温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种低压大功率防反压及耐过压浪涌电路,同时实现低压大功率防反压及耐过压浪涌的功能,当MOSFET关闭时,其体二极管阻塞反向电流;当MOSFET在正向传导过程中打开时,正向电压降和功率损耗显著降低。理想的二极管控制器感知通过MOS...该专利属于中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种低压大功率防反压及耐过压浪涌电路,同时实现低压大功率防反压及耐过压浪涌的功能,当MOSFET关闭时,其体二极管阻塞反向电流;当MOSFET在正向传导过程中打开时,正向电压降和功率损耗显著降低。理想的二极管控制器感知通过MOS...