SiC半导体装置制造方法及图纸

SiC半导体装置包括：SiC芯片，其具有主面，该主面包含第一面、在上述第一面外向厚度方向以第一深度凹陷的第二面、以及连接上述第一面及上述第二面的连接面，且由上述第一面、上述第二面以及上述连接面划分出台地；晶体管构造，其包含具有小于上述第一深度的第二深度的沟槽栅极构造、以及具有超过上述第二深度的第三深度且与上述沟槽栅极构造在一方方向上相邻的沟槽源极构造，并形成于上述第一面的内方部；以及虚拟构造，其包含分别具有上述第三深度且在上述一方方向上相邻的多个虚拟沟槽源极构造，并形成于上述第一面的周缘部。并形成于上述第一面的周缘部。并形成于上述第一面的周缘部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】SiC半导体装置


[0001]本申请与2020年7月31日在日本国专利局提出的特愿2020－131043号对应，本申请的全部公开内容在此通过引用而录入。本专利技术涉及SiC半导体装置。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了一种半导体装置，其具备半导体基板、形成于半导体基板的沟槽栅极构造、以及以与沟槽栅极构造相邻的方式形成于半导体基板的沟槽源极构造。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：美国专利申请公开第2017/0040423号说明书

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]本专利技术的一个实施方式提供一种能够提高可靠性的SiC半导体装置。
[0008]用于解决课题的方案
[0009]本专利技术的一个实施方式提供一种SiC半导体装置，包括：SiC芯片，其具有主面，该主面包含第一面、在上述第一面外向厚度方向以第一深度凹陷的第二面、以及连接上述第一面及上述第二面的连接面，且由上述第一面、上述第二面以及上述连接面划分出台地；晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种SiC半导体装置，其特征在于，包括：SiC芯片，其具有主面，该主面包含第一面、在上述第一面外向厚度方向以第一深度凹陷的第二面、以及连接上述第一面及上述第二面的连接面，且由上述第一面、上述第二面以及上述连接面划分出台地；晶体管构造，其包含具有小于上述第一深度的第二深度的沟槽栅极构造、以及具有超过上述第二深度的第三深度且与上述沟槽栅极构造在一方方向上相邻的沟槽源极构造，并形成于上述第一面的内方部；以及虚拟构造，其包含分别具有上述第三深度且在上述一方方向上相邻的多个虚拟沟槽源极构造，并形成于上述第一面的周缘部。2.根据权利要求1所述的SiC半导体装置，其特征在于，多个上述虚拟沟槽源极构造以彼此相邻的方式空出间隔地连续地排列。3.根据权利要求1或2所述的SiC半导体装置，其特征在于，多个上述虚拟沟槽源极构造不隔着具有小于上述第三深度的深度的沟槽构造而相互空出间隔地排列。4.根据权利要求1～3任一项中所述的SiC半导体装置，其特征在于，对上述沟槽栅极构造赋予栅极电位，对上述沟槽源极构造赋予源极电位，对上述虚拟沟槽源极构造赋予源极电位。5.根据权利要求1～4任一项中所述的SiC半导体装置，其特征在于，上述晶体管构造包含在上述一方方向上空出间隔地排列的多个上述沟槽栅极构造、以及在上述一方方向上与上述沟槽栅极构造交替地空出间隔地排列的多个上述沟槽源极构造。6.根据权利要求1～5任一项中所述的SiC半导体装置，其特征在于，多个上述虚拟沟槽源极构造从上述连接面露出。7.根据权利要求1～6任一项中所述的SiC半导体装置，其特征在于，上述沟槽源极构造从上述连接面露出。8.根据权利要求1～7任一项中所述的SiC半导体装置，其特征在于，上述沟槽栅极构造从上述连接面空出间隔地形成于上述第一面的内方。9.根据权利要求8所述的SiC半导体装置，其特征在于，上述晶体管构造包含中间沟槽源极构造，该中间沟槽源极构造具有上述第三深度，在与上述一方方向交叉的交叉方向上与上述沟槽栅极构造相邻。10.根据权利要求9所述的SiC半导体装置，其特征在于，上述中间沟槽源极构造在上述第一面中形成于上述沟槽栅极构造以及上述连接面之间的区域。11.根据权利要求9或10所述的SiC半导体装置，其特征在于，上述中间沟槽源极构造从上述连接面露出。12.根据权利要求1～11任一项中所述的SiC半导体装置，其特征在于，还包含第二虚拟构造，该第二虚拟构造包含具有上述第二深度的虚...

【专利技术属性】
技术研发人员：森诚悟，山本兼司，白神弘章，中野佑纪，上野真弥，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：