【技术实现步骤摘要】
发光装置、电子设备及稠合环状化合物
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年7月30日向韩国知识产权局提交的第10
‑
2021
‑
0101014号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引并入本文。
[0003]实施方案涉及包含稠合环状化合物的发光装置、包括所述发光装置的电子设备以及所述稠合环状化合物。
技术介绍
[0004]有机发光装置是自发射装置，其与相关领域的装置相比具有广视角，高对比度，短响应时间，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异的特性，同时产生全色图像。
[0005]有机发光装置可以包括位于衬底上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。
[0006]应理解，该
技术介绍
部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景。然而，该
技术介绍
部分也可以包括在本文所公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的构思、概念或认知。
技术实现思路
[0007]提供了包含新的稠合环状化合物的发光装置、包括所述发光装置的电子设备以及所述稠合环状化合物。
[0008]其它的方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.发光装置，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，其中所述中间层包括发射层，以及所述发射层包含由式1表示的稠合多环化合物：[式1][式2]其中在式1和式2中，环A1至环A3和环A
21
各自独立地是C5‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团，X1是N(R
1a
)或O，X2是N(R
2a
)或O，X3是B、P(＝O)或P(＝S)，X
21
是C，R1至R3、R
21
、R
1a
和R
2a
各自独立地是氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，T1和T2各自独立地是未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代的或被
至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，a1至a3、a21、b1和b2各自独立地是0至10的整数，T3是由式2表示的基团，*表示与相邻原子的结合位点，R
10a
是：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、C7‑
C
60
芳基烷基基团、C2‑
C
60
杂芳基烷基基团、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其组合取代的C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团或C1‑
C
60
烷氧基基团；各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团、C1‑
C
60
烷氧基基团、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、C7‑
C
60
芳基烷基基团、C2‑
C
60
杂芳基烷基基团、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其组合取代的C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、C7‑
C
60
芳基烷基基团或C2‑
C
60
杂芳基烷基基团；或者
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，其中Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
以及Q
31
至Q
33
各自独立地是：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C1‑
C
60
烷基基团；C2‑
C
60
烯基基团；C2‑
C
60
炔基基团；C1‑
C
60
烷氧基基团；各自未取代的或者被氘、
‑
F、氰基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C1‑
C
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其组合取代的C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团；C7‑
C
60
芳基烷基基团；或者C2‑
C
60
杂芳基烷基基团，以及所述稠合环状化合物满足条件1至条件4中的至少一个：[条件1]环A1包括其中两个或多于两个的C1‑
C
30
环彼此稠合的稠合环，[条件2]环A2包括其中两个或多于两个的C1‑
C
30
环彼此稠合的稠合环，[条件3]b1和b2的和大于或等于1，以及[条件4]环A
21
是C1‑
C
60
杂环基团。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极是阳极，所述第二电极是阴极，所述中间层进一步包括：
在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区；以及在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区，所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其组合，以及所述电子传输区包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其组合。3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层包含：包括所述由式1表示的稠合环状化合物的第一化合物；以及包含由式20表示的基团的第二化合物、包含至少一个含缺π电子的氮的C1‑
C
60
环状基团的第三化合物、由式401表示的第四化合物或其组合，所述第一化合物、所述第二化合物、所述第三化合物和所述第四化合物彼此不同：[式20][式401]M(L
401
)
xc1
(L
402
)
xc2
[式402]其中式20中的环CY
71
和环CY
72
各自独立地是富π电子的C3‑
C
60
环状基团或吡啶基团，式20中的X
71
是：单键；或者包含O、S、N、B、C、Si或其组合的连接基团，式20中的*表示与相邻原子的结合位点，式401中的M是过渡金属，式401中的L
401
是由式402表示的配体，式401中的xc1是1、2或3，其中当xc1是2或大于2时，两个或多于两个的L
401
彼此相同或
不同，式401中的L
402
是有机配体，式401中的xc2是0、1、2、3或4，其中当xc2是2或大于2时，两个或多于两个的L
402
彼此相同或不同，式402中的X
401
和X
402
各自独立地是氮或碳，式402中的环A
401
和环A
402
各自独立地是C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团，式402中的T
401
是单键、*
‑
O
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
N(Q
411
)
‑
*'、*
‑
C(Q
411
)(Q
412
)
‑
*'、*
‑
C(Q
411
)＝C(Q
412
)
‑
*'、*
‑
C(Q
411
)＝*'或*＝C＝*'，式402中的X
403
和X
404
各自独立地是化学键、O、S、N(Q
413
)、B(Q
413
)、P(Q
413
)、C(Q
413
)(Q
414
)或Si(Q
413
)(Q
414
)，式402中的R
401
和R
402
各自独立地是氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
20
烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
20
烷氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、
‑
Si(Q
401
)(Q
402
)(Q
403
)、
‑
N(Q
401
)(Q
402
)、
‑
B(Q
401
)(Q
402
)、
‑
C(＝O)(Q
401
)、
‑
S(＝O)2(Q
401
)或
‑
P(＝O)(Q
401
)(Q
402
)，式402中的xc11和xc12各自独立地是0至10的整数，其中Q
411
至Q
414
和Q
401
至Q
403
各自独立地是：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C1‑
C
60
烷基基团；C2‑
C
60
烯基基团；C2‑
C
60
炔基基团；C1‑
C
60
烷氧基基团；各自未取代的或者被氘、
‑
F、氰基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C1‑
C
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团；C7‑
C
60
芳基烷基基团；或者C2‑
C
60
杂芳基烷基基团，式402中的*和*'各自表示与式401中的M的结合位点，R
10a
与关于式1描述的相同，以及所述第二化合物排除CBP和mCBP：4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层发射具有430nm至480nm的最大发射波长的光。5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述中间层进一步包括在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区，以及所述空穴传输区包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其组合：[式201]
[式202]其中在式201和式202中，L
201
至L
204
各自独立地是未取代的或被至少一个R
10a
取代的二价C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的二价C1‑
C
60
杂环基团，L
205
是*
‑
O
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
N(Q
201
)
‑
*'、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
20
亚烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
20
亚烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的二价C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的二价C1‑
C
60
杂环基团，xa1至xa4各自独立地是0至5的整数，xa5是1至10的整数，R
201
至R
204
和Q
201
各自独立地是未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，R
201
和R
202
任选地经由单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C5亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C8‑
C
60
多环基团，R
203
和R
204
任选地经由单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C5亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C8‑
C
60
多环基团，na1是1至4的整数，以及R
10a
与关于式1描述的相同。6.如权利要求1所述的发光装置，其中使式1中的环A3与式2中的X
21
连接的单键的键离解能大于或等于3.0eV。7.电子设备，包括权利要求1所述的发光装置。8.如权利要求7所述的电子设备，进一步包括薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，以及所述发光装置的所述第一电极电连接至所述源电极或所述漏电极。9.由式1表示的稠合环状化合物：[式1]
[式2]其中在式1和式2中，环A1至环A3和环A
21
各自独立地是C5‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团，X1是N(R
1a
)或O，X2是N(R
2a
)或O，X3是B、P(＝O)或P(＝S)，X
21
是碳，R1至R3、R
21
、R
1a
和R
2a
各自独立地是氢、氘、
‑
F、...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈文基，金泰一，朴宣映，朴俊河，白长烈，鲜于卿，吴灿锡，郑旼静，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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