本发明专利技术公开了一种芯片性能分析方法及装置，方法包括：首先获取待测芯片的属性参数以及三维结构，根据待测芯片的属性参数，构建建模层、加载层、测试层以及待测芯片性能分析层，对建模层、加载层、测试层以及待测芯片性能分析层进行编译，得到可执行脚本文件，采集待测芯片的目标性能数据，根据三维结构生成有限元模型，并加载可执行脚本文件，确定目标性能分析模型，根据目标性能分析模型对待测芯片的性能进行分析，大大降低了芯片性能分析的成本，并且提高芯片性能分析效率。并且提高芯片性能分析效率。并且提高芯片性能分析效率。
【技术实现步骤摘要】
一种芯片性能分析方法及装置
[0001]本专利技术属于集成电路领域，特别是一种芯片性能分析方法及装置。
技术介绍
[0002]随着超大规模集成电路的高速发展，芯片的集成度不断提高，特征尺寸不断减小。芯片不仅向更小的外型尺寸发展，芯片的复杂度也日益增大，对芯片性能的要求也越来越高，不仅要验证其功能是否能够完全实现，还要验证其性能指标是否达到设计要求，这里的性能指标通常指的是芯片端口速率特性、延迟特性和丢包率、误码率等关键性能指标，以及芯片的输入输出时钟质量指标。
[0003]在芯片整个开发流程中，对芯片性能的优化可从架构层面以及前端设计等层面入手。架构层面的性能优化可通过构建system C模型+TLM模型(即Transaction Level Modeling，事务级建模)来进行评估，在芯片开发早期对架构进行合理的优化，可以为后续RTL(即Register Transfer Level，寄存器转换级电路)设计指明方向，节省研发时间，但是对建立模型的准确性要求较高；前端设计层面的优化需要构建测试用例，通过仿真分析设计电路的各项性能指标，找出具体的瓶颈模块，利用修改设计的方式提升性能。目前市场上流行的SOC(即System on Chip，系统级芯片)性能分析工具有Vivado、Verdi等。相比于system C+TLM模型，前端RTL设计更能真实的反映当前系统性能状况。
[0004]由上可见，在芯片性能优化分析过程中，如何使用更合理的方案实现芯片性能的快速优化，并通过对芯片性能的快速分析，这是一个亟待解决的问题。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的是提供一种芯片性能分析方法及装置，以解决现有技术中的不足，它通过提出一种新的芯片性能分析方法，大大降低了芯片性能分析的成本，并且提高芯片性能分析效率。
[0006]本申请的一个实施例提供了一种芯片性能分析方法，应用于芯片测试平台，所述方法包括：
[0007]获取待测芯片的属性参数以及三维结构；
[0008]根据待测芯片的属性参数，构建建模层、加载层、测试层以及待测芯片性能分析层；
[0009]对所述建模层、所述加载层、所述测试层以及所述待测芯片性能分析层进行编译，得到可执行脚本文件；
[0010]采集所述待测芯片的目标性能数据，根据所述三维结构生成有限元模型，并加载所述可执行脚本文件，确定目标性能分析模型；
[0011]根据所述目标性能分析模型对所述待测芯片的性能进行分析。
[0012]可选的，所述根据待测芯片的属性参数，构建建模层、加载层、测试层以及待测芯片性能分析层，包括：
[0013]对待测芯片的属性参数进行特性分析，得到对应的参数特征信息；
[0014]根据所述参数特征信息对所述待测芯片的属性参数进行分类，得到不同的数据类别；
[0015]根据所述不同的数据类别创建对应的数据目录；
[0016]将所述待测芯片的属性参数按照所述数据类别存储至对应的数据目录，所述数据目录包括建模参数目录、加载参数目录、测试参数目录以及性能分析参数目录；
[0017]通过预设分层模板分别对所述建模参数目录、所述加载参数目录、所述测试参数目录以及所述性能分析参数目录进行分层构建，得到对应的建模层、加载层、测试层以及待测芯片性能分析层。
[0018]可选的，所述待测芯片的属性参数包括：芯片材质、芯片型号、芯片容量、芯片存储速度、芯片工作温度以及芯片响应时间中的一种或多种组合。
[0019]可选的，所述根据所述三维结构生成有限元模型，包括：
[0020]根据所述三维结构，获取所述待测芯片各设备层的布局信息；
[0021]对所述各设备层的布局信息进行解析，确定所述各设备层的有限元网格；
[0022]基于所有所述有限元网格，构建所述待测芯片对应的有限元模型。
[0023]可选的，所述加载所述可执行脚本文件，确定目标性能分析模型，包括：
[0024]在检测到所述有限元模型的执行信息时，将所述可执行脚本文件导入至所述有限元模型；
[0025]通过所述有限元模型对所述可执行脚本文件进行运行；
[0026]若在运行过程中接收到细化有限元网格的指令，则自动执行确认，并在执行完成后，生成目标性能分析模型。
[0027]可选的，所述目标性能分析模型中包括自动执行的多条测试命令，所述根据所述目标性能分析模型对所述待测芯片的性能进行分析，包括：
[0028]根据所述多条测试命令的执行顺序，依次执行所述多条测试命令，其中，一条所述测试命令对应所述待测芯片的一项属性参数；
[0029]在每条所述测试命令的执行过程中，依次生成当前测试命令对应的节点；
