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本申请涉及一种低噪声放大器电路及射频前端电路，所述低噪声放大器电路包括第一晶体管和第二晶体管，其中：所述第一晶体管的栅极连接所述低噪声放大器电路的输入端，所述第一晶体管的源极接地；所述第二晶体管的栅极和漏极连接所述低噪声放大器电路的供电端，...
该专利属于绍兴中芯集成电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴中芯集成电路制造股份有限公司授权不得商用。

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