一种新型扩散硅压力变送器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种新型扩散硅压力变送器，包括基座、扩散硅压力芯体、外壳、信号放大电路板、输出线、赫斯曼插件；基座包括前端基座、六方体；前端基座外壁上加工有螺纹，六方体外径大于前端基座的外径，且六方体面向前端基座的一侧设有一圈ED密封圈；扩散硅压力芯体的一部分安装置于凹槽内；信号放大电路板设置在扩散硅压力芯体之上，扩散硅压力芯体上设有针脚，信号放大电路板通过电烙铁焊接在扩散硅压力芯体上的针脚上，信号放大电路板的另一端采用输出线与赫斯曼插件电性连接；扩散硅压力芯体中部设有台阶，扩散硅压力芯体中部台阶周缘与六方体上的凹槽顶部环形直角采用激光焊接牢固。通过本实用新型专利技术，压力变送器的整体介质兼容性更强。兼容性更强。兼容性更强。

【技术实现步骤摘要】
一种新型扩散硅压力变送器


[0001]本技术涉及一种新型扩散硅压力变送器，属于传感器


技术介绍

[0002]市场上压力变送器种类繁多，扩散硅压力变送器是工业实践中最常用的一种压力传感器。压力变送器的基座一般采用不锈钢基座，基座上开设一个圆柱形的凹槽，扩散硅压力芯体设置在凹槽内，扩散硅压力芯体的前端以及周围设置压力芯体密封圈，扩散硅压力芯体的后端设置有螺纹密封压环。由于压力芯体密封圈和密封压环都有厚度，为了完全容纳压力芯体密封圈和密封压环，凹槽需要做得比较深，一般凹槽的深度可以达到20mm左右；同时，为了防止介质泄露，必须让扩散硅压力芯体、压力芯体密封圈以及密封压环能够与凹槽紧密贴合，这就对凹槽的尺寸精度和粗糙度有较高的要求，因此凹槽的加工难度较大，加工效率较低且压力变送器的装配效率较低。
[0003]而且，压力芯体密封圈的材质一般为橡胶，压力变送器在实际使用过程中，压力芯体密封圈可能与被测量介质反应，导致密封圈损坏；密封圈也可能随着使用的时间逐渐老化，最终失去蜜蜂能力；以上原因都会导致介质泄露进压力变送器内部，使得压力变送器报废。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是为了解决现有技术的不足，提供一种新型扩散硅压力变送器。
[0005]为了实现上述技术目的，本技术采用的技术方案如下：一种新型扩散硅压力变送器，其特征是：包括基座、扩散硅压力芯体、外壳、信号放大电路板、输出线、赫斯曼插件；
[0006]所述基座包括前端基座、六方体，前端基座、六方体一体形成；前端基座外壁上加工有螺纹，六方体外径大于前端基座的外径，且六方体面向前端基座的一侧设有一圈ED密封圈；
[0007]所述六方体背向前端基座的一侧设有凹槽，扩散硅压力芯体的一部分安装置于凹槽内；所述信号放大电路板设置在扩散硅压力芯体之上，扩散硅压力芯体上设有针脚，信号放大电路板通过电烙铁焊接在扩散硅压力芯体上的针脚上，信号放大电路板的另一端采用输出线与赫斯曼插件电性连接；
[0008]所述基座上设有引压孔，引压孔贯穿前端基座、六方体，且与凹槽贯通；扩散硅压力芯体的下部面向引压孔；所述扩散硅压力芯体与凹槽接触处设有一圈密封圈；
[0009]所述外壳一端焊接在基座的六方体上，另一端与赫斯曼插件螺纹旋紧连接，扩散硅压力芯体、信号放大电路板、输出线置于外壳内；
[0010]所述扩散硅压力芯体中部设有台阶，扩散硅压力芯体中部台阶周缘与六方体上的凹槽顶部环形直角采用激光焊接牢固。
[0011]所述基座的材质为316L不锈钢，基座一体加工成型，带有安装螺纹、六方体、ED密封圈。
[0012]所述凹槽的深度为3
‑
5mm，凹槽的内径为19mm。
[0013]所述六方体面向前端基座的一侧设有密封圈安装槽，ED密封圈置于密封圈安装槽内。
[0014]所述外壳为不锈钢材质。
[0015]所述外壳通过激光焊接在六方体上；
[0016]外壳另一端设有外螺纹，赫斯曼插件上设有内螺纹，赫斯曼插件上的内螺纹旋在外壳的外螺纹上，赫斯曼插件拧装在外壳顶端；
[0017]或，
[0018]外壳另一端设有内螺纹，赫斯曼插件上设有外螺纹，外壳上的内螺纹旋在赫斯曼插件上的外螺纹上，赫斯曼插件拧装在外壳顶端。
[0019]本技术结构简单、生产制造容易、使用方便，通过本技术，提供的一种新型扩散硅压力变送器，包括基座（基座上一体加工有螺纹、六方体、ED密封圈）、扩散硅压力芯体、扩散硅压力芯体针脚、信号放大电路板、外壳、输出线、赫斯曼插件。其中，基座为316L材质，它一体加工成型，并带有安装螺纹、六方体、ED密封圈，前端基座外壁上加工有螺纹，六方体上设置有3
