带有超导磁体的等离子体CVD装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种带有超导磁体的等离子体CVD装置腔体的顶部设有超导磁体，超导磁体包括与变频电源相连的超导线圈及低温装置，超导线圈的上端呈圆筒形，下端向外扩展形成上小下大的喇叭形，腔体与超导磁体之间设有绝缘顶板；腔体内设有基材台，基材台与腔体的底板之间设有绝缘环，绝缘环内侧的底板中央设有微波输入孔；微波发生器通过模式转换器及微波输入孔与腔体连接，腔体的一侧设有腔体升降装置。本发明专利技术的等离子体CVD装置中，等离子体中的碳不仅可以向下沉积，还可以横向沉积，从而可以适用于立体结构的基材，大大扩展了CVD装置的适用范围。适用范围。适用范围。

【技术实现步骤摘要】
带有超导磁体的等离子体CVD装置


[0001]本专利技术属于化学气相沉积设备
，具体涉及一种带有超导磁体的等离子体CVD装置。

技术介绍

[0002]化学气相沉积（CVD）广泛应用于钻石的合成，将混合气体（氢气、氧气、氮气及甲烷等）送入腔体内进行加热，在腔体内形成一种碳等离子体，该等离子体中的碳不断沉积在腔体内的基材（碳底层）上，并逐渐积聚和硬化，从而形成钻石层。现有技术的等离子体CVD装置中等离子体中的碳通常只能向下沉积，并在基材的上表面形成钻石薄片层，这种等离子体CVD装置只适用于平面结构的基材，无法对立体结构的基材进行表面沉积，严重限制了CVD装置的适用范围。公开日为2022年1月11日，公开号为CN113913780A的中国专利文件公开了一种等离子体CVD设备，腔体包括由底板、侧壁及顶盖围合构成的内腔，侧壁内设有侧壁冷却腔，顶盖上设有均匀进气装置，底板上设有均匀排气装置，内腔的下部设有用于放置基材的平台，平台内部设有平台冷却腔，机架上的微波源与波导同轴转换装置连接，波导同轴转换装置的同轴输出端外导体与底板上的微波输入孔连接，内导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带有超导磁体的等离子体CVD装置，包括机架（1）及腔体（2），所述腔体包括底板（3）及设置在底板上的圆筒状腔壁（4），其特征是，所述腔体的顶部设有超导磁体（5），所述的超导磁体包括超导线圈（6）及设置在超导线圈外周的低温装置（7），所述超导线圈与变频电源相连，超导线圈的上端呈圆筒形，超导线圈的下端向外扩展形成上小下大的喇叭形，所述的腔体与所述超导磁体之间通过设置在腔体顶部的绝缘顶板（8）分隔；所述的腔体内设有基材台（9），所述基材台与腔体的底板之间设有绝缘环（10），所述绝缘环内侧的底板中央设有微波输入孔（11）；设置在机架上的微波发生器（12）通过模式转换器（13）及微波输入孔与腔体连接，腔体的一侧设有腔体升降装置（14），所述的腔体升降装置与腔体的圆筒状腔壁相连。2.根据权利要求1所述的带有超导磁体的等离子体CVD装置，其特征在于，所述超导线圈的中央同轴设有磁场调节杆（15），所述的磁场调节杆为中空结构，磁场调节杆的顶端设有进风口（16），磁场调节杆的底端位于所述超导磁体底部的锥形腔（17）内，超导磁体的底部外周设有多个出风口（18）。3.根据权利要求2所述的带有超导磁体的等离子体CVD装置，其特征在于，所述超导磁体的底部与腔体顶部的绝缘顶板之间设有绝缘隔板（19），所述的绝缘隔板中央设有通孔（51），所述绝缘隔板与绝缘顶板之间形成出风腔（20），所述的出风口设置在出风腔的腔壁上。4.根据权利要求1所述的带有超导磁体的等离子体CVD装置，其特征在于，所述的低温装置包括环绕所述超导线圈的冷却套（21），所述的冷却套内设有低温冷却液（22），冷却套的顶端设有低温冷却液进出口（23），所述的低温冷却液为液态氦。5.根据权利要求1所述的带有超导磁体的等离子体CVD装置，其特征在于，所述变频电源的输出频率范围为15
‑
270Hz，所述的超导线圈在腔体中心产生的磁感应强度为2
‑
5特斯拉。6.根据权利要求1所述的带有超导磁体的等离子体CVD装置，其特征在于，所述的腔体升降装置设置在底板上，包括升降架（24）及升降座，所述的升降架上设有丝杆（25），丝杆的顶部连...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐晰人，金国辉，杨晓亮，
申请(专利权)人：新优势产业集团有限公司，
类型：发明
国别省市：