一种开关电源的同步整流驱动电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种开关电源的同步整流驱动电路，属于开关电源技术领域。所述变压器副边绕组的两端分别为同名端和异名端；所述异名端与第一电阻一端连接；所述第一电阻的另一端与第一NPN型三极管的基极连接，所述第一NPN型三极管的集电极与异名端连接；所述第一NPN型三极管的发射极与第一N沟道MOS管的栅极连接，所述第一N沟道MOS管的漏极与同名端连接；所述同名端与第二电阻一端连接；所述第二电阻的另一端与第二NPN型三极管的基极连接，所述第二NPN型三极管的集电极与同名端连接。本驱动电路适应电源模块宽输入电压范围工作，防止原副边共通现象。原副边共通现象。原副边共通现象。

【技术实现步骤摘要】
一种开关电源的同步整流驱动电路


[0001]本技术属于开关电源
，尤其涉及一种开关电源的同步整流驱动电路。

技术介绍

[0002]开关电源以效率高、体积小，从而取代传统的线性电源而被广泛使用。在开关电源中，以电源模块的功率密度最高。而提高功率密度，即要提高转换效率。一种有效提高电源模块效率的方法，是采用同步整流技术，即用场效应管替代传统的二极管整流方式，场效应管需要驱动信号进行驱动，因此，需要增加驱动电路。
[0003]而现有的驱动技术主要有以下三种方式
[0004]1.自驱动同步整流技术，采用次级绕组直接对功率开关管进行驱动，此技术不能适应宽的输入电压范围，且驱动信号电压会随着输入电压变化而变化，在一定范围内波动，可能造成功率开关管的损坏。
[0005]2.采用集成驱动芯片进行驱动的方式，芯片需要专门的辅助供电电路，增加了元器件数量，即增加了电路板的占用空间，又增加了成本，不便于集成，提高功率密度。
[0006]3.取原边驱动信号进入隔离传输芯片，到次级输出信号，作为驱动电路的输入信号，隔离传输芯片本身存在延时，造成次边开关管不能及时打开，造成效率损失。且由于时延的存在，可能造成原副边共通，及次边共通现象发生。
[0007]因此需要一种可以新的驱动电路，以克服上述开关电源驱动技术所带来的技术缺点。

