一种提高钕铁硼高温不可逆磁通损失试验效率的方法技术

本发明专利技术公开了一种提高钕铁硼高温不可逆磁通损失试验效率的方法，涉及烧结钕铁硼磁性材料技术领域，为解决高温不可逆磁通损失试验时间长影响生产效率的问题；本发明专利技术包括对样品进行高温不可逆磁通损失试验，获得磁通损失率；对相同处理的样品，用充磁机施加充磁磁场的反向磁场，获得磁通损失率；改变充磁机电压进行多次试验，直到两个磁通损失率相近，记录电压；对不同的钕铁硼样品进行上述步骤，获得各种样品对应的电压值；需要测量高温不可逆磁通损失时，以施加相应电压值的反向磁场，来替代相应样品的高温不可逆磁通损失试验；本发明专利技术方法简单易操作，能够大大缩短试验时间，提高生产效率。生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种提高钕铁硼高温不可逆磁通损失试验效率的方法


[0001]本专利技术涉及烧结钕铁硼磁性材料
，具体为一种提高钕铁硼高温不可逆磁通损失试验效率的方法。

技术介绍

[0002]近些年来，随着新能源汽车的迅速发展，在给钕铁硼行业提供了非常好的发展前景之外，也给了钕铁硼行业前所未有的挑战。我们都知道，一辆新能源汽车要用到大量的钕铁硼磁性材料，这就关系到新能源汽车在行使过程中的安全问题，也是顾客在选择新能源汽车首先考虑到的问题，所以钕铁硼磁性材料的合格率对一辆新能源汽车也是重中之重的。
[0003]目前新能源汽车厂家在选购钕铁硼磁性材料时，对钕铁硼磁性材料的性能是尤为关注的，这也直接关系到一辆新能源汽车合格与否。其中高温不可逆损失率、磁通值、剩磁、矫顽力、磁能积等都是关键指标。钕铁硼磁性材料高温不可逆损失率是指一定尺寸充磁至饱和状态的钕铁硼磁体在室温下测量磁通值A1,磁体经过90℃
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200℃保温2
‑
3h后，冷却至室温测量磁通值A2，(A1
‑
A2)/A1即磁体的高温不可逆磁通损失率，高温不可逆磁通损失率也是钕铁硼磁性材料性能的重要指标，具体可参考GB/T40794
‑
2021《稀土永磁材料高温磁通不可逆损失检测方法》。工作实践中，钕铁硼磁性材料从半成品到成品高温不可逆磁通损失要经过多次实验，试验温度要求繁多、实验要求不同，要花费大量的时间进行试验，其试验时间长，影响产品流转和发货效率等。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种提高钕铁硼高温不可逆磁通损失试验效率的方法，以解决高温不可逆磁通损失试验时间长影响生产效率的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种提高钕铁硼高温不可逆磁通损失试验效率的方法，包括以下具体步骤：
[0006]S1取相同处理的充磁后钕铁硼样品，将其分为n组；
[0007]S2样品的第1组测量初始磁通后，进行高温不可逆磁通损失试验，测量试验后磁通，计算出磁通损失率；
[0008]S3样品的第2到n组中任意一组测量初始磁通后，用充磁机对该组样品施加充磁磁场的反向磁场，测量各样品施加反向磁场后的磁通，计算出磁通损失率；
[0009]S4若步骤S3的结果与步骤S2的结果偏差超出阈值范围，则对第2到n组中任意另一组样品重复步骤S3，且不同组样品的反向磁场充磁机电压不相同，直到步骤S3的结果与步骤S2的结果偏差在阈值范围内，记录此次试验的充磁机电压；
[0010]S5对不同的钕铁硼样品重复步骤S1至S4，获得各种样品对应的电压值；
[0011]S6待测样需要进行高温不可逆磁通损失试验时，测量初始磁通后，从步骤S5获得的各种样品对应的电压值中，找到待测样对应的电压值，对待测样施加相应电压的反向磁
场，再测量磁通，计算出磁通损失率即可。
[0012]优选的，步骤S4中，偏差为步骤S3的磁通损失率与步骤S2的磁通损失率的差值除以步骤S2的磁通损失率，阈值为
±
5％。
[0013]优选的，步骤S1中，钕铁硼样品处理包括钕铁硼毛坯经切割、表面处理、清洗、吹干和冷却，最后充磁至饱和状态的产品。
[0014]优选的，测量磁通的条件均为温度20
±
2℃、湿度≤60％，且样品冷却至环境温度。
[0015]优选的，步骤S3和S6中，施加反向磁场的方法为，将样品或待测样以与充磁时相反的方向放置在充磁机内。
[0016]优选的，步骤S2和S3中，磁通损失率为同一组中各样品的平均值。
[0017]优选的，将步骤S5获得的各种样品对应的电压值制成表单，用于生产中以施加相应电压值的反向磁场，来替代相应样品的高温不可逆磁通损失试验。
