显示装置及制造显示装置的方法制造方法及图纸

提供了一种显示装置及制造显示装置的方法，所述显示装置包括：发光元件，布置在电路基底上，在电路基底的厚度方向上延伸，并且包括被构造为发射第一光的第一发光元件和被构造为发射第二光的第二发光元件，第二发光元件具有比第一发光元件的宽度小的宽度；共电极层，在发光元件上方；连接电极层，在第一发光元件与共电极层之间。与共电极层之间。与共电极层之间。

【技术实现步骤摘要】
显示装置及制造显示装置的方法
[0001]本申请要求于2021年8月9日在韩国知识产权局提交的第10
‑
2021
‑
0104921号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。


[0002]本公开涉及一种显示装置及一种制造显示装置的方法。

技术介绍

[0003]随着信息化社会的发展，对于显示装置的各种需求不断增加。显示装置可以是诸如液晶显示装置、场发射显示装置、发光显示装置的平板显示装置。发光显示装置可以包括：包括有机发光二极管作为发光元件的有机发光显示装置、包括无机半导体元件作为发光元件的无机发光显示装置以及包括发光二极管作为发光元件的微型LED显示装置。
[0004]最近，已经开发了包括发光显示装置的头戴式显示器。头戴式显示器(HMD)是提供虚拟现实(VR)或增强现实(AR)的眼镜型监视器装置，其以眼镜或头盔的形式佩戴在用户的身体上以形成靠近用户眼睛的焦点。
[0005]包括微型发光二极管的高分辨率微型LED显示面板应用于头戴式显示器。

