用于多种气体识别的碳基薄膜晶体管型传感器阵列制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于多种气体识别的碳基薄膜晶体管型传感器阵列，传感器阵列结构包括四个独立的气体检测通道，每个气体检测通道由硅基衬底、介电层、源极电极、漏极电极及沟道有源层构成传感组件。沟道有源层所在的区域的敏感材料层，用于提高沟道有源层CNT的选择性。每个气体检测通道的CNT

【技术实现步骤摘要】
用于多种气体识别的碳基薄膜晶体管型传感器阵列


[0001]本技术涉及气体传感器
，尤其是TFT型气体传感器阵列，使用多金属修饰碳纳米管作为沟道的TFT传感器阵列用于多气体识别，提出用于气体识别的使用多金属修饰碳纳米管作为沟道的碳基薄膜晶体管型气体传感器阵列。

技术介绍

[0002]现代生活和工作空间迫使人类90％的生命都在封闭的室内环境中度过。室内有毒气体(如NH3、HCHO和H2S)极易对人体健康造成不利的影响，如肺炎、白血病等。因此，如何鉴别此类有害气体的种类对医学上追溯诱发疾病的根源具有重要的指导意义。但利用气体传感器实现室内复杂环境下混合气体的检测仍是巨大的挑战，除需考虑气体传感器的灵敏度、选择性和稳定性外，还应考虑功耗、成本和便携性。
[0003]目前，基于半导体的电阻式气体传感器因成本低廉、易于制造在商业上得到广泛应用，但该类传感器由于体积大、易对多种气体敏感导致其不利于批量生产且稳定性较差。因此，有必要研制出与集成电路兼容的小型化便携式气体传感器，用来实现对多种气体种类、浓度的同时识别。
[0004]现有的解本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于多种气体识别的碳基薄膜晶体管型传感器阵列，其特征在于，所述碳基薄膜晶体管型传感器阵列包括多个独立的气体检测通道，每个气体检测通道包括一由硅基衬底、介电层、源极电极、漏极电极以及沟道层构成的CNT
‑
FET型传感单元；多个气体检测通道中的CNT
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FET型传感单元的沟道有源层均不相同，并且每一个CNT
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FET型传感单元均配置独立的响应信号输出；其中，每一个CNT
‑
FET型传感单元配置成包括以下构成：硅基衬底，限定了第一表面和相对的第二表面；位于硅基衬底的第一表面的介电层；位于介电层上方的沟道层；以及位于沟道层的上方两侧、并间隔开的源极电极以及漏极电极；其中，每个CNT
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FET型传感单元的沟道层均由一种沟道有源层构成，所述沟道有源层选自s
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CNT沟道以及不同金属修饰的s
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CNT沟道中的一种。2.根据权利要求1所述的用于多种气体识别的碳基薄膜晶体管型传感器阵列，其特征在于，所述不同金属修饰的s
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CNT包括：s
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C...

【专利技术属性】
技术研发人员：张勇，刘灿，孙宇，郭嘉懿，李秀磊，
申请(专利权)人：湘潭大学，
类型：新型
国别省市：