【技术实现步骤摘要】
用于成像系统中图像采集的控制方法及晶圆缺陷检测设备
[0001]本专利技术涉及控制领域,尤其涉及一种用于成像系统中图像采集的控制方法、晶圆缺陷检测设备及其相机触发方法。
技术介绍
[0002]芯片制程涉及成百上千道诸如氧化、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积和抛光等工艺环节,每一道工艺环节都可能引入相对于芯片设计版图的偏差,这些偏差在芯片制造过程中通过传递与累积将造成IC芯片的缺陷,如突出缺陷(其极限状况是桥接缺陷)、凹陷缺陷(其极限状况是断线缺陷)和孤立颗粒物缺陷等。
[0003]有图案晶圆缺陷检测设备用于IC芯片的制造过程中各类缺陷的检测,如图1所示现有技术的一种有图案晶圆缺陷检测设备的结构示意图。TDI(Time Delay Integration,时间延迟积分)传感器是一种新颖的光电传感器,实现对高速移动的有图案晶圆快速成像,是有图案晶圆缺陷检测设备获取图像的关键器件。TDI传感器对同一目标多次曝光,采用延迟积分技术,极大增强对反射光的收集,从而具有响应度高、动态范围宽等优点。
[0004]结合图1,现有 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于成像系统中图像采集的控制方法,所述成像系统包括运动台和TDI相机,其特征在于,包括:通过标准测试硅片标定所述运动台在运动过程中的位置偏差,所述标准测试硅片包括若干对称分布的标记且其中一个标记位于所述标准测试硅片的中心位置;通过光栅尺获取所述运动台的名义位置信号;基于所述名义位置信号和所述位置偏差,计算所述运动台的实际位置;基于所述实际位置,生成触发信号以触发所述TDI相机进行图像采集。2.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,所述通过标准测试硅片标定所述运动台在运动过程中的位置偏差,包括:载入所述标准测试硅片,分别获取每个标记于所述TDI相机视场中心时的图像,并记录所述运动台的相应位置信号值;以位于所述标准测试硅片中心的标记的图像为模板,基于图像模板匹配算法获取所述每个标记与所述TDI相机视场中心的位置偏移量;获取所述标准测试硅片相对于所述运动台的旋转残差;基于所述位置偏移量和所述旋转残差,计算任意标记点的实际位置相对于理论位置的第一偏差;通过线性插值计算各个相邻的两个标记点之间任意位置的第二偏差;基于所述第一偏差和第二偏差,获取所述运动台在运动过程中不同位置处的位置偏差。3.根据权利要求2所述的控制方法,其特征在于,所述任意标记点的实际位置相对于理论位置的第一偏差满足以下关系:ΔXsij=(Xsij
‑
Xs00+ΔXij)+(d*i*cosRz+d*j*sinRz),ΔYsij=(Ysij
‑
Ys00+ΔYij)+(d*j*cosRz
‑
d*i*sinRz),其中,所述标记点在以所述标准测试硅片中心为原点的平面直角坐标系内沿X,Y方向以间隔d排布,i、j分别为所述标记点沿X,Y方向的编号,所述标准测试硅片中心处标记点的编号为(0,0),标记点(0,0)右侧的第一个标记点编号为(1,0),标记点(0,0)上方的第一个标记点编号为(0,1),以此类推;Rz为所述标准测试硅片相对于所述运动台的旋转残差;Xs00与Ys00为移动所述标记点(0,0)到所述TDI相机视场中心时所述运动台位置(Xs00,...
【专利技术属性】
技术研发人员:顾骏,颜洪雷,
申请(专利权)人:上海精积微半导体技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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