原位生长异质结构的SiOC吸波陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种原位生长异质结构的SiOC吸波陶瓷及其制备方法，将TiB2粉末加入PSO溶液中搅拌得到混合溶液A；将混合溶液A置于管式炉中，抽真空后通氩气，在氩气气氛下保温，交联固化得到半透明状固态产物B；对固态产物B进行球磨、烘干并用筛网筛分后压成块状样品C；将块状样品C在氩气气氛下热处理，生成原位生长异质结构的SiOC吸波陶瓷。所述异质结构包括纳米晶相的SiCnws，SiCnws在SiOC陶瓷基体之间构成导电网络，SiCnws和SiOC陶瓷基体中覆盖有迷宫形状纳米异质TiB2和/或TiO2，SiOC陶瓷基体中分布有涡轮相的SiC，改善SiOC陶瓷的吸波性能。吸波性能。吸波性能。

【技术实现步骤摘要】
原位生长异质结构的SiOC吸波陶瓷及其制备方法


[0001]本专利技术属于吸波材料
，涉及一种原位生长异质结构的SiOC吸波陶瓷及其制备方法。

技术介绍

[0002]战争技术的迅猛发展和日益复杂的战场环境对先进飞机的隐身性能提出了更加苛刻的要求。雷达隐身技术对促进飞机生存能力的意义越来越受到学者们的关注。目前，雷达隐身可以通过外形隐身和材料隐身技术实现。外形隐身技术一般是通过改变武器装备的外部形状来降低目标在一定入射角内的雷达截面（RCS），外形隐身同时会干扰飞机的空气动力性能。相比之下，材料隐身可以通过将电磁波能量转化为热能而消散。因此，有必要研制新型吸波材料以获得飞机上理想的隐身性能。目前，应主要设计重量轻、具有高效吸收性能以及抗氧化和抗腐蚀性能的吸波材料，以满足先进飞机的需求。碳化硅（SiC）是一种典型的半导体材料，具有低密度、良好的化学稳定性和抗高温氧化性，这使得它在恶劣的环境中得到了广泛的应用。SiC的各种形态，如SiC泡沫、SiC颗粒、SiC晶须（SiCw）和SiC纳米线（SiCnws）可以表现出相应的不同电磁特性，使SiC成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.原位生长异质结构的SiOC吸波陶瓷，其特征在于，在多面体的非晶SiOC陶瓷基体表面原位生成异质结构。2.根据权利要求1所述的原位生长异质结构的SiOC吸波陶瓷，其特征在于，所述异质结构包括分布在SiOC陶瓷基体中的呈纳米晶相的SiC颗粒以及呈涡轮相的游离C。3.根据权利要求1所述的原位生长异质结构的SiOC吸波陶瓷，其特征在于，所述异质结构包括纳米晶相的SiCnws，SiCnws在SiOC陶瓷基体之间构成导电连接，SiOC陶瓷基体表面覆盖有圆形沟壑形貌的TiB2，SiOC陶瓷基体中分布有涡轮相的SiC。4.根据权利要求1所述的原位生长异质结构的SiOC吸波陶瓷，其特征在于，所述异质结构包括纳米晶相的SiCnws，SiCnws在SiOC陶瓷基体之间构成均匀致密的三维导电网络，SiCnws以及SiOC陶瓷基体中覆盖有迷宫形状纳米异质TiB2和/或TiO2，SiOC陶瓷基体中分布有涡轮相的SiC。5.根据权利要求4所述的原位生长异质结构的SiOC吸波陶瓷，其特征在于，在7~9GHZ的带宽下的最小反射系数大于
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20db，9GHZ频率下的最小反射系数达到
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55db。6.根据权利要求1所述的原位生长异质结构的SiOC吸波陶瓷，其特征在于，D峰和G峰的强度比为1.06~2.03。7.原位生长异质结构的SiOC吸波陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：将TiB2粉末加入PSO溶液中搅拌得到混...

【专利技术属性】
技术研发人员：何卫锋，冯佩，梁晓晴，罗思海，张文远，李才智，
申请(专利权)人：中国人民解放军空军工程大学，
类型：发明
国别省市：