一种高精度电压修调电路和电流修调电路制造技术

一种高精度电压修调电路，其特征在于：所述电路包括电流源、基础电阻、多个修调支路和偏差判断单元；其中，所述电流源、所述基础电阻和所述多个修调支路中的修调电阻首尾连接，基于所述电流源生成的稳定电流实现多个修调电阻的分压和参考电压的生成；所述多个修调支路，与偏差判断单元连接，接收来自所述偏差判断单元输出的多个修调比特信息，实现对修调电阻的修调；所述偏差判断单元，分别与所述基础电阻、多个修调支路连接，基于对所述参考电压的测量生成多个修调比特信息，并向每一个所述修调支路中输入一个修调比特信息。本发明专利技术电路结构简单、调制效果好，在不额外增加修调支路的情况下，实现了对于正反两个方向的电压的修调。调。调。

【技术实现步骤摘要】
一种高精度电压修调电路和电流修调电路


[0001]本专利技术涉及集成电路领域，更具体地，涉及一种高精度电压修调电路和电流修调电路。

技术介绍

[0002]目前，由于芯片制造工艺的限制，对于大多数高精度芯片来说，当芯片制成出厂之前，通常会对芯片的输出参数进行测量，并基于输出参数与设计参数之间的偏差对芯片进行一定程度上的修调，以使得出厂芯片具有足够高的输出精确度。
[0003]现有技术中，常常采用修调电阻或热熔丝等方式对芯片的性能实现修调。具体来说，修调的方式千差万别，但大多都是基于对多个并联或串联的修调电阻的短路和接入，实现整体电阻值的改变，并据此改变修调电路中输出的电压或电流值，以实现对于芯片输出参数的修调。
[0004]然而，现有技术中所采用的修调方式中为了提高修调的精度，通常需要采用更多数量、更大面积的电阻，这不仅增加了芯片的面积，也增加了芯片的制造难度和制造成本。另外，通常来说，芯片中的预留修调位为4或8比特之间，然而，现有技术中的修调方法，通常只能够采用3比特左右的信息，未必能够充分利用修调位中的所有数据，对芯片实现最高精度的修调。
[0005]因此，亟需一种新的高精度的修调电路。

