芯片及其制备方法技术

一种芯片及其制备方法，该芯片包括衬底、控制电路、存内计算层和近存计算层；控制电路设置在衬底上，存内计算层和近存计算层设置在控制电路的远离衬底的一侧，其中，存内计算层设置在近存计算层的靠近或者远离衬底的一侧；存内计算层包括多个存储器，近存计算层包括多个垂直互补型场效应晶体管，多个存储器和多个垂直互补型场效应晶体管电连接于控制电路。该芯片的控制电路、存内计算层和近存计算层可以设置在同一衬底上，存内计算层和近存计算层可以分别执行不同的计算功能，使得芯片可以处理复杂的神经网络，例如深度学习超分辨率算法等。等。等。

【技术实现步骤摘要】
芯片及其制备方法


[0001]本公开的实施例涉及一种芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]深度学习超分辨率算法(Enhanced deep super
‑
resolution network，EDSR)是一种利用深度学习神经网络，从一系列有噪声、模糊及欠采样的低分辨率图像序列中恢复出高分辨率图像的算法网络。
[0003]空间分辨率的大小是衡量图像质量的一个重要指标，分辨率越高的图像含有的细节信息越多，图像清晰度越高。峰值信噪比(Peak Signal
‑
to
‑
Noise Ratio，PSNR)是信号的最大功率和信号噪声功率之比，来测量被压缩的重构图像的质量。PSNR指标值越高，说明图像质量越好。原始图像分辨率会受到硬件设备的成像条件和成像方式的限制，深度学习超分辨率算法可以在不增加硬件成本的前提下，修复和提高原始图像的分辨率。
[0004]传统提升像素密度的方法(即在计算机图像的单位区域内增加更多像素点)例如双三次插值(Bicubic)方法，是利用待采样点周围16个点的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片，包括：衬底，控制电路，设置在所述衬底上，存内计算层和近存计算层，设置在所述控制电路的远离所述衬底的一侧，其中，所述存内计算层设置在所述近存计算层的靠近或者远离所述衬底的一侧；其中，所述存内计算层包括多个存储器，所述近存计算层包括多个垂直互补型场效应晶体管，所述多个存储器和所述多个垂直互补型场效应晶体管电连接于所述控制电路。2.根据权利要求1所述的芯片，其中，所述多个垂直互补型场效应晶体管中的每个包括：第一半导体层和第一源漏电极层，其中，所述第一源漏电极层设置在所述第一半导体层的远离或者靠近所述衬底的一侧，包括间隔设置的第一源极和第一漏极，第一绝缘层，设置在所述第一半导体层和所述第一源漏电极层的远离所述衬底的一侧，包括暴露所述第一漏极的第一过孔，第一栅极，设置在所述第一绝缘层的远离所述衬底的一侧，第二绝缘层，设置在所述第一栅极的远离所述衬底的一侧，包括暴露所述第一过孔的第二过孔，第二半导体层和第二源漏电极层，设置在所述第二绝缘层的远离所述衬底的一侧，其中，所述第二源漏电极层设置在所述第二半导体层的远离或者靠近所述衬底的一侧，包括间隔设置的第二源极和第二漏极，其中，所述第二漏极通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述第一漏极电连接，其中，所述第一半导体层、所述第一源漏电极层、所述第一绝缘层和所述第一栅极构成第一晶体管，所述第一栅极、所述第二绝缘层、所述第二半导体层和所述第二源漏电极层构成第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管中的一个为P型晶体管，另一个为N型晶体管。3.根据权利要求2所述的芯片，其中，所述第一晶体管为P型晶体管，所述第一半导体层的材料包括P型纳米材料或者P型氧化物，所述第二晶体管为N型晶体管，所述第二半导体层的材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐建石，安然，李怡均，高滨，钱鹤，吴华强，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：