一种镁银合金和镱金属清洗剂及清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种镁银合金和镱金属清洗剂及清洗方法，开发了一款在较低的成本下，可以高效的溶解Mask、坩埚上残留的镁银合金、镱等金属，同时不对Mask等基底产生损失，且减少沉淀产生的金属清洗剂。该清洗剂由2

【技术实现步骤摘要】
一种镁银合金和镱金属清洗剂及清洗方法


[0001]本专利技术属于清洗剂
，具体涉及一种用于有机发光二极管(OLED)蒸镀工艺中坩埚、金属掩膜版以及蒸镀腔挡板上沉积的阴极材料用的镁银合金和镱金属清洗剂，以及采用该金属清洗剂对坩埚、金属掩膜版以及蒸镀腔挡板的清洗方法。

技术介绍

[0002]目前采用蒸镀工艺制作的有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体(AMOLED)屏幕，其阴极为镁银合金以及少量的金属镱。蒸镀完成后坩埚、金属掩膜版以及蒸镀腔挡板上会残留一定厚度的镁银合金以及镱，需要去除后才能再次使用。
[0003]目前大量采用的方法是人工手动用滚轮对残留的金属进行物理剥离，往往无法完全清除干净，会在金属掩膜版开口蒸镀角处、挡板缝隙等位置残留，形成毛刺现象；此外，滚轮清除过程中极易使掩膜版Mask发生形变，以上均极大的影响良率。
[0004]随着全球对OLED屏幕需求的激增及国内OLED产业的壮大，镁银清洗剂具有很大的增长空间。
[0005]CN113881944A公开了一种镁银合金清洗剂及清洗方法，目的是能快速溶解镁银合金，并且不对金属掩膜版产生损伤。该清洗剂主要包含了双氧水与羧酸类铵盐。该专利技术提供的镁银合金清洗剂成本低廉、能高效、彻底的溶解清洗镁银合金但不对金属基底产生损伤。但是该清洗剂为中性清洗剂，对金属镱溶解能力较差，导致了金属镱在金属掩膜版等基底上残留，且溶解过量镁时，会产生沉淀，污染器件。
[0006]CN109881204A公开了一种镁银合金清洗剂及清洗方法，目的是成本低廉、能高效、彻底的溶解清洗镁银合金但不对金属基底产生损伤的清洗剂。该镁银合金清洗剂包括3
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10wt％的主氧化剂、5
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15wt％的辅助氧化剂、1
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10wt％的pH缓冲剂、0.3
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1.0wt％的防腐剂和余量的水；所述主氧化剂选自硝酸、过氧化氢、高氯酸中的一种或多种；所述辅助氧化剂选自磷酸、硫酸中的一种或多种；所述防腐剂选自蔗糖、山梨糖醇、糊精、联吡啶中的一种或多种。该专利技术提供的镁银合金清洗剂成本低廉、能高效、彻底的溶解清洗镁银合金但不对金属基底产生损伤。但是该专利技术所提供的清洗剂配方使用强酸，不可避免的会伤害材质为铁合金的Mask。
[0007]随着全球对OLED屏幕需求的激增及国内OLED产业的壮大，镁银合金、镱金属清洗剂具有很大的增长空间。因此，本领域亟待开发一种能简单、快速、有效去除金属掩膜板表面镁银合金同时能去除金属镱的方法，且不会使Mask发生形变和损伤，提高产品良率。

