【技术实现步骤摘要】
发光器件及发光器件的制作方法
[0001]本专利技术涉及半导体制程
,尤其涉及一种发光器件及发光器件的制作方法。
技术介绍
[0002]Micro
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LED(Micro
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light
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emitting diode,微型发光二极管)是新一代的显示技术。与现有的液晶显示相比具有更高的光电效率,更高的亮度,更高的对比度,以及更低的功耗,且还能结合柔性面板实现柔性显示。
[0003]在面板制备工艺上,需要将数以千万计的Micro
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LED芯片从生长基底剥离下来,之后转移到驱动背板上。将Micro
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LED芯片从生长基底剥离的过程为:先用临时键合材料将Micro
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LED芯片与临时基板做临时键合,然后采用激光剥离技术(Laser Lift
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off,LLO)将Micro
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LED芯片从生长基底剥离,使Micro
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LED芯片转移到临时基板上。
[000
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光器件,其特征在于,包括:衬底;外延结构,形成在所述衬底上;以及保护层,所述保护层覆盖所述外延结构,并在所述外延结构的四周侧面处与所述衬底连接;其中,在与所述衬底连接的位置,所述外延结构的至少一个侧面和所述保护层之间具有一孔洞。2.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述外延结构的至少一个侧面内凹形成所述孔洞。3.如权利要求2所述的发光器件,其特征在于,所述衬底在与所述外延结构的侧面连接的位置内凹。4.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述保护层包括连接部,所述连接部与所述衬底连接,所述连接部与所述外延结构的侧面具有间隔距离而形成所述孔洞。5.如权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述连接部自所述衬底向远离所述衬底的方向的厚度递增。6.一种发光器件的制作方法,其特征在于,包括在衬底上形成...
【专利技术属性】
技术研发人员:翟峰,萧俊龙,蔡明达,
申请(专利权)人:重庆康佳光电技术研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:
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