技术实现思路

[0006]为解决现有技术中存在的不足，本专利技术的目的在于，提供一种新的高精度电压和电流修调电路，采用反相器、MOS管来组成一个修调支路并根据一个修调位信息实现对于电阻阻值或电流源电流值的修调，从而对于电路高精度修调。
[0007]本专利技术采用如下的技术方案。/>[0008]本专利技术第一方面，涉及一种高精度电压修调电路，其中，电路包括电流源、基础电阻、多个修调支路和偏差判断单元；电流源、基础电阻和多个修调支路中的修调电阻首尾连接，基于电流源生成的稳定电流实现多个修调电阻的分压和参考电压的生成；多个修调支路，与偏差判断单元连接，接收来自偏差判断单元输出的多个修调比特信息，实现对修调电阻的修调；偏差判断单元，分别与基础电阻、多个修调支路连接，基于对参考电压的测量生成多个修调比特信息，并向每一个修调支路中输入一个修调比特信息。
[0009]优选地，修调支路包括反向单元、MOS管和修调电阻；反向单元的输入端与多个修调比特信息中的一个连接，输出端与MOS管的栅极连接；MOS管的漏极与修调电阻的高压端连接，MOS管的源极与修调电阻的低压端连接。
[0010]优选地，修调支路中多个修调电阻首尾相连，且多个MOS管的源漏极相互连接；其中，第一修调支路中修调电阻的低压端接地，最末修调支路中修调电阻的高压端与基础电阻的一端连接。
[0011]优选地，基础电阻的另一端与电流源连接，并作为参考电压的输出端。
[0012]本专利技术第二方面，涉及一种高精度电流修调电路，其中，电路包括基础电流源、多个修调支路和偏差判断单元；基础电流源，分别与多个修调支路并联，用于生成并输出参考电流；多个修调支路，与偏差判断单元连接，接收来自偏差判断单元输出的多个修调比特信息，实现对修调电流源的修调；偏差判断单元，分别与基础电流源和多个修调支路连接，用于基于对参考电流的测量生成多个修调比特信息，并向每一个修调支路中输入一个修调比特信息。
[0013]优选地，修调支路包括反向单元、MOS管和修调电流源；其中，反向单元的输入端与修调比特信息中的一个连接，输出端与MOS管的栅极连接；MOS管的漏极与参考电流的输出端连接，源极与修调电流源连接；修调电流源与所述基础电流源成比例镜像关系。
[0014]根据本专利技术第一方面中一种高精度电压修调电路或本专利技术第二方面中一种高精度电流修调电路，其中，反向单元为一个反相器或两个级联的反相器；反相器的PMOS管源极均与调节电压V
reg
连接，NMOS管源极均接地。
[0015]优选地，第一修调支路的反向单元中反相器的数量与其他修调支路中反相器的数量不同。
[0016]优选地，第一修调支路的反向单元中反相器的数量为2，其他修调支路中反相器的数量为1。
[0017]优选地，最末修调支路中修调电阻的阻值或修调电流源的电流值最小，第一修调支路中修调电阻的阻值或修调电流源的电流值最大；从第一修调支路到最末修调支路，其中修调电阻的阻值或修调电流源的电流值依次减小；并且，相邻两个修调支路中修调电阻的阻值或修调电流源的电流值之比为2。
[0018]优选地，最末修调支路的修调电阻的阻值或修调电流源的电流值占初始电阻阻值或初始电流源的电流值的比例为2a％；基础电阻阻值或基础电流源的电流值占初始电阻阻值或初始电流源的电流值的比例为1
‑
(2
n
‑
2)
·
a％；其中，初始电阻阻值为基础电阻与除去第一修调支路，其他修调支路中电阻阻值之和，初始电流源的电流值为基础电流源的电流值与除去第一修调支路，其他修调支路中修调电流源的电流值之和，a％为电路的修调精度，n为电路中修调支路的数量。
[0019]优选地，电路的修调范围为(
‑2n
·
a％，+2
n
·
a％)。
[0020]本专利技术的有益效果在于，与现有技术相比，本专利技术中一种高精度电压和电流修调电路，采用反相器、MOS管来组成一个修调支路并根据一个修调位信息实现对于电阻阻值或电流源电流值的修调，同时高效利用修调比特位数，，以实现对于电路的高精度修调。本专利技术电路结构简单、调制效果好，替代了采用多个电阻所导致的芯片面积大等问题，同时采用多个反相器级联的方式，在不额外增加修调支路的情况下，实现了对于正反两个方向的电压和电流参数的修调。
[0021]本专利技术的有益效果还包括：
[0022]1、本专利技术可以根据所需的修调精度较为简便的调整修调支路的数量，从而实现对于不同修调精度的修调。
[0023]2、本专利技术方法中，通过反相器实现修调信息的输入，可以排除修调信息因为数据传输所造成的误码、干扰等问题，导致修调结果不够准确。因此，采用本专利技术中的方法，能够
准确的使得MOS管接收到修调比特信息的控制，从而对响应的修调电阻实现短路和接入。
[0024]3、由于多数芯片中，用来承载修调比特信息的电压值都是采用电源电压生成的，因此噪声较大，如果直接接入到MOS管的栅极，则可能会对MOS管的源漏极导通电流的大小造成影响，从而使得参考电压在原始输出时就不具备准确性。为了使得修调的过程具有充分的意义，本专利技术中反相器均采用稳定的调节电压实现驱动，从而屏蔽了修调比特信息的干扰，提高了电路性能。
[0025]4、本专利技术中的修调支路既能够通过修调电阻串联的方式实现对于参考电压的修调，也能够通过修调电流源并联的方式实现对于参考电流的修调。因此，本专利技术方法应用范围较为广泛。
附图说明
[0026]图1为本专利技术中一种高精度修调电路的结构示意图；
[0027]图2为本专利技术中一种高精度修调电路的结构示意图。
具体实施方式
[0028]下面结合附图对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高精度电压修调电路，其特征在于：所述电路包括电流源、基础电阻、多个修调支路和偏差判断单元；其中，所述电流源、所述基础电阻和所述多个修调支路中的修调电阻首尾连接，基于所述电流源生成的稳定电流实现多个修调电阻的分压和参考电压的生成；所述多个修调支路，与偏差判断单元连接，接收来自所述偏差判断单元输出的多个修调比特信息，实现对修调电阻的修调；所述偏差判断单元，分别与所述基础电阻、多个修调支路连接，基于对所述参考电压的测量生成多个修调比特信息，并向每一个所述修调支路中输入一个修调比特信息。2.根据权利要求1中所述的一种高精度电压修调电路，其特征在于：所述修调支路包括反向单元、MOS管和修调电阻；其中，所述反向单元的输入端与所述多个修调比特信息中的一个连接，输出端与所述MOS管的栅极连接；所述MOS管的漏极与所述修调电阻的高压端连接，所述MOS管的源极与所述修调电阻的低压端连接。3.根据权利要求2中所述的一种高精度电压修调电路，其特征在于：所述修调支路中多个修调电阻首尾相连，且多个MOS管的源漏极相互连接；其中，第一修调支路中修调电阻的低压端接地，最末修调支路中修调电阻的高压端与所述基础电阻的一端连接。4.根据权利要求3中所述的一种高精度电压修调电路，其特征在于：所述基础电阻的另一端与电流源连接，并作为所述参考电压的输出端。5.一种高精度电流修调电路，其特征在于：所述电路包括基础电流源、多个修调支路和偏差判断单元；其中，所述基础电流源，分别与所述多个修调支路并联，用于生成并输出参考电流；所述多个修调支路，与所述偏差判断单元连接，接收来自所述偏差判断单元输出的多个修调比特信息，实现对修调电流源的修调；所述偏差判断单元，分别与所述基础电流源和多个修调支路连接，用于基于对所述参考电流的测量生成多个修调比特信息，并向每一个所述修调支路中输入一个修调比特信息。6.根据权利要求5中所述的一种高精度电流修调电路，其特征在于：所述修调支路包括反向单元、MOS管和修调电流源；其中，所述反向单元的输入端与所述修调比特信息中的一个连接，输出端与所述MOS管的栅极连接；所述MOS管的漏极与所述参考电流的输出端连接，源极与修调电流源...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹臣，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：