【技术实现步骤摘要】
可配置多域多相分解式电压调节器
[0001]本公开内容涉及针对可配置多域多相分解式电压调节器的技术、方法和装置。
技术介绍
[0002]当在半导体材料(例如，硅)的晶圆上制造电子电路时，电子电路通常被称为集成电路(IC)。具有这种IC的晶圆通常被切割成许多单个的管芯。管芯可以封装到IC封装中，该IC封装包含一个或多个管芯以及诸如电阻器、电容器和电感器的其他电子部件。IC封装可以集成到电子系统上，例如消费电子系统。这种IC的部件在特定额定功率、电压和/或电流下工作。在许多IC中，虽然电流消耗是动态的并且取决于负载，但是电压是固定的并且理想地是恒定的，以便部件的正常运行。可以用电压调节器(VR，voltage regulator)来维持固定电压。线性VR是基于晶体管的设备，其通常被封装为IC或与IC一起封装，IC使用差分放大器来相对于参考电压控制输出电压，典型地具有与输出电流相当的输入电流。开关VR以高频率切换串联设备的开/关，从而改变作为输出而传递的电压的占空周期。它们的常见拓扑是降压(输出电压低于输入电压)、升压(输出电压高...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种微电子组件，包括：第一集成电路(IC)管芯，所述第一集成电路(IC)管芯具有电负载电路、第一控制电路和第二控制电路；第二IC管芯，所述第二IC管芯具有电耦接到所述第一IC管芯的功率系(PTR)相电路；以及封装衬底中的电感器，所述电感器电耦接到封装内的所述第一IC管芯和所述第二IC管芯，其中：所述第一控制电路调节去往对应电负载电路的功率，所述第二控制电路将所述第一控制电路与所述PTR相电路进行映射，所述PTR相电路控制去往所述电感器的功率，并且所述第一控制电路、所述第二控制电路、所述PTR相电路和所述电感器一起操作来用作电压调节器(VR)，所述电压调节器(VR)被配置为在第一电压下从所述封装衬底接收功率，并且在第二电压下将功率输送到所述电负载电路，所述第一电压高于所述第二电压。2.根据权利要求1所述的微电子组件，其中，所述PTR相电路被配置为在所述第一电压下操作。3.根据权利要求2所述的微电子组件，其中，所述第二IC管芯还包括被配置为在所述第二电压下操作的公共块电路。4.根据权利要求3所述的微电子组件，其中，所述第二IC管芯中的所述公共块电路被配置为：当在所述PTR相电路中检测到灾难性故障时生成信号，以及将所述信号发送到所述第一IC管芯上的所述第二控制电路。5.根据权利要求1所述的微电子组件，其中，所述第二控制电路将所述第一控制电路中的各个第一控制电路映射到所述PTR相电路中的一个或多个PTR相电路。6.根据权利要求1所述的微电子组件，其中：所述电负载电路利用公共成组电流而成组在一起，并且对应的所述第一控制电路被配置为共享关于所述公共成组电流的信息。7.根据权利要求1所述的微电子组件，其中：所述第一IC管芯利用管芯到管芯(DTD)互连来耦接到所述第二IC管芯的第一侧，并且所述第二IC管芯在与所述第一侧相对的第二侧上利用管芯到封装衬底(DTPS)互连来耦接到所述封装衬底。8.根据权利要求1所述的微电子组件，其中：所述第一IC管芯与所述第二IC管芯并排，并且所述第一IC管芯通过再分布面板的第一侧上的导电过孔和迹线电耦接到所述第二IC管芯，并且所述再分布面板在与所述第一侧相对的第二侧上利用DTPS互连来电耦接到所述封装衬底。9.根据权利要求1所述的微电子组件，其中：所述第一IC管芯与所述第二IC管芯并排，并且所述第一IC管芯通过中介层中的半导体桥电耦接到所述第二IC管芯，
所述第一IC管芯和所述第二IC管芯在所述半导体桥的第一侧上利用DTD互连来耦接到所述半导体桥，并且所述中介层在所述半导体桥的与所述第一侧相对的第二侧上利用DTPS互连来耦接到所述封装衬底。10.根据权利要求1所述的微电子组件，其中：所述第一IC管芯与所述第二IC管芯并排，并且所述第一IC管芯通过所述封装衬底中的导电迹线和过孔电耦接到所述第二IC管芯，并且所述第一IC管芯和所述第二IC管芯利用DTPS互连来耦接到所述封装衬底。11.根据权利要求1
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10中的任一项所述的微电子组件，其中，使用第一工艺制造所述第一IC管芯，并且使用与所述第一工艺不同的第二工艺制造所述第二IC管芯。12.一种位于IC管芯中的控制电路，所述控制电路包括：映射模块；寄存器；数字控制模块；模拟控制模块；用于另一IC管芯的第一接口；以及用于所述IC管芯中的DCU的第二接口，其中：所述另一IC管芯包括PTR相，所述DCU调节所述IC管芯中的对应负载域，所述映射模块使用存储在所述寄存器中的映射信息将所述DCU映射到所述PTR相，所述数字控制模块调节所述DCU的操作，并且所述模拟控制模块调节去往所述IC管芯中的模拟电...
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