具有经配置以用于高电压应用的晶体管的集成组合件及形成集成组合件的方法技术

一些实施例包含一种集成组合件，其具有：第一栅极，其操作性地邻近于沟道区；第一源极/漏极区，其在所述沟道区的第一侧上；及第二源极/漏极区，其在所述沟道区的相对的第二侧上。所述第一源极/漏极区通过介入区与所述沟道区间隔开。所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区经由所述沟道区以门控方式彼此耦合。第二栅极邻近于所述介入区的区段且通过绝缘区与所述第一栅极间隔开。轻微掺杂区跨越所述介入区延伸且在所述第一源极/漏极区的至少一部分下方。一些实施例包含形成集成组合件的方法。法。法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有经配置以用于高电压应用的晶体管的集成组合件及形成集成组合件的方法
[0001]相关专利数据
[0002]本申请案主张2020年7月2日申请的序列号为16/919,520的美国专利申请案的优先权及权益，所述专利申请案的公开内容以引用的方式并入本文中。


[0003]集成组合件及形成集成组合件的方法。

技术介绍

[0004]场效应晶体管(FET)通常用作集成组合件的组件。在一些应用中，可能需要将晶体管用于高电压应用(即，可在晶体管的漏极与源极之间提供大的电压差的应用，其中漏极与源极之间的电压差在本文中缩写为V
DS
)中。传统的FET可具有击穿电压V
Ds
，所述电压过低而不适合于高电压应用。因此，可修改FET以增强对高电压应用的适合性。一个修改是增加FET的漏极与门控沟道区之间的距离。然而，可能难以成本有效地制造修改的FET。
[0005]需要开发可适合于高电压位置的新晶体管架构，且开发用于制造此类晶体管架构的方法。
附图说明
[0006]图1为包括实例晶体管的实例集成组合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种集成组合件，其包括：第一栅极，其操作性地邻近于沟道区；在所述沟道区的第一侧上的第一源极/漏极区及在所述沟道区的第二侧上的第二源极/漏极区，其中所述第二侧与所述第一侧呈相对关系；所述第一源极/漏极区通过介入区与所述沟道区间隔开；所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区经由所述沟道区以门控方式彼此耦合；第二栅极，其邻近于所述介入区的区段且通过绝缘区与所述第一栅极间隔开；及轻微掺杂区，其跨越所述介入区延伸且在所述第一源极/漏极区的至少一部分下方。2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一源极/漏极区为漏极区。3.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一源极/漏极区为源极区。4.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述沟道区、所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区以及所述轻微掺杂区在含半导体基材内。5.根据权利要求4所述的集成组合件，其中所述含半导体基材为含硅基材。6.根据权利要求5所述的集成组合件，其中所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区为所述含硅基材内的n型区。7.根据权利要求5所述的集成组合件，其中所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区为所述含硅基材内的p型区。8.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第二栅极为多个第二栅极中的一者，所述多个第二栅极在所述介入区的区段上方彼此间隔开。9.根据权利要求8所述的集成组合件，其包括1到10个所述第二栅极。10.根据权利要求8所述的集成组合件，其包括1到5个所述第二栅极。11.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一栅极与驱动器电路系统耦合，所述驱动器电路系统经配置以将电压选择性地提供到所述第一栅极，从而在所述沟道区内选择性地诱发电场且由此使所述沟道区选择性地在将所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区彼此耦合的第一操作模式与不将所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区彼此耦合的第二操作模式之间转换；且其中所述第二栅极在所述沟道区的所有操作模式期间保持于静态电压电平。12.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一栅极与驱动器电路系统耦合，所述驱动器电路系统经配置以将电压选择性地提供到所述第一栅极，从而在所述沟道区内选择性地诱发电场且由此使所述沟道区选择性地在将所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区彼此耦合的第一操作模式与不将所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区彼此耦合的第二操作模式之间转换；且其中所述第二栅极在所述沟道区的所有操作模式期间电浮动。13.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一栅极与驱动器电路系统耦合，所述驱动器电路系统经配置以将电压选择性地提供到所述第一栅极，从而在所述沟道区内选择性地诱发电场且由此使所述沟道区选择性地在将所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区彼此耦合的第一操作模式与不将所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区彼此耦合的第二操作模式之间转换；且其中所述第二栅极也与所述驱动器电路系统耦合。14.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述介入区为第一介入区，且所述集成组
合件进一步包括：第二介入区，其在所述第二源极/漏极区与所述沟道区之间；及第三栅极，其邻近于所述第二介入区的区段。15.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述第二栅极为多个第二栅极中的一者，所述多个第二栅极在所述第一介入区的区段上方彼此间隔开，且其中所述第三栅极为多个第三栅极中的一者，所述多个第三栅极在所述第二介入区的区段上方彼此间隔开。16.根据权利要求15所述的集成组合件，其包括数目与所述第二栅极相等的所述第三栅极。17.根据权利要求15所述的集成组合件，其包括数目与所述第二栅极不同的所述第三栅极。18.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述第一栅极与驱动器电路系统耦合，所述驱动器电路系统经配置以将电压选择性地提供到所述第一栅极，从而在所述沟道区内选择性地诱发电场且由此使所述沟道区选择性地在将所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区彼此耦合的第一操作模式与不将所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区彼此耦合的第二操作模式之间转换；且其中所述第二栅极及所述第三栅极在所述沟道区的所有操作模式期间保持于静态电压电平。19.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述第一栅极与驱动器电路系统耦合，所述驱动器电路系统经配置以将电压选择性地提供到所述第一栅极，从而在所述沟道区内选择性地诱发电场且由此使所述沟道区选择性地在将所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区彼此耦合的第一操作模式与不将所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区彼此耦合的第二操作模式之间转换；且其中所述第二栅极及所述第三栅极在所述沟道区的所有操作模式期间电浮动。20.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述第一栅极与驱动器电路系统耦合，所述驱动器电路系统经配置以将电压选择性地提供到所述第一栅极，从而在所述沟道区内选...

【专利技术属性】
技术研发人员：Z，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：