【技术实现步骤摘要】
一种化学镀中单晶硅表面预处理方法
[0001]本专利技术涉及一种化学镀中单晶硅表面预处理方法，属于半导体、集成电路等表面
技术介绍
[0002]化学镀与电镀相比，化学镀工艺简单，不用通电且镀层均匀细致。化学镀技术在表面
应用的比较广泛。化学镀的基体不同，工艺难度和成本也是差异很大。化学镀基体大体可分为两种，一种是可自催化的基体，比如钢铁；一种是不可自催化的基体，例如金属基体中的铜以及无机非金属基体。随着近几年中国对半导体、大规模集成电路和信息行业的大力发展，也为硅基化学镀的应用提供了新的思路。
[0003]目前，化学镀过程中在硅片的表面处理过程中，使用的方法无外乎传统的敏化活化法，胶体钯，盐钯等活化处理方法，但这些方法是通过物理结合，使钯颗粒嵌入基体表面的孔隙中，以此作为启动化学镀的活性点。以上方法仅对有一定粗糙度的硅片有一定效果，但无法针对镜面硅片起到良好作用。如果清洗硅片，有可能会造成钯粒子流失，表面活性点的减少；如果不清洗，有可能会造成残余活化液进入镀液中，使镀液失效。由于硅片化学镀需要用到钯盐...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种化学镀中单晶硅表面预处理方法，其特征在于，具体包括以下步骤：（1）有机物清洗：将单晶硅基体放入无水乙醇中采用超声波震荡清洗，处理时间为3min
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10min，操作温度为25
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40℃；（2）羟基化：将清洗后的单晶硅基体放入过氧化氢和浓硫酸的混合溶液中，处理时间为8
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15min，操作温度为85
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95℃；（3）自组分子层：步骤（2）处理的单晶硅基体放入硅烷偶联剂和无水乙醇的混合溶液中，处理时间为18
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25min，操作温度为80
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90℃；（4）活化：将步骤（3）处理的单晶硅基体放入氯化钯溶液中，处理时间为8
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15min，操作温度为25
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40℃，最后用无水乙醇清洗、烘干，备用。2.根据权利要求1所述化学镀中单晶硅表面预处理方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：管培怡，裴和中，李飞，盛子豪，陈怀清，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：
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