一种大功率充电电路和大功率充电器制造技术

本实用新型专利技术涉及充电电路技术领域，尤其涉及一种大功率充电电路和大功率充电器，大功率充电电路包括电抗器、第一二极管、绝缘栅双极型晶体管和充电电路本体，在充电电路本体增加由电抗器、第一二极管、绝缘栅双极型晶体管组成的恒流控制电路，当储能电容器的充电电流小于设定值时，通过增大恒流控制器的占空比提高绝缘栅双极型晶体管的输出电压，进而提高储能电容器充电电流，实现快速充电，降低充电所耗费的时间，且充电功率大。且充电功率大。且充电功率大。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率充电电路和大功率充电器


[0001]本技术涉及充电电路
，尤其涉及一种大功率充电电路和大功率充电器。

技术介绍

[0002]在储能冲击电源的充电过程中，随着充电时间的延续，储能电容器上的电压逐渐升高，导致充电电流逐渐减小，达到储能电容器的预期电压的时间较长，而且充电功率较小。

技术实现思路

[0003]本技术所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供了一种大功率充电电路和大功率充电器。
[0004]本技术的一种大功率充电电路的技术方案如下：
[0005]包括电抗器、第一二极管、绝缘栅双极型晶体管和充电电路本体；
[0006]所述绝缘栅双极型晶体管连接在所述充电电路本体的第一母线与第二母线之间，且所述绝缘栅双极型晶体管与所述充电电路本体的储能电容器并联；
[0007]所述电抗器和所述第一二极管均连接在所述充电电路本体的第一母线上，且所述电抗器连接所述第一二极管的正极，所述充电电路本体的储能电容器连接所述第一二极管的负极；
[0008]所述绝缘栅双极型晶体管与所述第一母线的接线端位于所述电抗器和所述第一二极管之间。
[0009]本技术的一种大功率充电电路的技术效果如下：
[0010]在充电电路本体增加由电抗器、第一二极管、绝缘栅双极型晶体管组成的恒流控制电路，当储能电容器的充电电流小于设定值时，通过增大绝缘栅双极型晶体管的占空比提高绝缘栅双极型晶体管的输出电压，进而提高储能电容器充电电流，实现快速充电，降低充电所耗费的时间，充电功率大。
[0011]在上述方案的基础上，本技术的一种大功率充电电路还可以做如下改进。
[0012]进一步，所述充电电路本体包括第一三级晶闸管、第二三级晶闸管、第三三级晶闸管和第四三级晶闸管；
[0013]所述第一三级晶闸管与所述第二三级晶闸管串联连接在所述第一母线与所述第二母线之间，形成第一串联电路；
[0014]所述第三三级晶闸管和所述第四三级晶闸管串联连接在所述第一母线与所述第二母线之间，形成第二串联电路；
[0015]所述第一串联电路、所述第二串联电路与所述充电电路本体互相并联；
[0016]所述第一三级晶闸管与所述第二三级晶闸管之间连接第一输出接口，所述第三三级晶闸管与所述第四三级晶闸管之间连接第二输出接口；
[0017]所述第一二极管与所述储能电容器的接线端、所述第一串联电路与所述第一母线的接线端、所述第二串联电路与所述第一母线的接线端在所述第一母线上依次排布设置。
[0018]进一步，所述第一三级晶闸管、所述第二三级晶闸管、所述第三三级晶闸管和所述第四三级晶闸管分别并联一个二极管。
[0019]进一步，所述充电电路本体还包括三相变压器、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、第六二极管和第七二极管；
[0020]所述第二二极管和所述第三二极管串联在所述第一母线与所述第二母线之间，形成第三串联电路；
[0021]所述第四二极管和所述第五二极管串联在所述第一母线与所述第二母线之间，形成第四串联电路；
[0022]所述第六二极管和所述第七二极管串联在所述第一母线与所述第二母线之间，形成第五串联电路；
[0023]所述第一串联电路、所述第二串联电路、所述第三串联电路、所述第四串联电路、所述第五串联电路与所述充电电路本体互相并联；
[0024]所述三相变压器的三个输出端分别连接在所述第二二极管和所述第三二极管之间、所述第四二极管和所述第五二极管之间、所述第六二极管和所述第七二极管之间；
[0025]所述第三串联电路与所述第一母线的接线端、所述第四串联电路与所述第一母线的接线端、所述第五串联电路与所述第一母线的接线端以及所述电抗器在所述第一母线上依次排布设置。
