激光发射组件、硅光集成芯片及激光器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种激光发射组件、硅光集成芯片和激光器，其中，激光发射组件包括：带通滤波器、分路器、第一微环调制器、第二微环调制器以及公用波导；带通滤波器对光信号滤波并输出；分路器将来自带通滤波器的光信号分光为第一和第二光信号；第一光信号一部分向外输出，另一部分依次经第一微环调制器、公用波导、第二微环调制器和分路器后返回至带通滤波器中；第二光信号一部分向外输出，另一部分依次经第二微环调制器、公用波导、第一微环调制器和分路器后返回至带通滤波器中；其中，第一和第二微环调制器对光信号的调制方向相反。本实用新型专利技术的调制信号的质量高。型的调制信号的质量高。型的调制信号的质量高。

【技术实现步骤摘要】
激光发射组件、硅光集成芯片及激光器


[0001]本技术涉及激光
，特别是涉及一种激光发射组件、硅光集成芯片及激光器。

技术介绍

[0002]随着激光技术的发展，而硅光芯片因为其体积小、易于集成等优势，在光通信中领域中受到越来越多的重视，被广泛视为下一代网络中的关键技术。而应用上述硅光芯片的外腔式直调激光器正向着体积小，功耗低，速度快的趋势发展。
[0003]相关技术中，目前已经实现了将微环调制器作为外腔反射镜与半导体光放大器(Reflective Semiconductor Optical Amplifier，简称RSOA，即半导体增益芯片)通过混合集成的方式实现外腔式直调激光器，微环谐振腔既作为激光器的反射腔也做为调制器，通过微环调制器的调制作用，对激光器的输出进行调制。
[0004]然而，当采用调制微环谐振腔时，微环谐振腔发生波长漂移，使得激光器增益介质芯片的反射率也随之改变，从而导致激光器产生跳模现象，降低了激光器的调制信号的质量。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要针对上述调制信号质量低的问题，提供一种激光发射组件、硅光集成芯片及激光器。
[0006]第一方面，本技术提供一种激光发射组件，其包括带通滤波器、分路器、第一微环调制器、第二微环调制器以及公用波导；所述分路器的其中一端与所述带通滤波器耦合，其另外一端分别与所述第一微环调制器和所述第二微环调制器耦合，所述公用波导将所述第一微环调制器和所述第二微环调制器耦合；其中：
[0007]所述带通滤波器，用于与外部的半导体光放大器耦合，将来自所述半导体光放大器的光信号进行滤波处理，或将从所述分路器返回的光信号进行滤波处理后输出至半导体光放大器；
[0008]所述分路器，用于将来自所述带通滤波器的光信号分光为第一光信号和第二光信号；
[0009]所述第一光信号的其中一部分光信号向外输出，另一部分光信号耦合至所述第一微环调制器中，并依次经所述公用波导、所述第二微环调制器和所述分路器后返回至所述带通滤波器中；
[0010]所述第二光信号的其中一部分光信号向外输出，另一部分光信号耦合至所述第二微环调制器中，并依次经所述公用波导、所述第一微环调制器和所述分路器后返回至所述带通滤波器中；
[0011]其中，所述第一微环调制器对光信号的调制方向和所述第二微环调制器对光信号的调制方向相反。
[0012]在其中一个实施例中，所述带通滤波器包括模式转换器以及布拉格光栅，所述布拉格光栅与所述模式转换器耦合，所述模式转换器还分别与所述分路器和所述半导体光放大器耦合，其中：
[0013]所述模式转换器，用于将来自所述半导体光放大器的光信号输入至所述布拉格光栅中进行滤波，将滤波后的光信号进输出至所述分路器；或，用于将由所述分路器返回的光信号输入至所述布拉格光栅中进行滤波，对滤波后的光信号输出至所述半导体光放大器。
[0014]在其中一个实施例中，所述模式转换器包括第一端、第二端以及第三端，其中：
[0015]所述模式转换器的第一端，用于接收第一模式的光信号；其中，所述第一模式的光信号为来自所述半导体光放大器的光信号或由所述分路器返回的光信号；
[0016]所述模式转换器的第二端，用于将所述第一模式的光信号输入至所述布拉格光栅中进行滤波后，接收由所述布拉格光栅反射的第二模式的光信号；
[0017]所述模式转换器的第三端，用于将所述由第二模式的光信号转换得到的第一模式的光信号输出至所述半导体光放大器或所述分路器。
[0018]在其中一个实施例中，所述分路器包括第一传输波导、第二传输波导以及第三传输波导，所述第一传输波导与所述带通滤波器耦合，所述第二传输波导和所述第三传输波导分别与所述第一传输波导耦合，且所述第二传输波导与所述第一微环调制器耦合，所述第三传输波导与所述第二微环调制器耦合。
