用于微晶玻璃制备的紫外辐照析晶处理系统技术方案

本发明专利技术提供一种用于微晶玻璃制备的紫外辐照析晶处理系统，要点是：自动传送带安装在支架上，盛料盘放在自动传送带上，自动传送带的上方依次架设紫外线辐照箱和网带烧结炉，在紫外线辐照箱入口、紫外线辐照箱和网带烧结炉之间、网带烧结炉的出口各设置气动密闭伸缩门，在紫外线辐照箱里安装紫外线灯组，在网带烧结炉内安装网带炉烧结组件，在紫外线辐照箱和网带烧结炉的一侧设置各自的设备间，在网带烧结炉设备间安装网带烧结炉温控器，在紫外线辐照箱的设备间安装紫外线灯镇流器及其冷却风扇；所述的处理是，先核化，再晶化，最后是冷却。却。却。

【技术实现步骤摘要】
用于微晶玻璃制备的紫外辐照析晶处理系统


[0001]本专利技术涉及一种微晶玻璃等无机非金属材料制备
，具体地说是一种用于微晶玻璃制备的紫外辐照析晶系统。

技术介绍

[0002]近年来，高性能、高科技材料的研究发展越来越受到国家的重视，尤其是在当前国内、国际高科技竞争的严峻形势下，掌握高科技，高性能材料的自主研发技术，非常关键。
[0003]微晶玻璃是在有晶核剂和或不加晶核剂的条件下，按照一定比例配合的基础玻璃，在热处理制度下，在玻璃体内部析出均匀的微小晶体，组成了致密的微晶相和玻璃相的多相复合体。微晶玻璃具有玻璃和陶瓷的双重特性，比陶瓷的亮度高，比玻璃韧性强，被广泛应用于智能手机盖版制备材料、新型建筑装饰材料、机械结构材料、电子绝缘材料、大规模集成电路底板材料、微波炉耐热列器皿、化工与防腐材料和矿山耐磨材料等，具有极高的应用价值和广泛的适用性。
[0004]现有技术主要采用整体析晶法、烧结法、溶胶
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凝胶法等进行微晶玻璃制备，常用的是整体析晶法、烧结法，其中采用的成核晶化工艺均为热处理工艺，选择适当的原料配比，将其融制、退火后得到成型物料，采取两段式升温保温程序，控制一定的核化温度、时间和晶化温度、时间，得到微晶玻璃产品。如“纳米晶玻璃及其制备方法”（申请公布号CN 114804656 A）、“一种堇青石基纳米微晶玻璃及其制备方法”（申请公布号CN 104496186 B）、“一种纳米尖晶石微晶玻璃及其制备方法”（公开号 CN 104478219 A）、“微晶玻璃、微晶玻璃制品及其制造方法”（公开号 CN 111099828 B）等。本专利技术创造性的采用紫外辐照技术，促进玻璃体物料成核，并设计优化热处理工艺条件，采用紫外辐照整体析晶的方法，促进玻璃体原料成核，并优化设计热处理条件，得到抗压抗弯强度高、抗热冲击性好的微晶玻璃产品。该装置设计安装不同规格尺寸的紫外线灯，得到不同的辐照剂量，以适应原料的不同配比，满足产品使用需求。采用该装置进行微晶玻璃制备，适应性强，可应用于纳米微晶玻璃、泡沫微晶玻璃等多种微晶玻璃产品制备，具有广阔的应用前景。