技术实现思路

[0008]为解决上述问题，本技术提出一种开关电源的同步整流驱动电路。
[0009]一种开关电源的同步整流驱动电路，包括：变压器，所述变压器副边绕组的两端分别为同名端和异名端；第一电阻，所述异名端与第一电阻一端连接；第一NPN型三极管，所述第一电阻的另一端与第一NPN型三极管的基极连接，所述第一NPN型三极管的集电极与异名端连接；第一稳压二极管，所述第一NPN型三极管的基极与第一稳压二极管的负极连接，所述第一稳压二极管的正极接地；第一N沟道MOS管，所述第一NPN型三极管的发射极与第一N沟道MOS管的栅极连接，所述第一N沟道MOS管的漏极与同名端连接；第二电阻，所述同名端与第二电阻一端连接；第二三级管，所述第二电阻的另一端与第二NPN型三极管的基极连接，所述第二NPN型三极管的集电极与同名端连接；第二稳压二极管，所述第二NPN型三极管的基极与第二稳压二极管的负极连接，所述第二稳压二极管的正极接地；第二N沟道MOS管，所述第二NPN型三极管的发射极与第二N沟道MOS管的栅极连接，所述第二N沟道MOS管的漏极与异名端连接，所述第二N沟道MOS管的源极与第一N沟道MOS管的源极连接。
[0010]进一步的，还包括第一电容，所述第一电容的两端分别与第一电阻的两端连接；第二电容，所述第二电容的两端分别与第二电阻的两端连接。
[0011]进一步的，还包括第一整流二极管，所述第一整流二极管的负极与第一NPN型三极管的集电极连接，所述第一整流二极管的正极与第一NPN型三极管的发射极连接；还包括第二整流二极管，所述第二整流二极管的负极与第二NPN型三极管的集电极连接，所述第二整流二极管的正极与第二NPN型三极管的发射极连接。
[0012]进一步的，还包括：第三电容和第三电阻，所述第三电阻的一端与第一N沟道MOS管的漏极连接，所述第三电阻的另一端与第三电容的一端连接，所述第三电容的另一端与第一N沟道MOS管的源极连接；第四电容和第四电阻，所述第四电阻的一端与第二N沟道MOS管的源极连接，所述第四电阻的另一端与第四电容的一端连接，所述第四电容的另一端与第二N沟道MOS管的漏极连接。
[0013]进一步的，所述第一N沟道MOS管的漏极和源极分别连接有第一输出端和第二输出端。
[0014]进一步的，包括第一电感，所述第一输出端经第一电感与第一N沟道MOS管的漏极连接。
[0015]进一步的，还包括第五电容，所述第五电容的两端分别于第一输出端和第二输出端连接。
[0016]有益效果： 1、本驱动电路能适应电源模块宽输入电压范围工作，且能将输出的驱动信号稳定在一个设定的安全电压。2、本驱动电路输入信号直接取自于次边绕组，可以防止原副边共通的现象，及次边整流管与续流管的共通现象。 3、本驱动电路不需要额外的辅助供电电压，电路简单、可靠，外围元器件少，成本低，可减小占用电路板面积，便于集成，提高电源模块功率密度。
附图说明
[0017]图1为本技术所提出的一种开关电源的同步整流驱动电路的电路原理图。
具体实施方式
[0018]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图和实施例对本技术进行描述。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0019]实施例1
[0020]参照图1，一种开关电源的同步整流驱动电路，包括：变压器T1，变压器T1原边绕组和副边绕组组成，T1为隔离变压器的次边绕组，用于传递输出能量。在本实施例中，为了避免现有问题中出现的原副边共通现象，因此本驱动电路直接从次边绕组取电。所述变压器T1副边绕组的两端分别为同名端和异名端；第一电阻R1，所述异名端与第一电阻R1一端连接；第一NPN型三极管Q1，所述第一电阻R1的另一端与第一NPN型三极管Q1的基极连接，所述第一NPN型三极管Q1的集电极与异名端连接；第一稳压二极管ZD1，所述第一NPN型三极管Q1的基极与第一稳压二极管ZD1的负极连接，所述第一稳压二极管ZD1的正极接地；第一N沟道MOS管Q2，所述第一NPN型三极管Q1的发射极与第一N沟道MOS管Q2的栅极连接，所述第一N沟道MOS管Q2的漏极与同名端连接；第二电阻R2，所述同名端与第二电阻R2一端连接；第二三级管Q4，所述第二电阻R2的另一端与第二三级管Q4的基极连接，所述第二三级管Q4的集电
极与同名端连接；第二稳压二极管ZD2，所述第二三级管Q4的基极与第二稳压二极管ZD2的负极连接，所述第二稳压二极管ZD2的正极接地，ZD1、ZD2为稳压二极管，分别为Q2、Q3栅极驱动提供一个基准电压；第二N沟道MOS管Q3，所述第二三级管Q4的发射极与第二N沟道MOS管Q3的栅极连接，所述第二N沟道MOS管Q3的漏极与异名端连接，所述第二N沟道MOS管Q3的源极与第一N沟道MOS管Q2的源极连接。本驱动电路从次边绕组直接取电，作为驱动电路的输入信号，根据理想变压器工作原理及同名端定义，次边绕组信号与原边绕组信号同相位、同时序，不存在延时，即不存在原副边共通的现象，且不会导致次边整流管与续流管的共通现象，提高了电源模块的工作可靠性。
[0021]实施例2
[0022]在上述基础电路中，进一步的，还包括第一电容C1，所述第一电容C1的两端分别与第一电阻R1的两端连接；第二电容C2，所述第二电容C2的两端分别与第二电阻R2的两端连接, R1、R2分别为ZD1、ZD2提供能稳定工作的必要电流, C1、C2为加速电容，分别为Q2、Q3快速建立栅极驱动电压，减小Q2、Q3损耗。
[0023本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种开关电源的同步整流驱动电路，其特征在于，包括：变压器，所述变压器副边绕组的两端分别为同名端和异名端；第一电阻，所述异名端与第一电阻一端连接；第一NPN型三极管，所述第一电阻的另一端与第一NPN型三极管的基极连接，所述第一NPN型三极管的集电极与异名端连接；第一稳压二极管，所述第一NPN型三极管的基极与第一稳压二极管的负极连接，所述第一稳压二极管的正极接地；第一N沟道MOS管，所述第一NPN型三极管的发射极与第一N沟道MOS管的栅极连接，所述第一N沟道MOS管的漏极与同名端连接；第二电阻，所述同名端与第二电阻一端连接；第二三级管，所述第二电阻的另一端与第二NPN型三极管的基极连接，所述第二NPN型三极管的集电极与同名端连接；第二稳压二极管，所述第二NPN型三极管的基极与第二稳压二极管的负极连接，所述第二稳压二极管的正极接地；第二N沟道MOS管，所述第二NPN型三极管的发射极与第二N沟道MOS管的栅极连接，所述第二N沟道MOS管的漏极与异名端连接，所述第二N沟道MOS管的源极与第一N沟道MOS管的源极连接。2.根据权利要求1所述的一种开关电源的同步整流驱动电路，其特征在于，还包括第一电容，所述第一电容的两端分别与第一电阻的两端连接；第二电容，所述第二电容的两端分别与第二电阻的两端连接。3.根据权利要求2所述的一种开关电...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈思宇，曹加勇，唐建，吴操，赵寒睿，
申请(专利权)人：成都启微科技有限公司，
类型：新型
国别省市：