【技术实现步骤摘要】
夹持治具
[0001]本申请涉及测量设备
,特别是涉及一种夹持治具。
技术介绍
[0002]本部分的描述仅提供与本说明书公开相关的背景信息,而不构成现有技术。
[0003]相关技术中,SiC晶体角度测试主要是通过将晶体的硅面用V型旋转密封圈放置在真空吸附盘的中心,将晶体上画的十字记号对准机台上的十字标记,开启真空开关,使真空吸附盘吸住晶体,随后进行测量。
[0004]但晶体是通过V型旋转密封圈吸附在载具上,目前使用的V型旋转密封圈吸附效果和稳定性较差。且在没有吸真空的情况下,通过旋转晶体使晶体表面绘制的十字线与机台上的十字标记完全对应,其操作难度较大;另外在操作过程中存在晶体掉落的风险,从而造成不必要的经济损失。
[0005]应该注意,上面对技术背景的介绍只是为了方便对本说明书的技术方案进行清楚、完整的说明,并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本说明书的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
[0006]本申请主要解决的技 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种夹持治具,用于固定待被测量的产品,其特征在于,所述夹持治具包括:支撑台;设置在所述支撑台上的吸附装置;及至少一夹持装置,所述夹持装置部分地环绕所述吸附装置,所述夹持装置用于夹持所述产品;其中,所述夹持装置包括夹持板和连接板,所述连接板的连接端与所述夹持板连接,所述连接板的滑动端可滑动地设置在所述支撑台上,所述夹持板设有对位标记。2.根据权利要求1所述的夹持治具,其特征在于,所述对位标记为开设在所述夹持板的上表面的标记槽。3.根据权利要求1所述的夹持治具,其特征在于,所述夹持板内侧壁上凸设有止挡台,所述止挡台相对于所述支撑台的上端面的高度高于所述吸附装置的高度。4.根据权利要求1所述的夹持治具,其特征在于,所述夹持装置为两个,两个所述夹持装置间隔设置在支撑台上,所述吸附装置设置在两个所述夹持装置之间。5.根据权利要求1所述的夹持治具,其特征在于,所述支撑台的上端面设置有夹持台,所述夹持台与所...
【专利技术属性】
技术研发人员:傅世泽,张洁,
申请(专利权)人:湖南三安半导体有限责任公司,
类型:新型
国别省市:
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