大晶粒铋酸铜光阴极薄膜及制备方法与其在制氢中的应用技术

本发明专利技术属于先进材料技术领域，涉及光催化材料及光催化水解制氢制氢技术，涉及大晶粒铋酸铜光阴极薄膜及制备方法与其在制氢中的应用。其制备方法为：以铜盐和铋盐为原料采用喷雾热解法制备沉积膜，在乙醇与空气的混合气氛下，将沉积膜进行预退火处理获得前体膜，将前体膜进行两步退火处理，即得；所述预退火处理为，升温至预退火温度进行处理；所述两步退火处理为，以设定升温速率升温至第一退火温度进行处理，然后升温至第二退火温度进行处理。本发明专利技术的制备的大晶粒铋酸铜光阴极薄膜中具有更大的晶粒，从而减少光生载流子在晶界的转移，促进了载流子的传输。促进了载流子的传输。促进了载流子的传输。

【技术实现步骤摘要】
大晶粒铋酸铜光阴极薄膜及制备方法与其在制氢中的应用


[0001]本专利技术属于先进材料
，涉及光催化材料及光催化水解制氢技术，涉及大晶粒铋酸铜光阴极薄膜及制备方法与其在制氢中的应用。

技术介绍

[0002]公开该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
[0003]目前，P型光阴极铋酸铜(CuBi2O4)较差的载流子传输能力严重限制了光催化性能，导致其实际光电流密度远低于理论值。面对CuBi2O4较差的载流子传输能力，研究者提出了许多改进措施如：构建空穴传输层、掺杂、构建异质结、负载表面催化剂、形貌调控。然而迄今为止报道的CuBi2O4光电流密度仍远小于理论光电流密度，专利技术人研究发现，目前CuBi2O4光阴极薄膜中晶粒尺寸多为200nm左右，最大为500nm，而晶粒尺寸较小导致晶界过多，晶界表面的晶格缺陷引起载流子复合，对载流子传输具有严重的抑制作用。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术的不足，本专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大晶粒铋酸铜光阴极薄膜的制备方法，其特征是，以铜盐和铋盐为原料采用喷雾热解法制备沉积膜，在乙醇与空气的混合气氛下，将沉积膜进行预退火处理获得前体膜，将前提膜进行两步退火处理，即得；所述预退火处理为，升温速率升温至预退火温度进行处理；所述两步退火处理为，以设定升温速率升温至第一退火温度进行处理，然后升温至第二退火温度进行处理；预退火温度＝第一退火温度
±
10℃。2.如权利要求1所述的大晶粒铋酸铜光阴极薄膜的制备方法，其特征是，乙醇与空气的混合气氛中，乙醇的体积分数为30～50％。3.如权利要求1所述的大晶粒铋酸铜光阴极薄膜的制备方法，其特征是，将乙醇流延在容器内表面，再将容器倒扣于沉积膜上方与加热台形成封闭空间，然后加热进行预退火处理。4.如权利要求1所述的大晶粒铋酸铜光阴极薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋安刚，刘素香，王钦普，朱地，赵保峰，王义文，
申请(专利权)人：山东省科学院能源研究所，
类型：发明
国别省市：