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本发明提供一种金属离子或金属颗粒的监控方法，所述方法包括：提供一晶圆，且所述晶圆至少包括半导体衬底；于所述晶圆的表面形成多晶硅层；对形成有所述多晶硅层的所述晶圆进行扫描，以判断所述晶圆是否存在晶向异形缺陷，若判断结果为是，得到所述晶向异形缺...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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