【技术实现步骤摘要】
多环芳香族化合物、有机器件用材料、有机电致发光元件、显示装置及照明装置
[0001]本专利技术涉及一种多环芳香族化合物。本专利技术尤其涉及一种包含氮以及硼的多环芳香族化合物。本专利技术另外涉及一种包含所述多环芳香族化合物的有机器件用材料、有机电致发光元件、以及显示装置及照明装置。
技术介绍
[0002]从前,使用进行电致发光的发光元件的显示装置因可实现省电力化或薄型化而得到各种研究,进而,包含有机材料的有机电致发光元件因容易轻量化或大型化而得到积极研究。特别是,关于具有作为光的三原色之一的蓝色等的发光特性的有机材料的开发,以及关于包括空穴、电子等的电荷传输能力(具有成为半导体或超导体的可能性)的有机材料的开发,迄今为止,不论是高分子化合物还是低分子化合物均得到积极研究。
[0003]有机电致发光元件具有如下结构,所述结构包括:包含阳极及阴极的一对电极,以及配置于所述一对电极间、且包含有机化合物的一层或多层。在包含有机化合物的层中,有发光层,或传输或注入空穴、电子等的电荷的电荷传输/注入层等,且开发有对于这些层而言适当的各种有机材料。
[0004]其中,专利文献1中公开了含有硼的多环芳香族化合物有效用作有机电致发光元件等的材料。报告有含有所述多环芳香族化合物的有机电致发光元件具有良好的外部量子效率。
[0005][现有技术文献][0006][专利文献][0007][专利文献1]国际公开第2015/102118号
[0008][专利文献2]国际公开第2020/111830号
[00 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多环芳香族化合物,具有包含下述式(1)所表示的结构单元的一个或两个以上的结构;式(1)中,A环、B环分别独立地为经取代或未经取代的芳基环或者经取代或未经取代的杂芳基环;C环为式(C)所表示的环,式(C)中,X
c
为>O、>N
‑
R、>C(
‑
R)2、>Si(
‑
R)2、>S、或>Se,所述>N
‑
R、所述>C(
‑
R)2及所述>Si(
‑
R)2的R分别独立地为氢、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的环烷基,所述>C(
‑
R)2及所述>Si(
‑
R)2的两个R可相互键结而形成环,任意邻接的两个Z
C
是分别与Y1或X2中的任一者直接键结的碳,其他的Z
C
分别独立地为N或C
‑
R
C
,R
C
分别独立地为氢、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的二芳基氨基、经取代或未经取代的二杂芳基氨基、经取代或未经取代的芳基杂芳基氨基、经取代或未经取代的二芳基硼基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的环烷基、经取代或未经取代的烯基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的芳硫基、或者取代硅烷基,所述二芳基氨基的两个芳基可相互经由连结基而键结,所述二杂芳基氨基的两个杂芳基可相互经由连结基而键结,所述芳基杂芳基氨基的芳基与杂芳基可相互经由连结基而键结,所述二芳基硼基的两个芳基可相互经由单键或连结基而键结,邻接的两个R
C
可相互键结而形成芳基环或杂芳基环,所形成的芳基环及杂芳基环分别未经取代、或由至少一个R
C2
取代,R
C2
与R
C
为相同含义,其中,R
C2
不为氢,且邻接的两个R
C2
不会相互键结形成芳基环或杂芳基环;Y1为B、P、P=O、P=S、Al、Ga、As、Si
‑
R、或Ge
‑
R,所述Si
‑
R及所述Ge
‑
R的R为经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的环烷基;X1及X2分别独立地为>O、>N
‑
R、>C(
‑
R)2、>Si(
‑
R)2、>S、或>Se,所述>N
‑
R的R为氢、
经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的环烷基,所述>C(
‑
R)2、及所述>Si(
‑
R)2的R分别独立地为氢、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的环烷基,所述>C(
‑
R)2及所述>Si(
‑
R)2的两个R可相互键结而形成环,另外,所述>N
‑
R的R和/或所述>C(
‑
R)2的R可通过连结基或单键而与A环和/或B环键结、或者A环和/或C环键结,其中,X1或X2的至少一个为>N
‑
G,G为式(G)所表示的基,式(G)中,Z
g
分别独立地为N或C
‑
R
g
,R
g
分别独立地为氢、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的二芳基氨基、经取代或未经取代的二杂芳基氨基、经取代或未经取代的芳基杂芳基氨基、经取代或未经取代的二芳基硼基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的环烷基、经取代或未经取代的烯基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的芳硫基、或者取代硅烷基,所述二芳基氨基的两个芳基可相互经由连结基而键结,所述二杂芳基氨基的两个杂芳基可相互经由连结基而键结,所述芳基杂芳基氨基的芳基与杂芳基可相互经由连结基而键结,所述二芳基硼基的两个芳基可相互经由单键或连结基而键结,邻接的两个R
g
可相互键结而形成芳基环或杂芳基环,所形成的芳基环及杂芳基环分别未经取代、或由至少一个R
g2
取代,R
g2
与R
g
为相同含义,其中,R
g2
不为氢,且邻接的两个R
g2
不会相互键结形成芳基环或杂芳基环,*表示与N的键结位置;所述结构中的芳基环或杂芳基环的至少一个可由至少一个环烷烃缩合,所述环烷烃中的至少一个氢可经取代,所述环烷烃中的至少一个
‑
CH2‑
可由
‑
O
‑
取代;所述结构中的至少一个氢可由氰基、卤素、或氘取代。2.根据权利要求1所述的多环芳香族化合物,其中,式(1)所表示的结构单元为式(2)所表示的结构单元;式(2)中,在a环及b环中,Z分别独立地为N或C
‑
R
11
,或者Z=Z分别独立地为>O、>N
‑
R、>C(
‑
R)2、>Si(
‑
R)2、>S、或>Se,所述>N
‑
R、所述>C(
‑
R)2及所述>Si(
‑
R)2的R分别独立地为氢、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经...
【专利技术属性】
技术研发人员:畠山琢次,小林孝弘,田中裕之,水谷彰英,前田健永,东真人,南凌,
申请(专利权)人:爱思开新材料捷恩智株式会社,
类型:发明
国别省市:
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