一种低压大功率防反压及耐过压浪涌电路制造技术

本发明专利技术公开了一种低压大功率防反压及耐过压浪涌电路，同时实现低压大功率防反压及耐过压浪涌的功能，当MOSFET关闭时，其体二极管阻塞反向电流；当MOSFET在正向传导过程中打开时，正向电压降和功率损耗显著降低。理想的二极管控制器感知通过MOSFET的反向电流，并迅速关闭它，使得体二极管阻止反向电流。在正常输入电压时，MOS管开通，输出正常电压；当输入电压存在浪涌时，反馈电压控制电路控制MOS管驱动，使其处于线性工作状态，抑制浪涌电压。高压、低能量尖峰由跨接在输入端的电容及瞬态抑制器吸收。余下的电路都用作处理高能量的浪涌。相比传统的几种耐过压电路，其成本低，效率高，损耗小。损耗小。损耗小。

【技术实现步骤摘要】
一种低压大功率防反压及耐过压浪涌电路


[0001]本专利技术属于机载电子设备功率电子
，具体涉及一种低压大功率防反压及耐过压浪涌电路。

技术介绍

[0002]传统的防电压反接电路一般采用如下两种方式：一种是电路中串联一个肖特基二极管，利用二极管的单相导通性实现电路的防反接；高功率负载下，其正向传导损耗大，需要设计散热器，增加设计成本及电路空间；另外高压肖特二极管的反向漏电流随结温的增加而急剧增加，导致反向导通过程中功率耗散增大。另一种MOS管防反接保护电路，保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端，其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。若为NMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的电源端和接地端，其漏极连接被保护电路中NMOS元件的衬底；一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。PMOS的漏源级导通电阻RDS(on)随着输入电压的降低而急剧增加，在较宽的输入电压范围内，由于RDS(on)增加而导致的功耗本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低压大功率防反压及耐过压浪涌电路，其特征在于，所述电路包括防反接控制回路、检波及充电回路以及反馈回路，所述防反接控制回路用于电压防反接；所述检波及充电回路和所述反馈回路形成耐过压浪涌子电路；所述防反接控制回路包括用于反极性保护和反向电流阻断的第一MOS管Q1、用于在反接过程中MOS管栅源电压钳位的第一三极管Q3和用于形成第一三极管Q3导通电流的第二电阻R2。2.根据权利要求1所述的低压大功率防反压及耐过压浪涌电路，其特征在于，所述防反接控制回路包括第一MOS管Q1、第一二极管D1、第一三极管Q3、第二电阻R2、第一电阻R1和第四电阻R4，第一MOS管Q1的S端、第一二极管D1的正端、第一三极管Q3的E端与直流输入正端连接；第一二极管D1的负端、第一三极管Q3的B端与第二电阻R2的一端连接；第二电阻R2的另一端与直流母线负端连接；第一三极管Q3的C端与第一电阻R1的一端以及第二二极管D2的负端连接；第一电阻R1的另一端与第一MOS管Q1的G端连接；第二二极管D2的正端连接第四电阻R4的一端形成防反接控制回路。3.根据权利要求2所述的低压大功率防反压及耐过压浪涌电路，其特征在于，所述检波及充电回路包括第二MOS管Q2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第七电阻R7、第八电阻R8、第一电容C1、第二电容C2、第二稳压管...

【专利技术属性】
技术研发人员：张小玲，季彦艳，李楠，
申请(专利权)人：中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：