在存储器装置中的读取操作期间的电荷损失补偿制造方法及图纸

本公开涉及在存储器装置中的读取操作期间的电荷损失补偿。存储器装置中的控制逻辑在所述存储器装置的存储器阵列上发起读取操作并且执行校准操作以检测所述存储器阵列中的串电阻的改变。所述控制逻辑确定所述串电阻的改变是否可归因于所述存储器阵列中的电荷损失，并且响应于确定所述串电阻的改变可归因于所述存储器阵列中的电荷损失，使用经校准读取电压电平执行所述读取操作以从所述存储器阵列读取数据。列读取数据。列读取数据。

【技术实现步骤摘要】
在存储器装置中的读取操作期间的电荷损失补偿


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体地说，涉及在存储器装置中的读取操作期间的电荷损失补偿。

技术介绍

[0002]存储器子系统可以包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]在一方面中，本公开提供一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括多个字线；和控制逻辑，其与所述存储器阵列操作性地耦合以用以执行包括以下操作的操作：在所述存储器阵列上发起读取操作；执行校准操作以检测所述存储器阵列中的串电阻的改变；确定所述串电阻的改变是否可归因于所述存储器阵列中的电荷损失；和响应于确定所述串电阻的改变可归因于所述存储器阵列中的电荷损失，使用经校准读取电压电平执行所述读取操作以从所述存储器阵列读取数据。
[0004]在另一方面中，本公开提供一种方法，其包括：在存储器装置的存储器阵列上发起读取操作；执行校准操作以检测所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括多个字线；和控制逻辑，其与所述存储器阵列操作性地耦合以用以执行包括以下操作的操作：在所述存储器阵列上发起读取操作；执行校准操作以检测所述存储器阵列中的串电阻的改变；确定所述串电阻的改变是否可归因于所述存储器阵列中的电荷损失；和响应于确定所述串电阻的改变可归因于所述存储器阵列中的电荷损失，使用经校准读取电压电平执行所述读取操作以从所述存储器阵列读取数据。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中执行所述校准操作包括：致使施加至所述多个字线的电压斜升到未选定字线电压；对所述存储器阵列的第一输出电压采样；致使参考电压在第一时间段内以递增方式改变；和确定所述参考电压等于所述存储器阵列的所述第一输出电压。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中执行所述校准操作另外包括：将所述参考电压改变固定步长量；致使施加至所述多个字线中的选定字线的电压斜降；对所述存储器阵列的第二输出电压采样；和确定改变了所述固定步长量的所述参考电压等于所述存储器阵列的所述第二输出电压。4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中确定所述串电阻的改变是否可归因于所述存储器阵列中的电荷损失包括：确定在当改变了所述固定步长量的所述参考电压等于所述存储器阵列的所述第二输出电压时的时间施加至所述选定字线的所述电压的量值；确定在当改变了所述固定步长量的所述参考电压等于所述存储器阵列的所述第二输出电压时的所述时间施加至所述选定字线的所述电压的所述量值是否低于预期量值；和响应于确定在当改变了所述固定步长量的所述参考电压等于所述存储器阵列的所述第二输出电压时的所述时间施加至所述选定字线的所述电压的所述量值低于所述预期量值，确定所述串电阻的改变可归因于所述存储器阵列中的电荷损失。5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中使用经校准读取电压电平执行所述读取操作以从所述存储器阵列读取数据包括：确定在当改变了所述固定步长量的所述参考电压等于所述存储器阵列的所述第二输出电压时的所述时间施加至所述选定字线的所述电压的所述量值低于所述预期量值的量；确定对应于所述量的电压偏移；和致使具有基于所述电压偏移的量值的读取电压施加至所述选定字线以执行所述读取操作。6.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述预期量值是基于紧接在所述选定字线经编程之后当改变了所述固定步长量的所述参考电压等于所述存储器阵列的第三输出电压时的较早时间施加至所述选定字线的所述电压的量值。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制逻辑将另外执行包括以下操作的
操作：响应于确定所述串电阻的改变并非可归因于所述存储器阵列中的电荷损失，使用默认读取电压电平执行所述读取操作以从所述存储器阵列读取所述数据。8.一种方法，其包括：在存储器装置的存储器阵列上发起读取操作；执行校准操作以检测所述存储器阵列中的串电阻的改变；确定所述串电阻的改变是否可归因于所述存储器阵列中的电荷损失；和响应于确定所述串电阻的改变可归因于所述存储器阵列中的电荷损失，使用经校准读取电压电平执行所述读取操作以从所述存储器阵列读取数据。9.根据权利要求8所述的方法，其中执行所述校准操作包括：致使施加至所述多个字线的电压斜升到未选定字线电压；对所述存储器阵列的第一输出电压采样；致使参考电压在第一时间段内以递增方式改变；和确定所述参考电压等于所述存储器阵列的所述第一输出电压。10.根据权利要求9所述的方法，其中执行所述校准操作另外包括：将所述参考电压改变固定步长量；致使施加至所述多个字线中的选定字线的电压斜降；对所述存储器阵列的第二输出电压采样；和确定改变了所述固定步长量的所述参考电压等于所述存储器阵列的所述第二输出电压。11.根据权利要求10所述的方法，其中确定所述串...

【专利技术属性】
技术研发人员：V，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：