一种太阳能电池及其制作方法技术

本申请涉及光伏领域，公开了一种太阳能电池及其制作方法，包括获得太阳能电池的预制结构体，预制结构体包括硅片、位于硅片正面的第一掺杂层和第一氧化介质层；在硅片背面形成掺杂多晶硅；对背面进行掺杂形成第二掺杂层，并在背面、侧面和正面形成第二氧化介质层，以及在正面形成掺杂氧化介质层；去除位于侧面和正面的第二氧化介质层，并保留位于正面的掺杂氧化介质层；去除位于侧面和正面绕度的掺杂多晶硅，并保留位于正面的掺杂氧化介质层和位于背面的第二氧化介质层；去除位于正面的第一氧化介质层和掺杂氧化介质层，以及位于背面的第二氧化介质层；在正面和背面形成钝化层和电极。本申请只在背面制作一次掺杂多晶硅，使制作成本明显降低。本明显降低。本明显降低。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及其制作方法


[0001]本申请涉及光伏领域，特别是涉及一种太阳能电池及其制作方法。

技术介绍

[0002]目前，TOPCon(Tunnel Oxide Passivation Contact，隧穿氧化钝化接触)电池、TBC(Tunneling oxide passivated Back Contact，背结背接触)电池在制作过程中，背面的多晶硅主要通过LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，低压化学蒸发沉积)方式进行制备。LPCVD沉积方式的均匀性、致密性均较好，但是存在严重的正面绕度问题。目前利用LPCVD沉积方式在硅片的正面和背面均制作多晶硅，由于正面不需要多晶硅，在正面刻蚀时将正面的多晶硅洗掉，导致生产成本极大地增加。
[0003]因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。

技术实现思路

[0004]本申请的目的是提供一种太阳能电池及其制作方法，以降低制作成本，同时保证太阳能电池的品质。
[0005]为解决上述技术问题，本申请提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池制作方法，其特征在于，包括：获得太阳能电池的预制结构体，所述预制结构体包括硅片、位于所述硅片正面的第一掺杂层和第一氧化介质层；在所述硅片的背面形成掺杂多晶硅；对所述硅片的背面进行掺杂形成第二掺杂层，并在所述硅片的背面、侧面和正面形成第二氧化介质层，以及在所述硅片的正面形成掺杂氧化介质层；去除位于所述硅片侧面和正面的第二氧化介质层，并保留位于所述硅片正面的掺杂氧化介质层；去除位于所述硅片侧面和正面绕度的所述掺杂多晶硅，并保留位于所述硅片正面的掺杂氧化介质层和位于所述硅片背面的第二氧化介质层；去除位于所述硅片正面的第一氧化介质层和掺杂氧化介质层，以及位于所述硅片背面的第二氧化介质层；在所述硅片的正面和背面形成钝化层和电极，得到太阳能电池。2.如权利要求1所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，去除位于所述硅片侧面和正面的第二氧化介质层，并保留位于所述硅片正面的掺杂氧化介质层包括：利用氢氟酸溶液去除位于所述硅片侧面和正面的第二氧化介质层，并保留位于所述硅片正面的掺杂氧化介质层；其中，所述氢氟酸溶液的质量浓度为20％～60％，体积比为4％～20％，反应时间15～30s。3.如权利要求1所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，去除位于所述硅片侧面和正面的第二氧化介质层，并保留位于所述硅片正面的掺杂氧化介质层包括：利用含有第一添加剂的酸溶液去除位于所述硅片侧面和正面的第二氧化介质层，并保留位于所述硅片正面的掺杂氧化介质层；其中，所述第一添加剂用于保护位于所述硅片正面的掺杂氧化介质层。4.如权利要求1所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，去除位于所述硅片侧面和正面绕度的所述掺杂多晶硅，并保留位于所述硅片正面的掺杂氧化介质层和位于所述硅片背面的第二氧化介质层包括：利用含有第二添加剂的碱性溶液，去除位于所述硅片侧面和正面绕度的所述掺杂多晶硅，并保留位于所述硅片正面的掺杂氧化介质层和位于所述硅片背面的第二氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：范洵，付少剑，郁寅珑，张明明，
申请(专利权)人：滁州捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：