[0030]存储生成的每个所述测试命令对应的节点，以及所述节点对应的有向边和所述有向边的权重，得到有向图数据，其中，所述节点对应的有向边根据所述执行顺序确定，所述有向边的权重根据属性参数的重要性确定；
[0031]基于所述有向图数据中的节点之间的路径，分析所述待测芯片的性能。
[0032]本申请的又一实施例提供了一种芯片性能分析装置，应用于芯片测试平台，所述装置包括：
[0033]获取模块，用于获取待测芯片的属性参数以及三维结构；
[0034]构建模块，用于根据待测芯片的属性参数，构建建模层、加载层、测试层以及待测芯片性能分析层；
[0035]编译模块，用于对所述建模层、所述加载层、所述测试层以及所述待测芯片性能分析层进行编译，得到可执行脚本文件；
[0036]确定模块，用于采集所述待测芯片的目标性能数据，根据所述三维结构生成有限元模型，并加载所述可执行脚本文件，确定目标性能分析模型；
[0037]分析模块，用于根据所述目标性能分析模型对所述待测芯片的性能进行分析。
[0038]可选的，所述构建模块，包括：
[0039]第一得到单元，用于对待测芯片的属性参数进行特性分析，得到对应的参数特征信息；
[0040]第二得到单元，用于根据所述参数特征信息对所述待测芯片的属性参数进行分类，得到不同的数据类别；
[0041]创建单元，用于根据所述不同的数据类别创建对应的数据目录；
[0042]第一存储单元，用于将所述待测芯片的属性参数按照所述数据类别存储至对应的数据目录，所述数据目录包括建模参数目录、加载参数目录、测试参数目录以及性能分析参数目录；
[0043]第三得到单元，用于通过预设分层模板分别对所述建模参数目录、所述加载参数目录、所述测试参数目录以及所述性能分析参数目录进行分层构建，得到对应的建模层、加载层、测试层以及待测芯片性能分析层。
[0044]可选的，所述确定模块，包括：
[0045]获取单元，用于根据所述三维结构，获取所述待测芯片各设备层的布局信息；
[0046]确定单元，用于对所述各设备层的布局信息进行解析，确定所述各设备层的有限元网格；
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片性能分析方法，其特征在于，应用于芯片测试平台，所述方法包括：获取待测芯片的属性参数以及三维结构；根据待测芯片的属性参数，构建建模层、加载层、测试层以及待测芯片性能分析层；对所述建模层、所述加载层、所述测试层以及所述待测芯片性能分析层进行编译，得到可执行脚本文件；采集所述待测芯片的目标性能数据，根据所述三维结构生成有限元模型，并加载所述可执行脚本文件，确定目标性能分析模型；根据所述目标性能分析模型对所述待测芯片的性能进行分析。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据待测芯片的属性参数，构建建模层、加载层、测试层以及待测芯片性能分析层，包括：对待测芯片的属性参数进行特性分析，得到对应的参数特征信息；根据所述参数特征信息对所述待测芯片的属性参数进行分类，得到不同的数据类别；根据所述不同的数据类别创建对应的数据目录；将所述待测芯片的属性参数按照所述数据类别存储至对应的数据目录，所述数据目录包括建模参数目录、加载参数目录、测试参数目录以及性能分析参数目录；通过预设分层模板分别对所述建模参数目录、所述加载参数目录、所述测试参数目录以及所述性能分析参数目录进行分层构建，得到对应的建模层、加载层、测试层以及待测芯片性能分析层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测芯片的属性参数包括：芯片材质、芯片型号、芯片容量、芯片存储速度、芯片工作温度以及芯片响应时间中的一种或多种组合。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述三维结构生成有限元模型，包括：根据所述三维结构，获取所述待测芯片各设备层的布局信息；对所述各设备层的布局信息进行解析，确定所述各设备层的有限元网格；基于所有所述有限元网格，构建所述待测芯片对应的有限元模型。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述加载所述可执行脚本文件，确定目标性能分析模型，包括：在检测到所述有限元模型的执行信息时，将所述可执行脚本文件导入至所述有限元模型；通过所述有限元模型对所述可执行脚本文件进行运行；若在运行过程中接收到细化有限元网格的指令，则自动执行确认，并在执行完成后，生成目标性能分析模型。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标性能分析模型中包括自动执行的多条测试命令，所述根据所述目标性能分析模型对所述待测...
【专利技术属性】
技术研发人员：范科伟，张剑，
申请(专利权)人：上海乐存信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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