交流固态继电器制造技术

一种交流（AC）固态继电器包括封装、至少一个硅（Si）半导体装置、以及电连接到所述至少一个硅半导体装置的至少一个宽带隙（WBG）半导体装置。硅半导体装置和WBG半导体装置中的每一者完全设置在封装内部，以使由交流固态继电器占用的空间最小化。硅半导体装置和WBG半导体装置中的每一者在封装内部彼此电连接，以使成本最小化并使负载效率最大化，同时实现交流固态继电器的预定的额定电流能力。态继电器的预定的额定电流能力。态继电器的预定的额定电流能力。

【技术实现步骤摘要】
交流固态继电器


[0001]引言本公开涉及电气继电器，且更特别地涉及交流（AC）固态继电器。

技术介绍

[0002]在电动车辆中使用的一些高压机电继电器在高浪涌电流条件期间可能经历接触焊。使用宽带隙（WBG）半导体开关的固态继电器非常昂贵，而使用硅（Si）绝缘栅双极晶体管（IGBT）的固态继电器非常笨重并且在轻负载下具有高损耗，高损耗影响了电动车辆的行驶里程。因此，期望开发一种克服WBG半导体开关和硅IGBT的缺点的高压交流继电器。

技术实现思路

[0003]当前公开的交流固态继电器结合了WBG半导体装置和硅IGBT，以优化成本、效率和尺寸。例如，通过优化硅IGBT（它们通常笨重）的数量，可使交流固态继电器的尺寸最小化，同时由于包括了WBG半导体装置而使效率最大化。进一步，通过优化WBG半导体（它们非常昂贵）的数量和硅IGBT（它们更便宜）的数量，可使交流固态继电器的成本最小化。通过将硅IGBT与WBG半导体装置并联布置在封装内，可使交流固态继电器的尺寸最小化。本公开描述了一种固态继电器，其包括并联布置的一个或多个硅半导体装置和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种交流（AC）固态继电器，所述交流固态继电器包括：封装；至少一个硅（Si）半导体装置；至少一个宽带隙（WBG）半导体装置，其电连接到所述至少一个硅半导体装置；其中，所述至少一个硅半导体装置和宽带隙半导体装置中的至少一个中的每一者完全设置在所述封装内部，以使由所述交流固态继电器占用的空间最小化；并且其中，所述至少一个硅半导体装置和所述宽带隙半导体装置中的至少一个中的每一者在所述封装内部彼此电连接，以使成本最小化并使负载效率最大化，同时实现所述交流固态继电器的预定的额定电流能力。2.根据权利要求1所述的交流固态继电器，其中，所述至少一个硅半导体装置是硅绝缘栅双极晶体管（IGBT），所述硅绝缘栅双极晶体管经由单片集成或外部集成的反并联硅二极管而具有反向导通能力。3.根据权利要求2所述的交流固态继电器，其中，所述至少一个宽带隙半导体装置是碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSET）。4.根据权利要求2所述的交流固态继电器，其中，所述至少一个宽带隙半导体装置是氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。5.根据权利要求2所述的交流固态继电器，其中，所述宽带隙半导体装置相对于所述硅半导体装置以一延时切换以在过载期间减轻热应力，由此允许所述硅半导体装置接收过载电流。6.根据权利要求1所述的交流...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：通用汽车环球科技运作有限责任公司，
类型：发明
国别省市：