金属离子或金属颗粒的监控方法技术

本发明专利技术提供一种金属离子或金属颗粒的监控方法，所述方法包括：提供一晶圆，且所述晶圆至少包括半导体衬底；于所述晶圆的表面形成多晶硅层；对形成有所述多晶硅层的所述晶圆进行扫描，以判断所述晶圆是否存在晶向异形缺陷，若判断结果为是，得到所述晶向异形缺陷的分布数量及分布坐标。通过本发明专利技术解决了现有的查找机台设备异常点的周期长且排查难度高的问题。机台设备异常点的周期长且排查难度高的问题。机台设备异常点的周期长且排查难度高的问题。

【技术实现步骤摘要】
金属离子或金属颗粒的监控方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种金属离子或金属颗粒的监控方法。

技术介绍

[0002]金属离子(Cu、Fe、Ni或Al等)在半导体材料中具有高度活动性，又被称为可移动离子污染。而在硅片的生长过程中，金属离子污染会严重损害器件电学性能和长期可靠性。
[0003]传统的金属离子检测方法有ICP
‑
MS或QUANTOX等，但上述方法是对样品中的元素进行定性定量分析，无法对晶圆金属离子或金属颗粒的分布或坐标状况进行定点定位。当晶圆设备发生异常需要对腔体、槽体或部件位置进行定点排查时，很难快速锁定异常点，通常都是整机清洗一遍后反复进行离子检测以确保机台恢复可控范围，但此过程周期长，排查难度高，且无法找到真正原因。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种金属离子或金属颗粒的监控方法，用于解决以现有的金属离子或金属颗粒的检测方法查找机台设备异常点的周期长且排查难度高的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属离子或金属颗粒的监控方法，其特征在于，所述方法包括：提供一晶圆，且所述晶圆至少包括半导体衬底；于所述晶圆的表面形成多晶硅层；对形成有所述多晶硅层的所述晶圆进行扫描，以判断所述晶圆是否存在晶向异形缺陷，若判断结果为是，得到所述晶向异形缺陷的分布数量及分布坐标。2.根据权利要求1所述的金属离子或金属颗粒的监控方法，其特征在于，所述晶圆还包括氧化层，且所述氧化层形成于所述半导体衬底的表面，此时，所述多晶硅层形成于所述氧化层的表面。3.根据权利要求1或2所述的金属离子或金属颗粒的监控方法，其特征在于，所述半导体衬底的材质为...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁威，米琳，李志国，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：