[0019]在其中一个实施例中，所述第一微环调制器包括第一微环谐振腔以及第一加热电极，所述第一微环谐振腔与所述第二传输波导耦合，所述第一加热电极与所述第一微环谐振腔耦合，用以调节所述第一微环谐振腔的谐振峰；
[0020]所述第二微环调制器包括第二微环谐振腔和第二加热电极，所述第二微环谐振腔与所述第三传输波导耦合，所述第二加热电极与所述第二微环谐振腔耦合，用以调节所述第二微环谐振腔的谐振峰。
[0021]在其中一个实施例中，所述激光发射组件还包括相移器，所述相移器耦合至所述带通滤波器与所述分路器之间，所述相移器用于调节所述带通滤波器对光信号的工作波长。
[0022]在上述激光发射组件中，通过第一和第二微环调制器与半导体光放大器之间集成有带通滤波器，带通滤波器能够有效地抑制由于边模抑制比下降与半导体光放大器的谐振峰漂移等因素而引起的跳模现象，有利于提高经激光发射组件发射的调制信号的质量。
[0023]第二方面，本技术提供了一种硅光集成芯片，上述的激光发射组件集成于所述硅光集成芯片上。
[0024]在其中一个实施例中，所述硅光集成芯片中的三五族材料与硅材料之间通过氮化硅材料连接。
[0025]在上述硅光集成芯片中，通过上述激光发射组件的设置，能够保证由硅光集成芯片发射的调制信号的质量。
[0026]第三方面，本技术提供了一种激光器，其包括上述的硅光集成芯片以及半导体光放大器，所述硅光集成芯片的带通滤波器与所述半导体光放大器耦合。
[0027]在其中一个实施例中，所述半导体光放大器通过端面耦合或光栅耦合的方式与所述带通滤波器耦合。
[0028]在上述激光器中，通过上述硅光集成芯片的设置，能够保证由激光器发射的调制信号的质量。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030]图1为一个实施方式的激光发射组件的模块结构示意图；
[0031]图2为一个实施方式的带通滤波器的结构示意图；
[0032]图3为一个实施方式的激光发射组件的具体结构示意图。
具体实施例
[0033]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施例做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似改进，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0034]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种激光发射组件，其特征在于，其包括带通滤波器、分路器、第一微环调制器、第二微环调制器以及公用波导；所述分路器的其中一端与所述带通滤波器耦合，其另外一端分别与所述第一微环调制器和所述第二微环调制器耦合，所述公用波导将所述第一微环调制器和所述第二微环调制器耦合；其中：所述带通滤波器，用于与外部的半导体光放大器耦合，将来自所述半导体光放大器的光信号进行滤波处理，或将从所述分路器返回的光信号进行滤波处理后输出至半导体光放大器；所述分路器，用于将来自所述带通滤波器的光信号分光为第一光信号和第二光信号；所述第一光信号的其中一部分光信号向外输出，另一部分光信号耦合至所述第一微环调制器中，并依次经所述公用波导、所述第二微环调制器和所述分路器后返回至所述带通滤波器中；所述第二光信号的其中一部分光信号向外输出，另一部分光信号耦合至所述第二微环调制器中，并依次经所述公用波导、所述第一微环调制器和所述分路器后返回至所述带通滤波器中；其中，所述第一微环调制器对光信号的调制方向和所述第二微环调制器对光信号的调制方向相反。2.根据权利要求1所述的激光发射组件，其特征在于，所述带通滤波器包括模式转换器以及布拉格光栅，所述布拉格光栅与所述模式转换器耦合，所述模式转换器还分别与所述分路器和所述半导体光放大器耦合，其中：所述模式转换器，用于将来自所述半导体光放大器的光信号输入至所述布拉格光栅中进行滤波，将滤波后的光信号进输出至所述分路器；或，用于将由所述分路器返回的光信号输入至所述布拉格光栅中进行滤波，对滤波后的光信号输出至所述半导体光放大器。3.根据权利要求2所述的激光发射组件，其特征在于，所述模式转换器包括第一端、第二端以及第三端，其中：所述模式转换器的第一端，用于接收第一模式的光信号；其中，所述第一模式的光信号为来自所述半导体光放大器的光信号或由所述分路器返回的光信号；所述模式转换器的第二端，用于将所述第一模式的光信号输...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晨蕾，郑学哲，
申请(专利权)人：苏州旭创科技有限公司，
类型：新型
国别省市：