氧化物陶瓷基板一体烧结方法技术

本发明专利技术涉及电子陶瓷材料制备工艺领域，尤其涉及一种氧化物陶瓷基板一体烧结方法，包括如下步骤：a、对陶瓷原粉进行预烧处理；b、将经过步骤a处理后的陶瓷原粉进行球磨处理；c、将经过步骤b处理后的陶瓷原粉进行喷雾造粒处理，得到陶瓷料球；d、将陶瓷料球制成陶瓷基板生坯；e、将一定数量的陶瓷基板生坯通过隔离胶整齐叠放在一起；f、将叠放在一起陶瓷基板放置在高温窑炉中进行高温烧结；g、对熟烧后的陶瓷基板进行除沙处理。本发明专利技术成功将目前常规的陶瓷基板熟烧、复平两个工序合并为一个烧结工序。既起到了生产过程的节能减排，又能缩短生产制造周期，实现陶瓷基板的高质量、高效制造过程。过程。

【技术实现步骤摘要】
氧化物陶瓷基板一体烧结方法


[0001]本专利技术涉及电子陶瓷材料制备工艺领域，尤其涉及一种氧化物陶瓷基板一体烧结方法。

技术介绍

[0002]近年来，电动汽车、电力汽车以及半导体照明航空航天、卫星通信等进入高速发展阶段，其电子器件工作电流大、温度高、频率高，为满足器件及电路工作的稳定性，对芯片载体提出了更高的要求，陶瓷基板具有优良的热性能、微波性能、力学性能及可靠性高等优点，可广泛应用于这些领域。无论是传统的氧化铝、氧化铍陶瓷基板，还是目前市场火热的氮化硅、氮化铝陶瓷基板都要求成瓷后的陶瓷基板具有较好的平整度便于后续加工，基本要求陶瓷基板厚度在1mm以内，平整度不得大于陶瓷厚度的10％。
[0003]目前陶瓷基板的制作工艺基本采用熟烧后再增加复平烧结的方式，通过将陶瓷基板叠放后配重压烧的方式进行整平，该方式目前主要存在几个问题：
[0004]首先是陶瓷基板熟烧后，翘曲程度不一，叠片后压烧对于部分翘曲严重的基板不能起到整平作用，导致复平效果参差不齐，部分翘曲严重的还需再一次甚至三次复平烧结，多次烧结同时必然带来陶瓷晶粒二次发育，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.氧化物陶瓷基板一体烧结方法，其特征在于，包括如下步骤：a、对陶瓷原粉进行预烧处理；b、将经过步骤a处理后的陶瓷原粉进行球磨处理；c、将经过步骤b处理后的陶瓷原粉进行喷雾造粒处理，得到陶瓷料球；d、将陶瓷料球制成陶瓷基板生坯；e、将一定数量的陶瓷基板生坯通过隔离胶整齐叠放在一起；f、将叠放在一起陶瓷基板放置在高温窑炉中进行高温烧结；g、对熟烧后的陶瓷基板进行除沙处理。2.如权利要求1所述的氧化物陶瓷基板一体烧结方法，其特征在于：在步骤a中，预烧温度为1200
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1400℃，预烧时间为2
‑
4h。3.如权利要求1所述的氧化物陶瓷基板一体烧结方法，其特征在于：在步骤b中，球磨处理时，溶剂为纯水或者酒精，球磨机中放置有氧化锆瓷球，氧化锆瓷球的直径为3
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8mm，陶瓷原粉：溶剂：氧化锆瓷球＝1：0.8
‑
2：1
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3。4.如权利要求1所述的氧化物陶瓷基板一体烧结方法，其特征在于：陶瓷料球的粒度大小为40
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80μm。5.如权利要求1所述的氧化物陶瓷基板一体烧结方法，其特征在于：在步骤e中，陶瓷基板生坯翘曲度≤0.2mm，厚度公差为

【专利技术属性】
技术研发人员：刘豪，尚华，林贵洪，王刚，万融，
申请(专利权)人：宜宾红星电子有限公司，
类型：发明
国别省市：