一种低噪声放大器电路及射频前端电路制造技术

本申请涉及一种低噪声放大器电路及射频前端电路，所述低噪声放大器电路包括第一晶体管和第二晶体管，其中：所述第一晶体管的栅极连接所述低噪声放大器电路的输入端，所述第一晶体管的源极接地；所述第二晶体管的栅极和漏极连接所述低噪声放大器电路的供电端，所述第二晶体管的漏极还连接所述低噪声放大器电路的输出端；所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的源极合并在一起；其中，所述第一晶体管为浮体晶体管，所述第二晶体管为体接触晶体管。本申请具有提升放大器性能并减少电路占用面积的效果。面积的效果。面积的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种低噪声放大器电路及射频前端电路


[0001]本申请涉及通讯器件的
，更具体地涉及一种低噪声放大器电路及射频前端电路。

技术介绍

[0002]传统的低噪声放大器(Low Noise Amplifier，简称为LNA)的核心电路中，连接输入端的晶体管的漏极以及连接输出端的晶体管的源极这两者的对地寄生结电容会限制LNA在高频应用时的性能。虽然绝缘硅(Silicon
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On
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Insulator，简称为SOI)LNA的寄生电容比较小，但在毫米波频段还是对LNA性能有显著的影响。
[0003]相关技术中采用了在上述两个晶体管之间加入电感与寄生结电容谐振的方案来提高LNA的工作频率，如图1所示，其中连接输入端的晶体管的漏极和连接输出端的晶体管的源极这两者之间额外增加了电感的结构，用来与寄生电容谐振。这样的解决方案会导致电路结构比较复杂，而且额外的电感还增加了电路面积。
[0004]因此，需要提供一种新的低噪声放大器电路，以解决上述技术问题。

技术实现思路

[0005]为了解决上述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低噪声放大器电路，其特征在于，所述低噪声放大器电路包括第一晶体管和第二晶体管，其中：所述第一晶体管的栅极连接所述低噪声放大器电路的输入端，所述第一晶体管的源极接地；所述第二晶体管的栅极和漏极连接所述低噪声放大器电路的供电端，所述第二晶体管的漏极还连接所述低噪声放大器电路的输出端；所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的源极合并在一起；其中，所述第一晶体管为浮体晶体管，所述第二晶体管为体接触晶体管。2.根据权利要求1所述的低噪声放大器电路，其特征在于，所述低噪声放大器电路还包括第一电感器，所述第一电感器耦连在所述第一晶体管的栅极和所述低噪声放大器电路的输入端之间。3.根据权利要求1所述的低噪声放大器电路，其特征在于，所述低噪声放大器电路还包括第二电感器，所述第二电感器耦连在所述第一晶体管的源极和地之间。4.根据权利要求1所述的低噪声放大器电路，其特征在于，所述低噪声放大器电路还包括第三电感器，所述第三电感器耦连在所述第二晶体管的漏极和所述低噪声放大器电路的供电端之间。5.根据权利要求1
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4中的任一项所述的低噪声放大器电路，其特征在于，所述低噪声放大器电路还包括电容器，所述电容器耦连在所述第二晶体管的漏极和所述低噪声放大器电路的输出端之间。6.一种射频前端电路，其特征在于，所述射频前端电路包括射频接收器，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：程仁豪，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：