[0026]本技术的一种大功率充电器，包括上述任一项所述的一种大功率充电电路。
附图说明
[0027]图1为本技术实施例的一种大功率充电电路的结构示意图；
[0028]图2为充电电路本体的结构示意图；
具体实施方式
[0029]为清楚说明本技术中的方案，下面给出优选的实施例并结合附图详细说明。
[0030]如图1所示，本技术实施例的一种大功率充电电路，包括电抗器L、第一二极管D1、绝缘栅双极型晶体管IGBT和充电电路本体，其中，充电电路本体如图2所示。
[0031]其中，可选用型号为IHW30N160R2的绝缘栅双极型晶体管作为本技术中的绝缘栅双极型晶体管IGBT，也可根据实际情况选用其它型号的绝缘栅双极型晶体管作为本技术中的绝缘栅双极型晶体管IGBT。
[0032]绝缘栅双极型晶体管IGBT连接在充电电路本体的第一母线BUS1与第二母线BUS2之间，且绝缘栅双极型晶体管IGBT与充电电路本体的储能电容器 C1并联；
[0033]电抗器L和第一二极管D1均连接在充电电路本体的第一母线BUS1上，且电抗器L连接第一二极管D1的正极，充电电路本体的储能电容器C1连接第一二极管D1的负极；
[0034]绝缘栅双极型晶体管IGBT与第一母线BUS1的接线端位于电抗器L和第一二极管D1之间。在充电电路本体增加由电抗器L、第一二极管D1、绝缘栅双极型晶体管IGBT组成的恒流控制电路。
[0035]可以采用常用规格的元件，如IHW30N160R2的IGBT，储能电容器C1 的充电电流的工作范围如2A；电抗器L采用3H规格，电容器C1采用1.1
μF
规格。可以实现绝缘栅双极型晶体管IGBT占空比提高，流过恒流控制电路中电抗器L两端的电流及电流变化率增加，电抗器L两端电压得到提升，恒流控制电路中电抗器L与储能电容器C1两端的压差增加，恒流控制电路中第一二极管D1至储能电容器C1回路的充电的电流相应提升，实现恒流充电，由此加快充电速度，本领域技术人员可按常规的IGBT的控制角，就可以实现快速充电的功能，如IGBT允许采用120度的控制角。降低充电所耗费的时间，实现大功率充电，大功率充电一般指：充电功率高于100kVA。
[0036]可选地，在上述技术方案中，充电电路本体的结构，可以采用图2中的常规技术实现，该结构也可以在现有技术中获得。主要包括两部分，图中C1左侧之外的电路是整流电路，右侧包含C1的电路是逆变电路。
[0037]逆变电路包括：
[0038]第一三级晶闸管SCR1、第二三级晶闸管SCR2、第三三级晶闸管SCR3 和第四三级晶闸管SCR4；
[0039]第一三级晶闸管SCR1与第二三级晶闸管SCR2串联连接在第一母线 BUS1与第二母线BUS2之间，形成第一串联电路；
[0040]第三三级晶闸管SCR3和第四三级晶闸管SCR4串联连接在第一母线 BUS1与第二母线BUS2之间，形成第二串联电路；
[0041]其中，第一三级晶闸管SCR1的控制极a11、第二三本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大功率充电电路，其特征在于，包括电抗器、第一二极管、绝缘栅双极型晶体管和充电电路本体；所述绝缘栅双极型晶体管连接在所述充电电路本体的第一母线与第二母线之间，且所述绝缘栅双极型晶体管与所述充电电路本体的储能电容器并联；所述电抗器和所述第一二极管均连接在所述充电电路本体的第一母线上，且所述电抗器连接所述第一二极管的正极，所述充电电路本体的储能电容器连接所述第一二极管的负极；所述绝缘栅双极型晶体管与所述第一母线的接线端位于所述电抗器和所述第一二极管之间；所述充电电路本体包括第一三级晶闸管、第二三级晶闸管、第三三级晶闸管和第四三级晶闸管；所述第一三级晶闸管与所述第二三级晶闸管串联连接在所述第一母线与所述第二母线之间，形成第一串联电路；所述第三三级晶闸管和所述第四三级晶闸管串联连接在所述第一母线与所述第二母线之间，形成第二串联电路；所述第一串联电路、所述第二串联电路与所述充电电路本体互相并联；所述第一三级晶闸管与所述第二三级晶闸管之间连接第一输出接口，所述第三三级晶闸管与所述第四三级晶闸管之间连接第二输出接口；所述第一二极管与所述储能电容器的接线端、所述第一串联电路与所述第一母线的接线端、所述第二串联电路与...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛勃，吴旭涛，
申请(专利权)人：国网宁夏电力有限公司电力科学研究院，
类型：新型
国别省市：