技术实现思路

[0008]针对现有技术的不足，本专利技术的目的之一在于提供一种能够去除蒸镀工艺中沉积的镁银合金以及金属镱的清洗剂与清洗方法。所述方法能够快速、有效的去除金属镁银合金与金属镱，且不会使金属掩膜板发生形变。
[0009]为了解决上述技术问题，本专利技术采取的技术方案如下：
[0010]一种镁银合金和镱金属清洗剂，其原料按质量百分数计包括：2
‑
10％的氧化剂，3
‑
12％的氧化物溶解剂，3
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15％的pH调节剂，0.1
‑
1％的缓蚀剂，0.1
‑
1％的金属螯合剂，其余为水；所述氧化剂为双氧水，其浓度为2
‑
10wt％；所述氧化物溶解剂为乙酸、柠檬酸、甲酸、草酸、丙二酸、酒石酸中的一种或多种；
[0011]所述pH调节剂为乙酸钠、乙酸铵、柠檬酸钠、柠檬酸铵、甲酸钠、甲酸铵、草酸钠、草酸铵、酒石酸钠中的一种或多种；所述金属螯合剂选自乙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸二钠、氨基三乙酸、次氨基三乙酸二钠、三聚磷酸钠、葡萄糖中的一种或多种。
[0012]所述缓蚀剂为咪唑啉基聚醚型表面活性剂MZ
‑
EO
‑
n，其结构式为：
[0013]其中n为2
‑
20的整数。
[0014]所述镁银合金和镱金属清洗剂的pH范围为4
‑
6。
[0015]同时，本专利技术还提供了一种清洗方法，包括采用上述的金属清洗剂对附着有镁银合金与镱的蒸镀器件进行清洗。
[0016]本专利技术所述包含双氧水与有机弱酸的清洗剂，可使银被氧化成氧化银后与酸反应生成可溶解的离子化合物，同时弱酸的条件可使镁与镱反应生成二价镁离子与三价镱离子，溶解在溶液中。清洗剂的酸性不强，以及缓蚀剂的存在，不会对蒸镀器件造成腐蚀。金属螯合剂的添加，与金属离子形成可溶的络合物，减少沉淀的产生，避免了对金属掩膜板等器件的二次污染。同时，化学清洗的方法不会使金属掩膜板发生形变，且药剂安全，不会对蒸镀器件表面造成伤害。
[0017]本专利技术的显著优点在于：
[0018]所述氧化剂为双氧水；所述氧化物溶解剂为乙酸、柠檬酸、甲酸、草酸、丙二酸、酒石酸中的一种或多种。本专利技术中，主要是利用氧化剂将镁银合金以及金属镱氧化为金属氧化物，再利用氧化物溶解剂将金属氧化物进行溶解，从而对Mask或者坩埚上的残留金属进行清洗。
[0019]根据本专利技术，所采用的氧化物溶解剂为有机弱酸，添加了pH调节剂，降低了酸性清洗剂对Mask产生腐蚀的风险。为了减少沉淀的产生，添加了金属离子螯合剂，螯合剂与金属离子形成可溶性络合物，减少了沉淀的产生。在加热的条件下进行清洗，亦可避免沉淀的产生。
[0020]缓蚀剂选用了咪唑啉基聚醚型表面活性剂MZ
‑
EO
‑
n，该表面活性剂主要包含了咪唑啉基团与聚醚链。咪唑啉基团及聚醚链均具有耐酸性，可在酸性条件下使用，且咪唑啉基团可吸附于钢铁表面，形成致密的保护膜，对钢铁等金属具有优异的缓蚀性。咪唑啉基聚醚型表面活性剂的使用，可降低溶液表面张力，使清洗剂在Mask上更容易铺展开，提高清洗效果，并且咪唑啉基团的存在，进一步保护了Mask等钢铁基底。
具体实施方式
[0021]下面将结合本专利技术的具体实施例，对本专利技术中的具体实施例进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例，仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0022]本专利技术提供的镁银合金和镱金属清洗剂，其原料按质量百分数计包括：2
‑
10％的
氧化剂，3
‑
12％的氧化物溶解剂，3
‑
15％的pH调节剂，0.1
‑
1％的缓蚀剂，0.1
‑
1％的金属螯合剂，余量为水；所述镁银合金和镱金属清洗剂的pH范围为4
‑
6。
[0023]所述氧化剂为双氧水，其浓度为2
‑
10wt％；所述氧化物溶解剂为乙酸、柠檬酸、甲酸、草酸、丙二酸、酒石酸中的一种或多种；
[0024]所述pH调节剂为乙酸钠、乙酸铵、柠檬酸钠、柠檬酸铵、甲酸钠、甲酸铵、草酸钠、草酸铵、酒石酸钠中的一种或多种；
[0025]所述金属螯合剂选自乙二胺四乙酸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种镁银合金和镱金属清洗剂，其特征在于，其原料按质量百分数计包括：2
‑
10%的氧化剂，3
‑
12%的氧化物溶解剂，3
‑
15%的pH调节剂，0.1
‑
1%的缓蚀剂，0.1
‑
1%的金属螯合剂，其余为水；其中所述氧化剂为双氧水，其浓度为2
‑
10wt%；所述氧化物溶解剂为乙酸、柠檬酸、甲酸、草酸、丙二酸、酒石酸中的一种或多种；所述缓蚀剂为咪唑啉基聚醚型表面活性剂MZ
‑
EO
‑
n，其结构式为：，其中n为2
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20的整数；所述金属螯合剂选自乙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸二钠、氨基三乙酸、次氨基三乙酸二钠、三聚磷酸钠、葡萄糖中的一种或多种。2.根据权利要求1所述的镁银合金和镱金属清洗剂，其特征在于，按质量百分数计，双氧水含量为3
‑
8%，所述的氧化物溶解剂含量为4

【专利技术属性】
技术研发人员：刘小勇，郑月川，房龙翔，叶鑫煌，肖小江，刘文生，
申请(专利权)人：福建省佑达环保材料有限公司，
类型：发明
国别省市：