技术实现思路

[0005]本专利技术主要解决的技术难题是提供一种用于微晶玻璃制备的紫外辐照析晶处理系统。
[0006]本专利技术的目的是通过如下技术方案来实现的：自动传送带安装在支架上，盛料盘放在自动传送带上，自动传送带的上方依次架设紫外线辐照箱和网带烧结炉，所述依次是指盛料盘依次经过紫外线辐照箱和网带烧结炉，紫外线辐照箱入口、紫外线辐照箱和网带烧结炉之间、网带烧结炉的出口各设置气动密闭伸缩门，在紫外线辐照箱里安装紫外线灯组，紫外线灯组照射方向为向下，在网带烧结炉内安装网带炉烧结组件，在紫外线辐照箱和网带烧结炉的一侧高各自的设备间，在网带烧结炉设备间安装网带烧结炉温控器，在紫外线辐照箱的设备间安装紫外线灯镇流器及其冷却风扇。
[0007]所述的处理是，先核化，再晶化，最后是冷却，具体是，将已经熔化、成型后的玻璃体原料，放入盛料盘中，由自动传送带先经过紫外线辐照箱入口的密闭伸缩门，进入紫外线辐照箱，经紫外线辐照玻璃体原料完成核化；经核化后的玻璃体原料，由自动传送带经过紫外线辐照箱和网带烧结炉之间的密闭伸缩门，进入网带烧结炉烧结，完成晶化；完成晶化后，由自动传送带送出网带烧结炉，自然冷却，得到微晶玻璃产品。
[0008]温控箱根据使用要求，设置自动控温条件，包括核化温度、核化时间和晶化温度、晶化时间。并根据辐照要求设置所需的辐照时间，设置紫外线自动控制开关。
[0009]与现有技术相比，本专利技术的预期效果是：采用紫外辐照析晶技术制备微晶玻璃，优化热处理条件，降低了核化温度和晶化温度，从而降低了技术成本，并适用于纳米微晶玻璃、泡沫微晶玻璃等多种高强度、高性能微晶玻璃的制备，具有更优的技术经济适用性。
附图说明
[0010]图1是本专利技术的示意图。
[0011]图2是图1的俯视图。
[0012]图3是图1的A部放大图。
具体实施方式
[0013]下面通过附图和实施例进一步说明本专利技术，但本专利技术不受实施例的限制。
[0014]自动传送带1安装在支架10上，盛料盘2放在自动传送带上，自动传送带的上方依次架设紫外线辐照箱12和网带烧结炉11，所述依次是指盛料盘依次经过紫外线辐照箱和网带烧结炉，紫外线辐照箱入口、紫外线辐照箱和网带烧结炉之间、网带烧结炉的出口各设置由气缸3驱动的气动密闭伸缩门4、7和9，在紫外线辐照箱里安装紫外线灯组，是指紫外线灯组6、悬挂式灯组支架5和紫外线辐照箱依次安装，紫外线灯组的全部紫外线灯布置在一个平面上，紫外线灯组辐照强度140~500μW/cm2。紫外线灯组照射方向为向下是指，在紫外线灯组每个紫外线灯的上面设置铝反光板16，形状为倒V型，每一侧与灯管中心夹角为45~60
°
，铝反光板安装在悬挂式灯组支架上；每个紫外线灯波长为253.7nm的低臭氧紫外线灯，功率为20W或30W。在网带烧结炉内安装网带炉烧结组件8，在紫外线辐照箱和网带烧结炉的一侧设置各自的设备间，在网带烧结炉设备间安装网带烧结炉温控器14，在紫外线辐照箱的设备间安装紫外线灯镇流器15及其冷却风扇13。
[0015]所述的处理是，先核化，再晶化，最后是冷却，具体是，将已经熔化、成型后的玻璃体原料，放入盛料盘中，由自动传送带先经过紫外线辐照箱入口的密闭伸缩门，进入紫外线辐照箱，经紫外线辐照玻璃体原料完成核化；经核化后的玻璃体原料，由自动传送带经过紫外线辐照箱和网带烧结炉之间的密闭伸缩门，进入网带烧结炉烧结，完成晶化；完成晶化后，由自动传送带送出网带烧结炉，自然冷却。
[0016]以下实施例的每个原料的数值为该原料在原料组成中所占的重量百分比。
[0017]实施例1原料组成：SiO2为55.5；Al2O3为17.1；Fe2O3为14.6;CaO为3.4;MgO为2.6;TiO2为
2.1;K2O+Na2O为4.5;P2O5为0.2。
[0018]将以上原料经玻璃熔融、退火、成型后，放入紫外辐照系统。
[0019]紫外辐照：选择2只20W（分列于两侧）和1只30W（位于中间）紫外线灯，调整合适的辐照距离，达到辐照强度180μW/cm2。设置V型铝反光板，每一侧与灯管中心夹角为45
°
，达到辐照强度320μW/cm2。
[0020]设定辐照时间10 min。
[0021]烧结晶化：将经紫外辐照后的物料，自动送入网带烧结炉，设定核化温度为490℃，晶化温度为630℃。
[0022]烧结晶化后，缓慢降温至室温，得到高性能微晶玻璃产品，抗压强度19.1MPa，抗弯强度75.0MPa，抗热冲击温度150℃。
[0023]实施例2原料组成：SiO2为57.2；Al2O3为14.4；Fe2O3为13.8;CaO为4.6;MgO为3.9;TiO2为4.1;K2O+Na2O为1.9;P2O5为0.1。
[0024本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于微晶玻璃制备的紫外辐照析晶处理系统，其特征是：自动传送带安装在支架上，盛料盘放在自动传送带上，自动传送带的上方依次架设紫外线辐照箱和网带烧结炉，所述依次是指盛料盘依次经过紫外线辐照箱和网带烧结炉，紫外线辐照箱入口、紫外线辐照箱和网带烧结炉之间、网带烧结炉的出口各设置气动密闭伸缩门，在紫外线辐照箱里安装紫外线灯组，紫外线灯组照射方向为向下，在网带烧结炉内安装网带炉烧结组件，在紫外线辐照箱和网带烧结炉的一侧设置各自的设备间，在网带烧结炉设备间安装网带烧结炉温控器，在紫外线辐照箱的设备间安装紫外线灯镇流器及其冷却风扇；所述的处理是，先核化，再晶化，最后是冷却，具体是，将已经熔化、成型后的玻璃体原料，放入盛料盘中，由自动传送带先经过紫外线辐照箱入口的密闭伸缩门，进入紫外线辐照箱，经紫外线辐照玻璃体原料完成核化；经核化后的玻璃体原料，由自动传送带经过紫外线辐照箱和网带烧结...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宝磊，陈朝中，邵春岩，陈刚，王坚，张广鑫，李述贤，王龙，
申请(专利权)人：沈阳环境科学研究院，
类型：发明
国别省市：