一种全相域射频天线制造技术

本实用新型专利技术提出了一种全相域射频天线，包括：基板、射频信号相位移模块和贴片天线，其中，所述基板包括发射面和反射面，所述反射面设有基板接地电阻，在所述基板的中央设有孔洞；所述射频信号相位移模块嵌合在所述孔洞中，所述射频信号相位移模块包括：第一3dB混成耦合器、第二3dB混成耦合器、第一衰减器、第二衰减器、第一连续相移器、第二连续相移器；贴片天线以四宫格划分四象限分区模式布局在所述基板的发射面上，所述第一3dB混成耦合器的A、B接点分别连接到所述贴片天线的第一象限和第二象限，所述第二3dB混成耦合器的A、B接点分别连接到所述贴片天线的第三象限和第四象限。连接到所述贴片天线的第三象限和第四象限。连接到所述贴片天线的第三象限和第四象限。

【技术实现步骤摘要】
一种全相域射频天线


[0001]本技术涉及全相域射频天线
，特别涉及一种全相域射频天线。

技术介绍

[0002]传统的相位数组天线是组装在一起的天线组件的集合。其中，每个组件的辐射图均在结构上与相邻天线的辐射图组合形成称为主瓣的有效辐射图。主瓣在期望位置发射辐射能量，而根据设计，天线负责破坏性地干扰无用方向上的讯号，形成无效讯号和旁瓣。天线数组设计用于最大化主瓣辐射的能量，同时将旁瓣辐射的能量降低到可接受的水平。可以透过改变馈入每个天线组件的讯号的相位来操纵辐射方向。
[0003]公告号为TW202025552A的专利申请描述了一种双频圆极化天线结构，包括一微带线、一天线单元及一接地面。天线单元包括一第一辐射体及一第二辐射体。第一辐射体具有一馈入部及一第一螺旋线图案，第一螺旋线图案的起点自靠近馈入部的部位向外围绕。第二辐射体具有对应该馈入部位置的一第一接地部及一第二螺旋线图案，第二螺旋线图案的起点自靠近第一接地部的部位不重迭于第一螺旋线图案向外围绕，且第一辐射体与第二辐射体的其中一者还具有第二接地部。微带线与天线单元间隔设置，天线单元之第一辐射体之馈入部耦接至微带线。第二接地部与第一接地部耦接至接地面，但因需搭配导通柱导致尺寸不适合狭窄且大面积的区域且读取距离较短。
[0004]公告号为TWI594493B的专利申请描述了一种全相域宽带相移器，利用两组3dB 混成耦合器之间结合两组90度相移器与两组衰减器之平行串联，构成一创新相移器架构，利用四象限连续90度相移器与衰减器的特定控制，同时利用相移与向量合成以获得360度全相域相移器操作功效，但其并未应用于圆极化天线以及狭窄且大面积的区域之天线应用。

