功率半导体模块以及电力变换装置制造方法及图纸

功率半导体模块(1)具备多个自灭弧型半导体元件(20a)、印刷布线基板(30)、多个导电接合构件(25a)以及多个导电栅极导线(50a)。印刷布线基板(30)包括绝缘基板(31)、源极导电图案(33)以及栅极导电图案(36)。多个自灭弧型半导体元件(20a)分别包括源极电极(22a)和栅极电极(23a)。源极电极(22a)利用多个导电接合构件(25a)接合于源极导电图案(33)。多个导电栅极导线(50a)将栅极电极(23a)与栅极导电图案(36)相互连接。(36)相互连接。(36)相互连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】功率半导体模块以及电力变换装置


[0001]本公开涉及功率半导体模块以及电力变换装置。

技术介绍

[0002]国际公开第2014/185050号(专利文献1)公开了一种功率半导体模块，该功率半导体模块具备绝缘基板、自灭弧型半导体元件、与绝缘基板对置的印刷基板、第1导电柱、第2导电柱以及作为电路阻抗降低元件的电容器。自灭弧型半导体元件具有栅极电极、源极电极以及漏极电极。印刷基板具有第1金属层和第2金属层。栅极电极经由第1导电柱电连接于作为栅极布线图案的第1金属层。源极电极经由第2导电柱电连接于作为源极布线图案的第2金属层。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：国际公开第2014/185050号

技术实现思路

[0006]在专利文献1所公开的功率半导体模块中，将栅极电极与栅极布线图案连接的导电构件(第1导电柱)和将源极电极与源极布线图案连接的导电构件(第2导电柱)都是导电柱。为了增加功率半导体模块的电力容量，有效的是将功率半导体模块所包含的自灭弧型半导体元件的数量设为多个，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种功率半导体模块，具备：绝缘电路基板，包括包含第1主面的绝缘板和设置于所述第1主面上的第1导电电路图案；多个第1自灭弧型半导体元件；印刷布线基板，与所述第1主面对置地配置；多个第1导电接合构件；以及多个第1导电栅极导线，所述印刷布线基板包括绝缘基板、第1源极导电图案以及第1栅极导电图案，所述绝缘基板包括与所述第1主面对置的第2主面和与所述第2主面相反一侧的第3主面，在所述第3主面的俯视图中，所述绝缘基板包括第1边缘和与所述第1边缘相反一侧的第2边缘，所述多个第1自灭弧型半导体元件分别包括第1源极电极、第1栅极电极以及第1漏极电极，所述多个第1自灭弧型半导体元件的所述第1漏极电极接合于所述第1导电电路图案，所述多个第1自灭弧型半导体元件的所述第1源极电极利用所述多个第1导电接合构件接合于所述第1源极导电图案，所述多个第1导电栅极导线将所述多个第1自灭弧型半导体元件的所述第1栅极电极与所述第1栅极导电图案相互连接，在所述第3主面的所述俯视图中，所述第1栅极导电图案的第1长度方向是所述多个第1自灭弧型半导体元件的第1排列方向。2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述第1栅极导电图案的所述第1长度方向上的所述第1栅极导电图案的第1长度为所述多个第1自灭弧型半导体元件的所述第1排列方向上的所述多个第1自灭弧型半导体元件的第2长度以上。3.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块，其中，在所述第3主面的所述俯视图中，所述第1栅极导电图案沿着所述绝缘基板的所述第1边缘配置，所述多个第1自灭弧型半导体元件沿着所述绝缘基板的所述第1边缘配置。4.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块，其中，所述第1源极导电图案设置于所述第2主面上，所述第1栅极导电图案设置于所述第3主面上、且在所述第3主面的所述俯视图中沿着所述第1源极导电图案的边缘配置。5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的功率半导体模块，其中，所述第1栅极导电图案中的、在所述第3主面的所述俯视图中在所述第1栅极导电图案的所述第1长度方向上与所述多个第1自灭弧型半导体元件对应的第1栅极导电图案部分的第1宽度比所述第1源极导电图案中的、在所述第3主面的所述俯视图中在所述第1栅极导电图案的所述第1长度方向上与所述多个第1自灭弧型半导体元件对应的第1源极导电图案部分的第2宽度小，
所述第1栅极导电图案部分的所述第1宽度是与所述第1长度方向垂直的所述第1栅极导电图案的第1宽度方向上的所述第1栅极导电图案部分的长度，所述第1源极导电图案部分的所述第2宽度是所述第1栅极导电图案的所述第1宽度方向上的所述第1源极导电图案部分的长度。6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的功率半导体模块，其中，在所述第3主面的所述俯视图中，所述多个第1导电栅极导线中的至少一个第1导电栅极导线在相对于所述第1栅极导电图案的所述第1长度方向倾斜的方向上延伸。7.根据权利要求6所述的功率半导体模块，其中，所述多个第1导电栅极导线的所述至少一个第1导电栅极导线具有：第1端，与所述多个第1自灭弧型半导体元件中的至少一个第1自灭弧型半导体元件的所述第1栅极电极键合；以及第2端，与所述第1栅极导电图案键合，所述第1栅极导电图案的所述第1长度方向上的所述第1端与所述第2端之间的间隔为所述第1栅极导电图案的所述第1长度方向上的所述多个第1自灭弧型半导体元件的所述至少一个第1自灭弧型半导体元件的宽度以下。8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的功率半导体模块，其中，还具备：第1电极端子；以及第2电极端子，所述第1电极端子是流经所述第1源极电极与所述第1漏极电极之间的第1主电流的第1路径的所述功率半导体模块中的第1路径端，所述第2电极端子是所述第1主电流的所述第1路径的所述功率半导体模块中的第2路径端，所述第1电极端子没有导电导线地经由所述第1源极导电图案电连接于所述第1源极电极，所述第2电极端子没有导电导线地经由所述第1导电电路图案电连接于所述第1漏极电极。9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的功率半导体模块，其中，还具备：多个第2自灭弧型半导体元件；多个第2导电接合构件；以及多个第2导电栅极导线，所述印刷布线基板还包括与所述第1栅极导电图案电连接的第2栅极导电图案，所述多个第2自灭弧型半导体元件分别包括第2源极电极、第2栅极电极以及第2漏极电极，所述多个第2自灭弧型半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：玉田美子，冈诚次，森崎翔太，冈田一也，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：