一种高速响应全透明柔性紫外光电探测器的制备方法技术

本申请公开了一种高速响应全透明柔性紫外光电探测器的制备方法，涉及光电探测技术领域。包括以下步骤：利用射频磁控溅射沉积法将ZnO光敏薄膜或InGaZnO光敏薄膜、透明导电电极薄膜依次沉积到高透明柔性PI衬底上，构建了全透明柔性紫外光电探测器。ZnO光敏薄膜的生长参数为：柔性透明PI衬底的加热温度为150

【技术实现步骤摘要】
一种高速响应全透明柔性紫外光电探测器的制备方法


[0001]本申请涉及光电探测
，尤其涉及一种高速响应全透明柔性紫外光电探测器的制备方法。

技术介绍

[0002]紫外光电探测器是利用光电效应，探测器中具有光电转换效应的半导体材料吸收在紫外光波段范围内的光信号并将其转化为电信号，从而实现对微弱光信号的灵敏探测。在通信、传感监测、生物医疗及等军用导弹预警等领域具有重要的经济和社会价值。目前广泛应用的紫外光电探测器主要为构建在刚性衬底上的基于氧化锌(ZnO)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化镓(Ga2O3)等具有直接带隙和宽禁带的半导体探测器。现有的制备紫外光电探测器的方法存在以下缺点：
[0003](1)将整个光电探测器件建立在刚性衬底之上，无法实现可携带、附和各种曲面的器件功能，并且采用金属薄膜作为光电流导出电极，无法实现全结构透明的紫外光电探测器件，虽然金属电极具有高导电特性，但大部分金属材料在可见光波长范围内透过率极低，从而无法实现在智能可透视显示技术中的应用。
[0004](2)制备过程复杂，不适合在柔性衬底上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高速响应全透明柔性紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：利用射频磁控溅射沉积法在柔性透明PI衬底上生长ZnO光敏薄膜或InGaZnO光敏薄膜；所述ZnO光敏薄膜的生长参数为：柔性透明PI衬底的加热温度为150
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240℃，溅射功率为110
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130W，氩气流量为15
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24sccm；所述InGaZnO光敏薄膜的生长参数为：溅射功率为110
‑
130W，氩气流量为15
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24sccm，氧气流量为2
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5sccm；步骤2：将叉指电极掩模版紧贴在所述ZnO光敏薄膜或InGaZnO光敏薄膜上；利用射频磁控溅射沉积法在被叉指电极掩模版覆盖的ZnO光敏薄膜或InGaZnO光敏薄膜表面之上沉积透明导电电极薄膜；步骤3：移除叉指电极掩模版，最终获得全透明柔性紫外光电探测器。2.根据权利要求1所述的一种高速响应全透明柔性紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，所述ZnO光敏薄膜的生长参数为：柔性透明PI衬底的加热温度为200℃，升温速率为5
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7℃/分钟，氩气流量为20sccm，溅射功率为120W。3.根据权利要求1所述的一种高速响应...

【专利技术属性】
技术研发人员：李远洁，朱瑄，吴超，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：