一种具有侧壁保护的SAW器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有侧壁保护的SAW器件，包括压电衬底和设于压电衬底上的IDT金属电极，IDT金属电极的侧壁设有保护层，所述保护层的宽度由上至下渐次变大，压电衬底、IDT金属电极和保护层形成的结构表面覆盖有介质层。本实用新型专利技术可有效解决因介质层过薄后续工艺显影液等可与IDT金属反应的液体腐蚀IDT金属导致的IDT金属形貌受损的问题，提高器件的可靠性和性能稳定性。靠性和性能稳定性。靠性和性能稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种具有侧壁保护的SAW器件


[0001]本技术属于半导体器件的
，具体涉及一种具有侧壁保护的SAW器件。

技术介绍

[0002]声表面波(SAW)滤波器广泛应用于信号接收机前端以及双工器和接收滤波器。SAW滤波器集低插入损耗和良好的抑制性能于一身，可实现宽带宽和小体积。习知的SAW滤波器，电输入信号通过间插的金属叉指换能器(IDT)转换为声波，这种IDT是在压电基板上形成的。IDT层表面覆盖有介质层作为调频层，调频层的厚度通常在5～50nm之间比较薄，这样就存在IDT侧壁台阶覆盖性不好的问题，工艺空间较小容易出现后道的显影液腐蚀IDT金属的异常。

技术实现思路

[0003]本技术针对现有技术存在的不足，提供一种具有侧壁保护的SAW器件。
[0004]为了实现以上目的，本技术的技术方案为：
[0005]一种具有侧壁保护的SAW器件，包括压电衬底和设于压电衬底上的IDT金属电极，IDT金属电极的侧壁设有保护层，所述保护层的宽度由上至下渐次变大，压电衬底、IDT金属电极和保护层形成的结构表面覆盖有介质层。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有侧壁保护的SAW器件，其特征在于：包括压电衬底和设于压电衬底上的IDT金属电极，IDT金属电极的侧壁设有保护层，所述保护层的宽度由上至下渐次变大，压电衬底、IDT金属电极和保护层形成的结构表面覆盖有介质层。2.根据权利要求1所述的具有侧壁保护的SAW器件，其特征在于：所述保护层的材料为SiO2或Si
x
N
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。3.根据权利要求1所述的具有侧壁保护的SAW器件，其特征在于：所述介质层的材料为SiO2或Si
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。4.根据权利要求1所述的具有侧壁保护的SAW器件，其特征在于：所述介质层形成调频层。5.根据权利要求1所述的具有侧壁保护的SAW器件，其特征在于：所述介质层的厚度为5nm～50nm。6.根据权利要求1所述的具有侧壁保护的SA...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹福松，
申请(专利权)人：泉州市三安集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：