[0018]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0019]该提高钕铁硼高温不可逆磁通损失试验效率的方法，步骤简单易操作，只要通过改变充磁机电压值来施加反向磁场，比对与高温不可逆磁通损失试验的结果，当结果相近时即可代替相应产品的高温不可逆磁通损失试验，由此可以将原本单次2
‑
4h的试验时间缩短至0.5
‑
1h内，大大提高了生产效率。
具体实施方式
[0020]一种提高钕铁硼高温不可逆磁通损失试验效率的方法，包括以下具体步骤：
[0021]S1取相同处理的充磁后钕铁硼样品，将其分为n组；
[0022]S2样品的第1组测量初始磁通后，进行高温不可逆磁通损失试验，测量试验后磁通，计算出磁通损失率；
[0023]S3样品的第2到n组中任意一组测量初始磁通后，用充磁机对该组样品施加充磁磁场的反向磁场，测量各样品施加反向磁场后的磁通，计算出磁通损失率；
[0024]S4若步骤S3的结果与步骤S2的结果偏差超出阈值范围，则对第2到n组中任意另一组样品重复步骤S3，且不同组样品的反向磁场充磁机电压不相同，直到步骤S3的结果与步骤S2的结果偏差在阈值范围内，记录此次试验的充磁机电压；
[0025]S5对不同的钕铁硼样品重复步骤S1至S4，获得各种样品对应的电压值；
[0026]S6待测样需要进行高温不可逆磁通损失试验时，测量初始磁通后，从步骤S5获得的各种样品对应的电压值中，找到待测样对应的电压值，对待测样施加相应电压的反向磁场，再测量磁通，计算出磁通损失率即可。
[0027]在一种较优的实施方式中，步骤S4中，偏差为步骤S3的磁通损失率与步骤S2的磁通损失率的差值除以步骤S2的磁通损失率，阈值优选为
±
5％，步骤S2和S3中，磁通损失率可以为同一组中各样品的平均值；当然也可以通过其他方式设定偏差计算方法和阈值，例如以各组多个样品的磁通损失率的中位值对比，此时阈值可以为二者相差在
±
0.1％内，还可以采用其他统计方法，只要其可以对比两组结果的接近程度即可。
[0028]测量磁通的条件均为温度20
±
2℃、湿度≤60％，且样品冷却至环境温度，具体的，可以将样品吸附在高温不可逆磁通损失试验专用样品框内，放置在环境温度下30min，再测量初始磁通值，步骤S2在进行高温不可逆磁通损失试验结束后，由于温度较高，需放置在磁
通值测量室自然冷却至环境温度再进行测量，步骤S3和S6中，则没有较高温度，冷却时间短，当然，为了实验准确性，也可以进行与步骤S2相同方法测量对比。
[0029]步骤S3和S6中，施加反向磁场的方法为，将样品或待测样以与充磁时相反的方向放置在充磁机内，即充磁时N极向上，施加反向磁场时S极朝上，这样就无需改变充磁机其他条件，仅需进行电压调整。
[0030]采用本专利技术的方法，可以将步骤S5获得的各种样品对应的电压值制成表单，用于生产中以施加相应电压值的反向磁场，来替代相应样品的高温不可逆磁通损失试验，能够将原本单次2
‑
4h的试验时间缩短至0.5
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高钕铁硼高温不可逆磁通损失试验效率的方法，其特征在于，包括以下具体步骤：S1取相同处理的充磁后钕铁硼样品，将其分为n组；S2样品的第1组测量初始磁通后，进行高温不可逆磁通损失试验，测量试验后磁通，计算出磁通损失率；S3样品的第2到n组中任意一组测量初始磁通后，用充磁机对该组样品施加充磁磁场的反向磁场，测量各样品施加反向磁场后的磁通，计算出磁通损失率；S4若步骤S3的结果与步骤S2的结果偏差超出阈值范围，则对第2到n组中任意另一组样品重复步骤S3，且不同组样品的反向磁场充磁机电压不相同，直到步骤S3的结果与步骤S2的结果偏差在阈值范围内，记录此次试验的充磁机电压；S5对不同的钕铁硼样品重复步骤S1至S4，获得各种样品对应的电压值；S6待测样需要进行高温不可逆磁通损失试验时，测量初始磁通后，从步骤S5获得的各种样品对应的电压值中，找到待测样对应的电压值，对待测样施加相应电压的反向磁场，再测量磁通，计算出磁通损失率即可。2.根据权利要求1所述的一种提高钕铁硼高温不可逆磁通损失试验效率的方法，其特征在于：所述步骤S4中，偏差为步骤S3的磁通损失率与步骤S2的磁通损失率的差值除以步骤S2的磁通...

【专利技术属性】
技术研发人员：耿勇，周军，孙红军，徐鹏，翟厚勤，聂凯，张欢，程皓，
申请(专利权)人：中钢天源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：