一种多维大尺寸闪烁晶体阵列及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种多维大尺寸闪烁晶体阵列及其制作方法，包括：根据待制作闪烁晶体阵列，制作拼接夹具；根据待制作闪烁晶体阵列挑选出若干在公差0.02mm范围内的晶体单元；依次将所有晶体单元从上往下竖直插入拼接夹具对应的矩形框内，并在在水平垫片上均匀涂敷粘接胶，使得晶体单元与水平垫片粘接固定；待粘接胶固化后，将拼接夹具取出或加热溶解拼接夹具；然后封灌反射胶，再研磨外围反射胶，从而完成反射胶层的研磨；研磨水平垫片，并根据待制作闪烁晶体阵列进行研磨、抛光，从而完成闪烁晶体阵列的制作。该制作方法能制作晶体单元横向X或/和纵向Y尺寸不一致而且高度无限制的闪烁晶体阵列，且精度高、效率高，同时还能提高成品率。品率。品率。

【技术实现步骤摘要】
一种多维大尺寸闪烁晶体阵列及其制作方法


[0001]本专利技术属于闪烁晶体阵列
，特别涉及一种多维大尺寸闪烁晶体阵列及其制作方法。

技术介绍

[0002]闪烁探测器是高能射线探测常用得到探测器之一。闪烁探测器通常利用能够有效阻挡和吸收电磁波辐射并与电磁波辐射产生发光作用的闪烁晶体作为探测材料。当高能射线入射到闪烁晶体内，根据射线能量、晶体有效原子系数和密度的不同，与晶体发生不同比例的光电效应、康普顿散射效应及电子对效应，将能量沉积在闪烁晶体中，被激发的闪烁晶体发出闪烁光。闪烁探测器具有探测效率高，分辨短等特点，被广泛应用于核医学、安全检查、高能物理和宇宙射线探测等领域。
[0003]闪烁晶体探测器中的关键部件是闪烁晶体阵列，闪烁晶体阵列由若干晶体单元和反射胶构成，闪烁晶体阵列中其中五面为反射胶层，另一面为出光面。目前，闪烁晶体阵列通常采用多线切割机或划片机在晶体上开槽等常规阵列加工方式，然后再封灌反射胶。然而，采用多线切割机和划片机，存在以下问题：一、因机械原因，一旦出现操作失误，材料无法回收利用，势必影响成品率；二、采用多线切割本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多维大尺寸闪烁晶体阵列的制作方法，其特征在于，具体包括以下步骤：S1：根据待制作闪烁晶体阵列，制作拼接夹具，所述拼接夹具包括水平设置的支撑板，支撑板上具有若干与待制作闪烁晶体阵列的晶体单元一一对应的矩形框，支撑板下方设有四支撑腿，四支撑腿分别设有支撑板四角处；S2：根据待制作闪烁晶体阵列挑选出若干在公差
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0.02mm范围内的晶体单元，备用；S3：将拼接夹具放置在水平垫片上，或者在拼接夹具下方放置水平垫片并使水平垫片位于四支撑腿内侧，依次将所有晶体单元从上往下竖直插入拼接夹具对应的矩形框内，并在水平垫片上均匀涂敷粘接胶，使得晶体单元与水平垫片粘接固定；S4：待粘接胶固化后，将拼接夹具取出或加热溶解拼接夹具；然后封灌反射胶，再研磨外围反射胶，从而完成反射胶层的研磨；S5：研磨水平垫片，并根据闪烁晶体阵列的设计图纸进行研磨、抛光，从而完成出光面的研磨、抛光，进而完成闪烁晶体阵列的制作。2.根据权利要求1所述的一种多维大尺寸闪烁晶体阵列的制作方法，其特征在于，所述拼接夹具采用3D打印技术制作而成。3.根据权利要求2所述的一种多维大尺寸闪烁晶体阵列的制作方法，其特征在于，S3中，在水平垫片上放置有至少两个拼接夹具，所有拼接夹具上下重叠放置；支撑板上表面具有向下凹陷的四限位槽，四限位槽与四支撑腿一一对应设置，便于位于上方的拼接夹具的四支撑腿分...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡吉海，唐博，曾莹，王洪刚，王强，胡志娟，冉梦红，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十六研究所，
类型：发明
国别省市：