技术实现思路

[0005]本技术的目的旨在至少解决所述技术缺陷之一。
[0006]为此，本技术的目的在于提出一种全相域射频天线。
[0007]为了实现上述目的，本技术的实施例提供一种全相域射频天线，所述全相域射频天线应用于大面积且较窄区域的射频信号的传输，所述全相域射频天线包括：基板、射频信号相位移模块和贴片天线，其中，
[0008]所述基板包括发射面和反射面，所述反射面设有基板接地电阻，在所述基板的中央设有孔洞；
[0009]所述射频信号相位移模块嵌合在所述孔洞中，所述射频信号相位移模块包括：第一3dB混成耦合器、第二3dB混成耦合器、第一衰减器、第二衰减器、第一连续相移器、第二连续相移器，其中，
[0010]所述第一3dB混成耦合器包括：信号输入端、第一接地电阻、第一串联起始端和第二串联起始端，第一串联路径经由所述第一串联起始端输出第一分配信号，第二串联路径经由所述第二串联起始端输出第二分配信号；
[0011]所述第二3dB混成耦合器包括：信号输出端、第二接地电阻、第一串联终止端和第二串联终止端，用于向量合成第一分配信号与所述第二分配信号；
[0012]所述第一衰减器连接在所述第一串联起始端与所述第一串联终止端之间的所述第一串联路径中，用于衰减和截止所述第一分配信号；
[0013]所述第二衰减器连接在所述第二串联起始端与所述第二串联终止端之间的所述第二串联路径中，用于衰减和截止所述第二分配信号；
[0014]所述第一连续相移器连接在所述第一串联起始端与所述第一串联终止端之间的所述第一串联路径中，用于连续和非连续的调整所述第一分配信号的相位；
[0015]所述第二连续相移器连接在所述第二串联起始端与所述第二串联终止端之间的所述第二串联路径中，用于连续和非连续调整所述第二分配信号之相位；
[0016]其中，通过IQ相位合成与连续相移变化的四象限分区模式产生全相域相移；
[0017]所述贴片天线以四宫格划分四象限分区模式布局在所述基板的发射面上，所述第一3dB混成耦合器的A、B接点分别连接到所述贴片天线的第一象限和第二象限，所述第二3dB混成耦合器的A、B接点分别连接到所述贴片天线的第三象限和第四象限。
[0018]进一步，所述第一连续相移器与所述第二连续相移器具有0～90度的连续调控角度。
[0019]进一步，在所述第一象限的连续相移模式中，所述第一衰减器截止所述第一分配信号，所述第二连续相移器调整所述第二分配信号的相位0～90度。
[0020]进一步，在所述第三象限的连续相移模式中，所述第二衰减器截止第二分配信号，所述第一连续相移器调整所述第一分配信号的相位0～90度。
[0021]进一步，在所述第二象限的连续相移模式中，所述第一连续相移器固定所述第一分配信号的相位在90度，并以所述第一衰减器进行衰减调整，所述第二连续相移器固定所述第二分配信号的相位在0度，并以所述第二衰减器进行衰减调整，最终向量合成于所述第二3dB混成耦合器。
[0022]进一步，在所述第四象限的连续相移模式中，所述第一连续相移器固定所述第一分配信号的相位在0度，并以所述第一衰减器进行衰减调整，所述第二连续相移器固定所述第二分配信号的相位在90度，并以所述第二衰减器进行衰减调整，最终向量合成于所述第二3dB混成耦合器。
[0023]进一步，所述贴片天线厚度为为6mm，且所述贴片天线之间的间距为4
‑
6mm。
[0024]进一步，所述射频信号相位移模块工作在UHF频段，其中，所述UHF频段的范围位于800MHz至1000MHz之间。
[0025]进一步，所述基板为方形。
[0026]根据本技术实施例的全相域射频天线，可以广泛应用于大面积且较窄区域的射频信号的传输。本技术能够设置于大面积且较窄之区域，采用该方法能避免传统技术的缺点，并且该方法的特点是简化的方法实施。
[0027]本技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0028]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0029]图1为根据本技术第一实施例的全相域射频天线的俯视图及前视图；
[0030]图2为根据本技术第一实施例的射频信号相位移模块的架构示意图；
[0031]图3为根据本技术第一实施例的全相域射频天线互感示意图；以及
[0032]图4为根据本技术第二实施例的全相域射频天线在四象限中的相位操作模式的示意图。
[0033]附图标记：
[0034]φ、相位角度；P1、第一分配讯号；P2、第二分配讯号；Pout、输出讯号
[0035]100、基板；101、中央孔洞；102、发射面；103、反射面；104、基板接地电阻；
[0036]200、射频讯号相位移模块；201、第一串联路径；202、第二串联路径；210、第一3dB 混成耦合器；211、讯号输入端；212、第一接地电阻；213、第一串联起始端；214、第二串联起始端；220、第二3dB本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种全相域射频天线，其特征在于，所述全相域射频天线应用于大面积且较窄区域的射频信号的传输，所述全相域射频天线包括：基板、射频信号相位移模块和贴片天线，其中，所述基板包括发射面和反射面，所述反射面设有基板接地电阻，在所述基板的中央设有孔洞；所述射频信号相位移模块嵌合在所述孔洞中，所述射频信号相位移模块包括：第一3dB混成耦合器、第二3dB混成耦合器、第一衰减器、第二衰减器、第一连续相移器、第二连续相移器，其中，所述第一3dB混成耦合器包括：信号输入端、第一接地电阻、第一串联起始端和第二串联起始端，第一串联路径经由所述第一串联起始端输出第一分配信号，第二串联路径经由所述第二串联起始端输出第二分配信号；所述第二3dB混成耦合器包括：信号输出端、第二接地电阻、第一串联终止端和第二串联终止端，用于向量合成第一分配信号与所述第二分配信号；所述第一衰减器连接在所述第一串联起始端与所述第一串联终止端之间的所述第一串联路径中，用于衰减和截止所述第一分配信号；所述第二衰减器连接在所述第二串联起始端与所述第二串联终止端之间的所述第二串联路径中，用于衰减和截止所述第二分配信号；所述第一连续相移器连接在所述第一串联起始端与所述第一串联终止端之间的所述第一串联路径中，用于连续和非连续的调整所述第一分配信号的相位；所述第二连续相移器连接在所述第二串联起始端与所述第二串联终止端之间的所述第二串联路径中，用于连续和非连续调整所述第二分配信号之相位；其中，通过IQ相位合成与连续相移变化的四象限分区模式产生全相域相移；所述贴片天线以四宫格划分四象限分区模式布局在所述基板的发射面上，所述第一3dB混成耦合器的A、B接点分别连接到所述贴片天线的第一象限和第二象限，所述第二3dB混成耦合器的A、B接...

【专利技术属性】
技术研发人员：田川，
申请(专利权)人：北京宏诚创新科技有限公司，
类型：新型
国别省市：