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本发明公开了一种多维大尺寸闪烁晶体阵列及其制作方法,包括:根据待制作闪烁晶体阵列,制作拼接夹具;根据待制作闪烁晶体阵列挑选出若干在公差0.02mm范围内的晶体单元;依次将所有晶体单元从上往下竖直插入拼接夹具对应的矩形框内,并在在水平垫片上均...该专利属于中国电子科技集团公司第二十六研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第二十六研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种多维大尺寸闪烁晶体阵列及其制作方法,包括:根据待制作闪烁晶体阵列,制作拼接夹具;根据待制作闪烁晶体阵列挑选出若干在公差0.02mm范围内的晶体单元;依次将所有晶体单元从上往下竖直插入拼接夹具对应的矩形框内,并在在水平垫片上均...