一种高性能量子点复合物的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高性能量子点复合物的制备方法，其中使用脲衍生物作为潜伏性碱催化剂，在光引发下硫醇和烯发生聚合反应之后，再在第一温度的加热下脲衍生物分解释放出碱催化剂，进而催化硫醇与异氰酸酯快速地完成聚合反应，使得硫醇

【技术实现步骤摘要】
一种高性能量子点复合物的制备方法


[0001]本专利技术涉及一种高性能量子点复合物的制备方法，具体涉及一种具有硫醇
‑
烯烃
‑
异氰酸酯基质的量子点复合物的制备方法。

技术介绍

[0002]传统LED显示器色域窄，所显示的画面色彩逼真性欠佳，而量子点显示屏则在色域、色彩逼真性等多方面具有显著的优势。因此，量子点显示技术具有广阔的应用前景。
[0003]目前，量子点膜产品的通用结构为阻隔层对量子点发光层进行包夹式封装，最外侧为具备光扩散功能的扩散层，其中在量子点发光层，将量子点分散于聚合物基质中免受氧气或水的损坏。聚合物基质一般具有高透光性，其中以硫醇参与的点击反应被广泛应用在该类聚合物基质的制备中。其中以硫醇、异氰酸酯和烯为功能单体的聚合体系被报道，但硫醇与异氰酸酯之间的反应和硫醇与烯之间的反应几乎同时进行，导致反应过程难以控制，而且由于使用光照催化，因光照无法照射到的区域存在较低固化程度的现象。因此，需要具有优化硫醇、异氰酸酯和烯聚合体系的聚合条件，以实现对反应过程的良好控制，得到高性能的量子点膜产品。

