金属离子或金属颗粒的监控方法技术

本发明专利技术提供一种金属离子或金属颗粒的监控方法，所述方法包括：提供一晶圆，且所述晶圆至少包括半导体衬底；于所述晶圆的表面形成多晶硅层；对形成有所述多晶硅层的所述晶圆进行扫描，以判断所述晶圆是否存在晶向异形缺陷，若判断结果为是，得到所述晶向异形缺陷的分布数量及分布坐标。通过本发明专利技术解决了现有的查找机台设备异常点的周期长且排查难度高的问题。机台设备异常点的周期长且排查难度高的问题。机台设备异常点的周期长且排查难度高的问题。

【技术实现步骤摘要】
金属离子或金属颗粒的监控方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种金属离子或金属颗粒的监控方法。

技术介绍

[0002]金属离子(Cu、Fe、Ni或Al等)在半导体材料中具有高度活动性，又被称为可移动离子污染。而在硅片的生长过程中，金属离子污染会严重损害器件电学性能和长期可靠性。
[0003]传统的金属离子检测方法有ICP
‑
MS或QUANTOX等，但上述方法是对样品中的元素进行定性定量分析，无法对晶圆金属离子或金属颗粒的分布或坐标状况进行定点定位。当晶圆设备发生异常需要对腔体、槽体或部件位置进行定点排查时，很难快速锁定异常点，通常都是整机清洗一遍后反复进行离子检测以确保机台恢复可控范围，但此过程周期长，排查难度高，且无法找到真正原因。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种金属离子或金属颗粒的监控方法，用于解决以现有的金属离子或金属颗粒的检测方法查找机台设备异常点的周期长且排查难度高的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种金属离子或金属颗粒的监控方法，所述方法包括：
[0006]提供一晶圆，且所述晶圆至少包括半导体衬底；
[0007]于所述晶圆的表面形成多晶硅层；
[0008]对形成有所述多晶硅层的所述晶圆进行扫描，以判断所述晶圆是否存在晶向异形缺陷，若判断结果为是，得到所述晶向异形缺陷的分布数量及分布坐标。
[0009]可选地，所述晶圆还包括氧化层，且所述氧化层形成于所述半导体衬底的表面，此时，所述多晶硅层形成于所述氧化层的表面。
[0010]可选地，所述半导体衬底的材质为硅。
[0011]可选地，于所述晶圆的表面形成所述多晶硅层的方法包括：利用炉管工艺于所述晶圆的表面形成所述多晶硅层。
[0012]可选地，得到所述晶向异形缺陷的分布数量及分布坐标的方法包括：通过利用缺陷扫描仪对所述晶圆进行扫描，以得到所述晶向异形缺陷的数量分布图。
[0013]可选地，所述方法还包括根据所述晶向异形缺陷的分布数量及分布坐标来判断设备产生金属离子或金属颗粒的异常点的步骤。
[0014]如上所述，本专利技术的金属离子或金属颗粒的监控方法，通过监控晶圆在生长多晶硅的过程中是否产生晶向异形缺陷来监控机台设备中是否存在金属离子或金属颗粒，并通过利用缺陷扫描仪输出的缺陷的分布数量及坐标来判断机台设备的异常点(也即是金属离子或金属颗粒的来源)。通过上述方法不仅能够降低异常点的排查难度，准确的找出机台设备的异常点，而且可以缩短找到异常点的周期。
附图说明
[0015]图1显示为本专利技术的金属离子或金属颗粒的监控方法的流程图。
[0016]图2显示为本专利技术的晶向异形缺陷的扫描电镜图。
[0017]图3显示为本专利技术的缺陷在晶圆上的分布图。
[0018]图4显示为本专利技术的金属颗粒缺陷数量分布图。
具体实施方式
[0019]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0020]请参阅图1至图4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，虽图示中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。
[0021]如图1所示，本实施例提供一种金属离子或金属颗粒的监控方法，所述方法包括：
[0022]提供一晶圆，且所述晶圆至少包括半导体衬底；
[0023]于所述晶圆的表面形成多晶硅层；
[0024]对形成有所述多晶硅层的所述晶圆进行扫描，以判断所述晶圆是否存在晶向异形缺陷，若判断结果为是，得到所述晶向异形缺陷的分布数量及分布坐标。
[0025]本实施例中，在机台设备中存在金属颗粒或金属离子的情况下，若利用机台设备生长所述多晶硅层时会产生晶向异形缺陷，因此，可通过确定所述晶向异形缺陷的分布数量及坐标确定金属离子或金属颗粒污染的来源(也即是机台设备的异常点)。
[0026]具体的，所述晶圆还包括氧化层，且所述氧化层形成于所述半导体衬底的表面，此时，所述多晶硅层形成于所述氧化层的表面。
[0027]作为示例，所述半导体衬底的材质为硅。
[0028]具体的，于所述晶圆的表面形成所述多晶硅层的方法包括：利用炉管工艺于所述晶圆的表面形成所述多晶硅层。
[0029]具体的，得到所述晶向异形缺陷的分布数量及分布坐标的方法包括：通过利用缺陷扫描仪对所述晶圆进行扫描，以得到所述晶向异形缺陷的数量分布图。
[0030]图3示出了利用缺陷扫描仪输出的所述数量分布图。图4示出了晶圆两个slot上的不同类型的金属颗粒缺陷的数量分布。可见，通过本实施例提供的方法可准确的找到金属离子或金属颗粒的分布数量及其在晶圆上的分布坐标。
[0031]具体的，所述方法还包括根据所述晶向异形缺陷的分布数量及分布坐标来判断设备产生金属离子或金属颗粒的异常点的步骤。
[0032]本实施例中，由于通过所述晶向异形缺陷的分布数量及分布坐标能够得到金属离子或金属缺陷的分布数量及分布坐标，因此，也就能够准确的找到机台设备的异常点。
[0033]综上所述，本专利技术的金属离子或金属颗粒的监控方法，通过监控晶圆在生长多晶硅的过程中是否产生晶向异形缺陷来监控机台设备中是否存在金属离子或金属颗粒，并通
过利用缺陷扫描仪输出的缺陷的分布数量及坐标来判断机台设备的异常点(也即是金属离子或金属颗粒的来源)。通过上述方法不仅能够降低异常点的排查难度，准确的找出机台设备的异常点，而且可以缩短找到异常点的周期。所以，本专利技术有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
[0034]上述实施例仅例示性说明本专利技术的原理及其功效，而非用于限制本专利技术。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本专利技术的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属
中具有通常知识者在未脱离本专利技术所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本专利技术的权利要求所涵盖。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属离子或金属颗粒的监控方法，其特征在于，所述方法包括：提供一晶圆，且所述晶圆至少包括半导体衬底；于所述晶圆的表面形成多晶硅层；对形成有所述多晶硅层的所述晶圆进行扫描，以判断所述晶圆是否存在晶向异形缺陷，若判断结果为是，得到所述晶向异形缺陷的分布数量及分布坐标。2.根据权利要求1所述的金属离子或金属颗粒的监控方法，其特征在于，所述晶圆还包括氧化层，且所述氧化层形成于所述半导体衬底的表面，此时，所述多晶硅层形成于所述氧化层的表面。3.根据权利要求1或2所述的金属离子或金属颗粒的监控方法，其特征在于，所述半导体衬底的材质为...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁威，米琳，李志国，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：