本专利技术涉及计算机服务器
,特别是涉及一种NVDIMM升级方法、装置、电子设备以及计算机存储介质。

技术介绍

[0002]NVDIMM(non

volatile dual in

line memory module,非易失性双列直插式内存模块)主要应用于服务器上,在形态上和普通的内存条一样。具体请参见图1,现有技术对NVDIMM在线升级时,首先NVDIMM通过SMBUS(DSM)接口获取升级指令和数据包,即控制数据和升级的固件数据,都是通过SMBUS发送到NVDIMM,接着,由NVDIMM上的控制器完成升级,即将升级的固件数据对NVDIMM中的非易失性存储器上的固件数据进行替换。
[0003]但是,非易失性存储器对应的数据接收接口最高频率只有100KHZ,当升级包稍大时,升级过程会非常缓慢。
[0004]因此,现有技术有待改进。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种NVDIMM升级方法、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种NVDIMM升级方法,其特征在于,包括:接收升级指令,所述升级指令至少携带指示信息和地址信息,所述指示信息包括指示对非易失性双列直插式内存模块NVDIMM进行升级的信息,所述地址信息包括存储数据包的地址的信息;基于所述升级指令从第一存储器中获取数据包,所述第一存储器为所述NVDIMM中的易失性存储器;利用所述数据包进行升级。2.根据权利要求1所述的升级方法,其特征在于,所述接收升级指令的步骤之前,还包括:利用第一存储器接口接收所述数据包,将所述数据包存储至所述第一存储器中;将存储参数发送给第一设备,所述存储参数至少包括存储所述数据包的地址信息,所述第一设备包括发送所述升级指令的设备。3.根据权利要求2所述的升级方法,其特征在于,所述接收升级指令之前,还包括:对所述第一存储器进行划分,获得预留区域,所述预留区域包括用于存储所述数据包的区域。4.根据权利要求1所述的升级方法,其特征在于,所述基于所述升级指令从第一存储器中获取数据包的步骤,还包括:关闭所述第一存储器与外界设备的连接,所述外界设备包括与NVDIMM连接的设备。5.根据权利要求1所述的升级方法,其特征在于,所述接收升级指令的步骤,包括:通过第一存储器接口接收所述升级指令;或者通过SMBUS接口接收所述升级指令。6.一种NVDIMM升级装置,其特征在于,包括:接收模块,用于接收升级指令,所述升级指令至少携带指示信息和地址信息,所述指示信息包括指示对非易失性双列直插式内存模块NVDIMM进行升级的信息,所述地址信息包括存储数据包的地址的信息;获取模块,用于基于所述升级指令从第一存储器中获取数据包,所述第一存储器为所述NVDIMM中的易失性存储器;升级模块,用于利用所述数据包进行升级。7.一种NVDIMM升级方法,其特征在于,包括:发送升级指令,以使得NVDIMM从第一存储器中获取数据包,并基于数据包进行...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐鑫
申请(专利权)人:西安紫光国芯半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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