技术实现思路

[0006]本公开的方面提供了一种显示装置，在该显示装置中，通过增大第一发光元件的面积来改善内部量子效率。
[0007]本公开的方面还提供了一种制造显示装置的方法，在该显示装置中，通过增大第一发光元件的面积来改善内部量子效率。
[0008]应当注意的是，本公开的方面不限于上述目的，并且根据以下描述，本公开的其他方面对于本领域技术人员而言将是明显的。
[0009]根据本公开的方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括发光元件，布置在电路基底上，在电路基底的厚度方向上延伸，并且包括被构造为发射第一光的第一发光元件和被构造为发射第二光的第二发光元件，并且第二发光元件具有比第一发光元件的宽度小的宽度；共电极层，在发光元件上方；以及连接电极层，在第一发光元件与共电极层之间。
[0010]第一发光元件可以与第二发光元件在不同的层。
[0011]发光元件还可以包括被构造为发射第三光的第三发光元件，并且第三发光元件与第一发光元件在不同的层。
[0012]第三发光元件可以与第二发光元件在同一层。
[0013]第一发光元件的宽度可以大于第三发光元件的宽度。
[0014]第一发光元件的一个或更多个部分可以在平面视图中与第二发光元件和第三发光元件叠置。
[0015]连接电极层可以不与第二发光元件叠置。
[0016]连接电极层可以包括与共电极层相同的材料。
[0017]连接电极层的宽度可以小于第一发光元件的宽度。
[0018]发光元件可以包括：第一半导体层，在电路基底上；活性层，在第一半导体层上；以及第二半导体层，在活性层上。
[0019]发光元件还可以包括：电子阻挡层，在第一半导体层与活性层之间；以及超晶格层，在活性层与第二半导体层之间。
[0020]电路基底还可以包括像素电极，其中，发光元件的第一半导体层连接到像素电极中的对应的像素电极。
[0021]显示装置还可以包括在发光元件的第一半导体层与像素电极之间的连接电极。
[0022]第一发光元件的连接电极的长度可以小于第二发光元件的连接电极的长度。
[0023]连接电极层可以包括与第二半导体层相同的材料。
[0024]根据本公开的其它方面，提供了一种制造显示装置的方法，所述方法包括：在第一基底上形成共电极层；在共电极层上形成用于发射第一光的第一发光元件和用于发射第二光的第二发光元件；在第一发光元件与第二发光元件之间形成连接电极层；以及在连接电极层上形成用于发射第三光的第三发光元件。
[0025]第一发光元件和第二发光元件可以包括：第一半导体层，在电路基底上；活性层，在第一半导体层上；以及第二半导体层，在活性层上。
[0026]连接电极层可以包括与共电极层相同的材料。
[0027]第三发光元件的宽度可以大于第二发光元件的宽度并且大于第一发光元件的宽度。
[0028]第三发光元件可以在平面视图中与第二发光元件和第一发光元件叠置。
[0029]在附图和以下描述中阐述了本说明书中描述的主题的一个或更多个实施例的详情。
[0030]根据本公开的实施例，可以通过增大第一发光元件的面积来改善显示装置的内部量子效率。
[0031]应当注意的是，本公开的各方面不限于上述那些，并且根据以下描述，本公开的其它方面对于本领域技术人员而言将是明显的。
附图说明
[0032]通过参照附图详细描述本公开的实施例，本公开的以上和其他方面将变得更加明显，其中：
[0033]图1是示出根据本公开的一些实施例的显示装置的布局的视图。
[0034]图2是示出图1的区域A的布局的视图。
[0035]图3是详细示出图2的区域B的平面视图。
[0036]图4是示出沿着图3的线Q1
‑
Q1'截取的显示面板的示例的剖视图。
[0037]图5是用于示出根据本公开的一些实施例的用于制造显示装置的方法的流程图。
[0038]图6至图20是示出根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法的工艺操作的剖视图。
[0039]图21是示出根据本公开的其他实施例的显示面板的剖视图。
[0040]图22是示出根据其他实施例的第一发光二极管至第三发光二极管的布局的平面
视图。
[0041]图23是根据本公开的一些实施例的显示装置的像素的等效电路图。
[0042]图24至图26是示出根据本公开的一些实施例的显示装置的应用的视图。
[0043]图27和图28是示出包括根据一些实施例的显示装置的透明显示装置的示例的视图。
具体实施方式
[0044]这里公开的本公开的实施例的结构和功能性描述仅用于本公开的实施例的说明性目的。在不脱离本公开的精神和重要特性的情况下，实施例可以以许多不同的形式体现。因此，本公开的实施例仅出于说明性目的而公开，并且不应被解释为限制性的。也就是说，所要求保护的实施例仅由权利要求的范围限定。
[0045]通过参照实施例和附图的详细描述，可以更容易地理解本公开的一些实施例的方面及实现其的方法。在下文中，将参照附图更详细地描述实施例。然而，描述的实施例可以具有各种修改并且可以以各种不同的形式体现，并且不应解释为仅限于这里示出的实施例。相反，提供这些实施例作为示例，使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的方面，并且应当理解的是，本公开涵盖在本公开的构思和技术范围内的所有的修改、等同物和替换。因此，可以不描述本领域普通技术人员为了完全理解本公开的方面而不是必需的工艺、元件和技术。
[0046]除非另有说明，否则在整个附图和书面描述中，同样的附图标记、字符或它们的组合表示同样的元件，因此，将不再重复其描述。此外，可以不示出与实施例的描述不相关或无关本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，所述显示装置包括：发光元件，布置在电路基底上，在所述电路基底的厚度方向上延伸，并且包括被构造为发射第一光的第一发光元件和被构造为发射第二光的第二发光元件，并且所述第二发光元件具有比所述第一发光元件的宽度小的宽度；共电极层，位于所述发光元件上方；以及连接电极层，位于所述第一发光元件与所述共电极层之间。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一发光元件与所述第二发光元件位于不同的层。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述发光元件还包括被构造为发射第三光的第三发光元件，并且所述第三发光元件与所述第一发光元件位于不同的层。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第三发光元件与所述第二发光元件位于同一层。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一发光元件的所述宽度大于所述第三发光元件的宽度。6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一发光元件的一个或更多个部分在平面视图中与所述第二发光元件和所述第三发光元件叠置。7.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述连接电极层不与所述第二发光元件叠置。8.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述连接电极层包括与所述共电极层相同的材料。9.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述连接电极层的宽度小于所述第一发光元件的所述宽度。10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光元件包括：第一半导体层，位于所述电路基底上；活性层，位于所述第一半导体层上；以及第二半导体层，位于所述活性层上。11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述发光元件还包括：电子阻挡层，位...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔鎭宇，朴声国，白成恩，宋大镐，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：