技术实现思路

[0004]本专利技术涉及量子点材料的制备方法，制备过程具有良好的可控性，基质的组成分布均匀、玻璃化转变温度窄、量子效率高、抗老化强，颜色可在较长的时间内稳定。
[0005]本专利技术的一个方面，提供一种制备量子点复合物的方法，所述量子点复合物包含分散于一种聚合物基质中的量子点，其中所述聚合物基质由至少一种具有≥2官能度的多硫醇单体、至少一种含有≥2官能度的多烯基单体和至少一种含有≥2官能度的多异氰酸酯基单体制备得到；
[0006]所述制备量子点复合物的方法包含以下步骤：
[0007]i)提供量子点材料、至少一种具有≥2官能度的多硫醇单体、至少一种含有≥2官能度的多烯基单体和至少一种含有≥2官能度的多异氰酸酯基单体；
[0008]ii)将量子点材料、至少一种具有≥2官能度的多硫醇单体、至少一种含有≥2官能度的多烯基单体和至少一种含有≥2官能度的多异氰酸酯基单体以及式(I)的脲衍生物和光引发剂进行混合；
[0009]iii)将步骤ii)的混合物依次经过光照和第一温度加热下得到交联聚合物；
[0010]iv)任选地，将所得交联聚合物在第二温度下加热处理；
[0011]所述式(I)的脲衍生物的结构为：
[0012][0013]其中，
[0014]R1选自氢、C1至C15烷基、C3至C15环烷基、芳基、芳烷基、
‑
NHC(O)NR2R3取代的C1至C15烷基、
‑
NHC(O)NR2R3取代的C3至C15环烷基、用
‑
NHC(O)NR2R3取代的芳基，或用
‑
NHC(O)NR2R3取代的芳烷基中的一种；
[0015]R2、R3彼此独立地选自氢、C1至C15的烷基、C3至C15环烷基，或R2与R3共同形成C3
‑
至C10的亚烷基环；
[0016]至少一个基团R1、R2、R3不为氢。
[0017]本专利技术的另一个方面，提供了一种量子点制品。
[0018]本专利技术的量子点复合物制备方法因使用作为潜伏性碱催化剂的脲衍生物，在光引发下硫醇和烯发生聚合反应之后，再在第一温度的加热下脲衍生物分解释放出碱催化剂，进而催化硫醇与异氰酸酯快速地完成聚合反应，使得硫醇
‑
异氰酸酯和硫醇
‑
烯烃在不同的固化条件下进行分步固化，有利于高质量量子点制品的固化热控制，尤其是对于同时固化可产生显著量热的量子点制品，而且对于较厚制品可实现单体之间的固化过程均匀进行，在整个制品内实现组成均匀，制备的量子点材料具有较窄的玻璃化转变温度，高的量子效率，优异的阻隔水氧的能力，颜色稳定，可延长量子点制品的使用寿命。不同脲衍生物的使用实现了固化热的控制。
[0019]如本专利技术所用，C1至C15烷基应当被理解为链长为至多15个碳原子的线性或支化烷基，其特别具有通式C
n
H
2n+1
，其中n＝1至15，可以为甲基、乙基、正丙基、1
‑
甲基乙基、正丁基、1
‑
甲基丙基、2
‑
甲基丙基、1,1
‑
二甲基乙基、正戊基、1
‑
甲基丁基、2
‑
甲基丁基、3
‑
甲基丁基、1,1
‑
二甲基丙基、1,2
‑
二甲基丙基、2,2
‑
二甲基丙基或1
‑
乙基丙基。
[0020]如本专利技术所用，C3至C15环烷基应当被理解为具有3至15个碳原子的单环或双环环烷基，具有通式C
n
H
2n
‑
1的环烷基，其中n＝3至15，可以表示1
‑
甲基
‑1‑
环丙基、1
‑
甲基
‑1‑
环丁基、1
‑
甲基
‑1‑
环戊基、1
‑
甲基
‑1‑
环己基、1
‑
甲基
‑1‑
环庚基、2
‑
甲基
‑1‑
环丙基、2
‑
甲基
‑1‑
环丁基、2
‑
甲基
‑1‑
环戊基、2
‑
甲基
‑1‑
环己基、2
‑
甲基
‑1‑
环庚基、3
‑
甲基
‑1‑
环丁基、3
‑
甲基
‑1‑
环戊基、3
‑
甲基
‑1‑
环己基、3,3
‑
二甲基
‑1‑
环己基、3
‑
甲基
‑1‑
环庚基、4
‑
甲基
‑1‑
环己基、4
‑
甲基
‑1‑
环庚基。
[0021]如本专利技术所用，芳基表示具有3至20个碳原子的芳族芳基，其本身可以进一步优选用具有上述含义的C1
‑
至C5
‑
烷基进行单取代或多取代，可以为苯基、萘基、蒽基或苝基作为芳基。
[0022]如本专利技术所用，芳烷基表示用具有上述含义的芳基取代的具有上述含义的C1
‑
C15
‑
烷基。具体地，芳烷基为苯甲基。
[0023]“量子点”，所述量子点由于使用半导体材料而在近紫外线(UV)到远红外线(IR)范围内具有可调发射。
具体实施方式
[0024]本专利技术提供一种制备量子点复合物的方法，所述量子点复合物包含分散于一种聚合物基质中的量子点，所述聚合物基质由至少一种具有≥2官能度的多硫醇单体、至少一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备量子点复合物的方法，所述量子点复合物包含分散于一种聚合物基质中的量子点，其特征在于，所述聚合物基质由至少一种具有≥2官能度的多硫醇单体、至少一种含有≥2官能度的多烯基单体和至少一种含有≥2官能度的多异氰酸酯基单体制备得到；所述制备量子点复合物的方法包含以下步骤：i)提供量子点材料、至少一种具有≥2官能度的多硫醇单体、至少一种含有≥2官能度的多烯基单体和至少一种含有≥2官能度的多异氰酸酯基单体；ii)将量子点材料、至少一种具有≥2官能度的多硫醇单体、至少一种含有≥2官能度的多烯基单体和至少一种含有≥2官能度的多异氰酸酯基单体以及式(I)的脲衍生物和光引发剂进行混合；iii)将步骤ii)的混合物依次经过光照和第一温度加热得到交联聚合物；iv)任选地，将所得交联聚合物在第二温度下加热处理；所述式(I)的脲衍生物的结构为：其中，R1选自氢、C1至C15烷基、C3至C15环烷基、芳基、芳烷基、
‑
NHC(O)NR2R3取代的C1至C15烷基、
‑
NHC(O)NR2R3取代的C3至C15环烷基、用
‑
NHC(O)NR2R3取代的芳基，或用
‑
NHC(O)NR2R3取代的芳烷基中的一种；R2、R3彼此独立地选自氢、C1至C15的烷基、C3至C15环烷基或共同形成C3
‑
至C10的亚烷基环；至少一个基团R1、R2、R3不为氢。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，多硫醇单体具有下式：R
x
(SH)
y
，其中R
x
为具有y价的烃基基团或杂烃基基团，并且y≥2。3.根据权利要求1
‑
2任一项所述的方法，其特征在于，所述多硫醇单体选自下式化合物中的一种或多种：其中n为2
‑
10的整数，R1和R2相同或不同且独立地选自
‑
CH2‑
CH(SH)CH3和
‑
CH2‑
CH2‑
SH；或者，其中R3、R4、R5和R6相同或不同且独立地选自
‑
C(O)
‑
CH2‑
CH2‑
SH、
‑
(O)
‑
CH2‑
CH(SH)CH3、
‑
CH2‑
C(
‑
CH2
‑
O
‑
C(O)
‑
CH2‑
CH2‑
SH)3、
‑
C(O)
‑
CH2‑
SH和
‑
C(O)
‑
CH(SH)
‑
CH3；或者，
其中R7、R8和R9相同或不同且独立地选自
‑
C(O)
‑
CH2‑
CH2‑
SH、
‑
C(O)
‑
CH2
‑
CH(SH)CH3、
‑
C(O)
‑
CH2‑
SH和
‑
C(O)
‑
CH(SH)
‑
CH3。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，多异氰酸酯基单体选自下式化合物中的一种或多种：或，其中m、n、p为1

【专利技术属性】
技术研发人员：刘勇，
申请(专利权)人：南京贝迪新材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：