‑
5mm深度、19mm直径的凹槽，用于安装扩散硅压力芯体；采用激光焊接将扩散硅压力芯体中部台阶周缘与凹槽顶部环形直角焊接牢固；信号放大电路板设置在扩散硅压力芯体之上，通过电烙铁焊接在扩散硅压力芯体上的针脚上，信号放大电路板的另一端采用输出线与赫斯曼插件电性连接。外壳为不锈钢材质，通过激光焊接在六方体上，外壳另一端带有螺纹，赫斯曼插件通过螺纹拧装在外壳顶端。
[0020]基座接液时，液体穿过引压孔接触扩散硅压力芯体，当扩散硅压力芯体受力发生应力变化时，经针脚传输至信号放大电路板，然后经输出线传输至赫斯曼插件。
[0021]本技术中，扩散硅压力芯体的周缘与凹槽环形密封焊接，凹槽内不需要设置压力芯体密封圈和密封压环，因此能够将凹槽的深度由20mm缩减到3mm～5mm之间，同时对凹槽没有精度和粗糙度要求，也不存在压力芯体密封圈老化的问题。凹槽加工的难度降低，压力变送器的密封效果提高同时成本降低且压力变送器的装配效率提高。
[0022]通过本技术，具有以下好处与优点：
[0023]1）结构特点：基座一体式加工，用于扩散硅压力芯体安装的凹槽深度只需要3~5mm，粗糙度及尺寸要求较低，机械加工难度大大降低；
[0024]2）装配工艺特点：扩散硅压力芯体直接焊接在基座上的凹槽内，不需要设置其他的扩散硅芯体密封圈，制作工艺更简单，而且可靠性更强；信号放大电路板直接焊接在扩散硅芯体针脚上，使得安装更方便，电性连接更可靠；
[0025]3）材质特点：传感器接液（即基座部分）部位使用不锈钢材料，基座和外壳均为316L材质，通过激光焊接之后，不需要设置其他材质的密封圈，使得压力变送器的整体介质兼容性更强。
附图说明
[0026]图1为本技术的整体结构示意图；
[0027]图中：1基座、1
‑
1六方体、1
‑
2螺纹、2扩散硅压力芯体、3外壳、4ED密封圈、5凹槽、6针脚、7信号放大电路板、8输出线、9赫斯曼插件。
具体实施方式
[0028]以下结合附图以及附图说明对本技术作进一步详细说明。
[0029]一种新型扩散硅压力变送器，包括基座1、扩散硅压力芯体2、外壳3、信号放大电路板7、输出线8、赫斯曼插件9。基座1包括前端基座、六方体1
‑
1，前端基座、六方体1
‑
1一体形成；前端基座外壁上加工有螺纹1
‑
2，六方体1
‑
1外径大于前端基座的外径，且六方体1
‑
1面向前端基座的一侧设有一圈ED密封圈4；具体可以设置为，在六方体1
‑
1面向前端基座的一侧设置密封圈安装槽，ED密封圈4置于密封圈安装槽内。
[0030]在六方体1
‑
1背向前端基座的一侧设置凹槽5，扩散硅压力芯体2的一部分安装置于凹槽5内；信号放大电路板7设置在扩散硅压力芯体2之上，扩散硅压力芯体2上设有针脚6，信号放大电路板7通过电烙铁焊接在扩散硅压力芯体2上的针脚6上，信号放大电路板7的另一端采用输出线8与赫斯曼插件9电性连接；
[0031]在基座1上设置引压孔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型扩散硅压力变送器，其特征是：包括基座（1）、扩散硅压力芯体（2）、外壳（3）、信号放大电路板（7）、输出线（8）、赫斯曼插件（9）；所述基座（1）包括前端基座、六方体（1
‑
1），前端基座、六方体一体形成；前端基座外壁上加工有螺纹（1
‑
2），六方体（1
‑
1）外径大于前端基座的外径，且六方体（1
‑
1）面向前端基座的一侧设有一圈ED密封圈（4）；所述六方体（1
‑
1）背向前端基座的一侧设有凹槽（5），扩散硅压力芯体（2）的一部分安装置于凹槽（5）内；所述信号放大电路板（7）设置在扩散硅压力芯体（2）之上，扩散硅压力芯体（2）上设有针脚（6），信号放大电路板（7）通过电烙铁焊接在扩散硅压力芯体（2）上的针脚（6）上，信号放大电路板（7）的另一端采用输出线（8）与赫斯曼插件（9）电性连接；所述基座（1）上设有引压孔（10），引压孔（10）贯穿前端基座、六方体（1
‑
1），且与凹槽（5）贯通；扩散硅压力芯体（2）的下部面向引压孔（10）；所述扩散硅压力芯体（2）与凹槽（5）接触处设有一圈密封圈；所述外壳（3）一端焊接在基座（1）的六方体（1
‑
1）上，另一端与赫斯曼插件（9）螺纹旋紧连接，扩散硅压力芯体（2）、信号放大电路板（7）、输出线（8）置于外壳（3）内；...

【专利技术属性】
技术研发人员：常兆骏，黄韬，
申请(专利权)人：江苏盛仕铭科技有限公司，
类型：新型
国别省市：